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东芝30a东子结型场效应管

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    标    签:30a

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    低噪声结型场效应管  声音温和  酷时胆管

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    東芝電界効果トランジスタ シリコン N チャネル接合形 2SK30ATM 低雑音プリアンプ用 トーンコントロールアンプ用 各種 DC-AC 高入力インピーダンス増幅回路用 • 高耐圧です。 : VGDS = −50 V • 高入力インピーダンスです。: IGSS = −1 nA (最大) (VGS = −30 V) • 低雑音です。 : NF = 0.5 dB (標準) (RG = 100 kΩ) (f = 120 Hz) 2SK30ATM 最大定格 (Ta = 25°C) 項 目 ゲート・ドレイン間電圧 ゲ ー ト 電 流 許 容 損 失 接 合 温 度 保 存 温 度 記号 VGDS IG PD Tj Tstg 定格 −50 10 100 125 −55~125 単位 V mA mW °C °C 電気的特性 (Ta = 25°C) 項 目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位 ゲート・ドレインしゃ断電流 IGSS VGS = −30 V, VDS = 0   −1.0 nA ゲ ー ト ・ ド レ イ ン 間 降 伏 電 圧 V (BR) GDS VDS = 0, IG = −100 µA −50   V ドレ イン 電流 IDSS (注) VDS = 10 V, VGS = 0 0.3  6.5 mA ゲ ー ト ・ ソ ー ス 間 し ゃ 断 電 圧 VGS (OFF) VDS = 10 V, ID = 0.1 µA −0.4  −5.0 V 順方向伝達アドミタンス |Yfs| VDS = 10 V, VGS = 0, f = 1 kHz 1.2   mS 入 力 容 量 Ciss VGS = 0 V, VDS = 0, f = 1 MHz  8.2  pF 帰 還 容 量 Crss VGD = −10 V, VDS = 0, f = 1 MHz  2.6  pF 雑 音 指 数 NF VDS = 15 V, VGS = 0, RG = 100 kΩ, f = 120 Hz ― 0.5 5.0 dB 注: IDSS 分類 R: 0.30~0.75, O: 0.60~1.40, Y: 1.20~3.00, GR: 2.60~6.50 000629TAA • 当社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当社半導体製品をご 使用いただく場合は、半導体製品の誤作動や故障により、生命・身体・財産が侵害されることのないように、購入者側の責任におい て、機器の安全設計を行うことをお願いします。 なお、設計に際しては、最新の製品仕様をご確認の上、製品保証範囲内でご使用いただくと共に、考慮されるべき注意事項や条件 について「東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い」、「半導体信頼性ハンドブック」などでご確認ください。 • 本資料に掲載されている製品は、一般的電子機器 (コンピュータ、パーソナル機器、事務機器、計測機器、産業用ロボット、家電機 器など) に使用されることを意図しています。特別に高い品質・信頼性が要求され、その故障や誤作動が直接人命を脅かしたり人体 に危害を及ぼす恐れのある機器 (原子力制御機器、航空宇宙機器、輸送機器、交通信号機器、燃焼制御、医療機器、各種安全装置な ど) にこれらの製品を使用すること (以下 “特定用途” という) は意図もされていませんし、また保証もされていません。本資料に 掲載されている製品を当該特定用途に使用することは、お客様の責任でなされることとなります。 • 本資料に掲載されている技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するためのもので、その使用に際して当社および第三者の知的 財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。 • 本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。 2000-09-25 1/3 ドレイン電流 ID (mA) 静特性 ソース接地 Ta = 25°C 4.8 VDS = 10 V −1.0 3.2 1.6 −0.8 −0.6 0 VGS = −0.2 V −0.4 −1.6 −1.4 −1.6 −0.8 0 20 40 60 ゲート・ソース間電圧 ドレイン・ソース間電圧 VGS (V) VDS (V) 3.2 ソース接地 Ta = 25°C 2.4 1.6 0.8 ID – VDS (低電圧領域) 0 VGS = −0.2 V −0.4 −0.6 −1.6 −1.4 −1.2 −1.0 −0.8 0 0 0.8 1.6 2.4 3.2 4.0 ドレイン・ソース間電圧 VDS (V) 順方向伝達アドミタンス |Yfs| (mS) 2SK30ATM ドレイン電流 ID (mA) ID – VGS 6.4 ソース接地 VDS = 10 V 5.6 Ta = 25°C 4.8 4.0 3.2 2.4 RS = 1 kΩ 1.6 2 10 5 0.8 0 −2.8 −2.4 −2.0 −1.6 −1.2 −0.8 −0.4 0 ゲート・ソース間電圧 VGS (V) ソース接地 4.8 VDS = 10 V f = 1 kHz Ta = 25°C |Yfs| – ID IDSS = 6 mA 3.2 0.7 1.6 0.4 2.8 1.7 0 0 1.6 3.2 4.8 6.4 ドレイン電流 ID (mA) ドレイン電流 ID (mA) |Yfs| – VGS 4.0 ソース接地 VDS = 0 f = 1 kHz 3.2 Ta = 25°C 2.4 1.6 0.8 0 −4.0 −3.2 −2.4 −1.6 −0.8 0 ゲート・ソース間電圧 VGS (V) 順方向伝達アドミタンス |Yfs| (mS) ゲート・ソース間しゃ断電圧 VGS (OFF) (V) VGS (OFF) – IDSS −10 ソース接地 IDSS : VDS = 10 V −5 VGS = 0 VGS (OFF) := 10 V ID = 0.1 µA Ta = 25°C −3 −1 −0.5 0.3 1 3 10 ドレイン電流 IDSS (mA) 2000-09-25 2/3 入力容量 Ciss (pF) 帰還容量 Crss (pF) 雑音指数 NF (dB) 雑音指数 NF (dB) 順方向伝達アドミタンス |Yfs| (mS) |Yfs| – IDSS 10 ソース接地 IDSS : VDS = 10 V, VGS = 0 |Yfs| : VDS = 10 V, VGS = 0 5 f = 1 kHz 3 1 0.3 0.5 1 3 5 10 ドレイン電流 IDSS (mA) NF – f ソース接地 4 VDS = 15 V ID = 1 mA Ta = 25°C RG = 10 kΩ 2 1M 100 k 0 0.01 0.03 0.1 0.3 1 3 10 周 波 数 f (kHz) NF – ID 1.5 ソース接地 VDS = 15 V 1.0 RG = 100 kΩ Ta = 25°C 0.5 f = 120 Hz 1 k 10 k 0 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 ドレイン電流 ID (mA) Ciss – VGS, Crss – VGD 30 ソース接地 Ciss: VDS = 0 10 Crss: VGS = 0 f = 1 MHz 5 Ta = 25°C 3 1 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 −14 −16 ゲート・ドレイン間電圧 VGD (V) ゲート・ソース間電圧 VGS (V) 許容損失 PD (mW) 雑音指数 NF (dB) 雑音指数 NF (dB) 2SK30ATM NF – RG 8 6 f = 120 Hz ソース接地 VDS = 15 V ID = 1 mA Ta = 25°C 4 1 kHz 10 kHZ 2 0 500 1 k 10 k 100 k 1M 信号源抵抗 RG (Ω) NF – VDS 6 ソース接地 5 ID = 1 mA RG = 100 kΩ Ta = 25°C 4 3 2 f = 120 Hz 1k 1 10 k 0 0 4 8 12 16 20 24 28 32 ドレイン・ソース間電圧 VDS (V) PD – Ta 125 100 75 50 25 0 0 25 50 75 100 125 周囲温度 Ta (°C) 2000-09-25 3/3

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