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发光二极管的流水灯实验,应用片外数据存储器(汇编语言

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  • 日期: 2015-06-05
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标签: 单片机汇编语言

发光二极管的流水灯实验,应用片外数据存储器,是用汇编语言写的,可以和C语言写的进行比较,看看程序简洁性高在哪里。

  程序16-1:发光二极管的流水灯实验,应用片外数据存储器(对应图16-35)    ORG 00H ; 起始地址00H START: MOV R0, #00H ; 设R0为取表指针 MOV DPTR, #0000H ; DPTR=0000H,用于指向M28C64的起始地址 PUSH DPL ; DPL是DPTR低位字节,DPL压栈 PUSH DPH ; DPH是DPTR高位字节,DPH压栈 MOV R1, #8 ; 显示数据计数器R1=8,有8个显示数据 WRITE: MOV A, R0 ; A=00,偏移地址为0 MOV DPTR, #TABLE ; DPTR指向表头 MOVC A, @A+DPTR ; 将数据表内容载入A中 POP DPH ; DPH弹栈 POP DPL ; DPL弹栈 MOVX @DPTR, A ; A中的数据载入DPTR所指向的 ; 片外数据存储器M28C64的地址空间上 CALL DELAY ; 存储器访问延时 INC DPTR ; DPRT增加1 PUSH DPL ; DPL压栈 PUSH DPH ; DPH压栈 INC R0 ; R0增加1 DJNZ R1, WRITE ; 如果R1不为0,继续将数据写入M28C64中 PREREAD: MOV R1, #8 ; 读取显示数据计数器 MOV DPTR, #0000H ; DPTR=0000 READ: MOVX A, @DPTR ; 将DPTR所指的片外数据存储器 ; M28C64的地址空间上的数据载入A中 CALL DELAY ; 存储器访问延时 MOV P1, A ; 输出至P1口显示  INC DPTR ; DPRT增加1 CALL DELAY_L ; 显示延时 DJNZ R1, READ ; 如果没有取完8个显示数据则继续 JMP PREREAD ; 重新从片外数据存储器向单片机装载显示数据 DELAY: ; 存储器访问延时 MOV R2, #05H D1: MOV R3, #0FFH DJNZ R3, $ DJNZ R2, D1 RET DELAY_L: ; 200ms延时子程序,可参考前面例子 … ; (省略) RET TABLE: ; 显示数据表 DB 0FEH, 0FDH, 0FBH, 0F7H DB 0EFH, 0DFH, 0BFH, 07FH END
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