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IGBT
绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
串联均压
绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
针对串联ＩＧＢＴ开通过程过程动态均压，提出了有源钳位均压电路以及异周期调节均压算
法及其实现技术。提出的有源钳位均压电路，自动检测超前开通的ＩＧＢＴ集射极电压，产生的
钳位电流对门极进行抽流，降低开通速度，缓减ＩＧＢＴ间的不均压；提出的异周期调节算法，
利用时间提取电路检测到表征有源钳位电路工作时间的脉冲信号，提取脉冲信号上升沿延时时
间，调节下一开关周期开通边沿，最终通过数个开关周期的调节实现开通过程的完全均压。
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