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MMBT5401数据手册

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标签: MMBT5401IC资料

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MMBT5401 PNP General Purpose Amplifier This device is designed as a general purpose amplifier and switch for applications requiring high voltage C M M B T 5 4 0 1 PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta25C unless otherwise noted Symbol Parameter VCEO VCBO VEBO IC TJ TSTG These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired CollectorEmitter Voltage CollectorBase Voltage EmitterBase Voltage Collector Current Operating......

MMBT5401 PNP General Purpose Amplifier • This device is designed as a general purpose amplifier and switch for applications requiring high voltage. C M M B T 5 4 0 1 PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* Ta=25°C unless otherwise noted Symbol Parameter VCEO VCBO VEBO IC TJ, TSTG * These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired. Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Operating and Storage Junction Temperature Range - Continuous E B SOT-23 Mark: 2L Units V V V mA °C Value -150 -160 -5.0 -600 -55 ~ 150 Notes: 1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C. 2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations. Parameter Electrical Characteristics Ta=25°C unless otherwise noted Symbol Off Characteristics BVCEO BVCBO BVEBO ICBO Collector-Emitter Breakdown Voltage * Collector-Base Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Collector Cutoff Current Test Condition IC = -1.0mA, IB = 0 IC = -100µA, IE = 0 IE = -10µA, IC = 0 VCB = -120V, IE = 0 VCB = -120V, IE = 0, Ta = 100°C VEB= -3.0V, IC=0 Emitter Cutoff Current IEBO On Characteristics * hFE DC Current Gain VCE (sat) VBE (sat) Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Small Signal Characterics fT Current Gain Bandwidth Product Cob NF Output Capacitance Noise Figure * Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2.0% IC = -1.0mA, VCE = -5.0V IC = -10mA, VCE = -5.0V IC = -50mA, VCE = -5.0V IC = -10mA, IB = -1.0mA IC = -50mA, IB = -5.0mA IC = -10mA, IB = -1.0mA IC = -50mA, IB = -5.0mA IC = -10mA, VCE = -10V, f = 100MHz VCB = -10V, IE = 0, f = 1MHz IC = -250µA, VCE = -5.0V, RS = 1.0KΩ f = 10Hz to 15.7KHz Min. Max. Units -150 -160 -5.0 50 60 50 100 V V V nA µA nA V V V V MHz pF dB -50 -50 -50 240 -0.2 -0.5 -1.0 -1.0 300 6.0 8.0 ©2004 Fairchild Semiconductor Corporation Rev. B1, August 2004 Thermal Characteristics Ta=25°C unless otherwise noted Symbol PD RθJA Parameter Total Device Dissipation Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Max. 350 2.8 357 Units mW mW/°C °C/W M M B T 5 4 0 1 ©2004 Fairchild Semiconductor Corporation Rev. B1, August 2004 Typical Characteristics M M B T 5 4 0 1 β ββββ = 10 β 0.4 0.3 0.2 0.1 125 oC 25 oC - 40 oC 1 10 100 IC - COLLECTOR CURRENT (mA) ) V ( I E G A T L O V R E T T M E R O T C E L L O C - - T A S E C V 200 150 100 50 VCE = 5V 125 oC 25 oC - 40 oC I N A G T N E R R U C D E S L U P L A C P Y T - I E F h 0 1E-4 1E-3 0.1 IC - COLLECTOR CURRENT (A) 0.01 1 0.0 0.1 Figure 1. Typical Pulsed Current Gain vs Collector Current Figure 2. Collector-Emitter Saturation Voltage vs Collector Current 1.0 0.8 0.6 0.4 ) V ( E G A T L O V R E T T M E E S A B - I - T A S E B V 0.2 0.1 - 40 oC 25 oC 125 oC β β ββββ = 10 1 10 100 IC - COLLECTOR CURRENT (mA) 1.0 0.8 0.6 0.4 ) V ( E G A T L O V N O R E T T M E E S A B - I - ) ( N O C B V 0.2 0.1 - 40 oC 25 oC 125 oC VCE = 5V 1 10 100 IC - COLLECTOR CURRENT (mA) Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage vs Collector Current Figure 4. Base-Emitter On Voltage vs Collector Current 100 10 1 0.1 ) A n ( T N E R R U C R O T C E L L O C - O B C I 25 V = 100V CB Between Emitter-Base 220 210 200 190 180 ) V ( E G A T L O V N W O D K A E R B 50 125 ° T - AMBIENT TEMPERATURE ( C) A 100 75 - R E C V B 170 0.1 150 1 10 Ω RESISTANCE (k ) Ω 100 1000 Figure 5. Collector-Cutoff Current vs Ambient Temperature Figure 6. Collector-Emitter Breakdown Voltage with Resistance Between Emitter-Base ©2004 Fairchild Semiconductor Corporation Rev. B1, August 2004 M M B T 5 4 0 1 SOT-23 700 600 500 400 300 200 100 ( I N O T A P S S D R E W O P I f = 1.0 MHz ) W m C eb C cb I - D P Typical Characteristics (Continued) 80 60 40 20 ) F p ( I E C N A T C A P A C 0 0.1 1 10 100 V - REVERSE BIAS VOLTAGE(V) R 0 0 25 75 50 100 TEMPERATURE (oC) 125 150 Figure 7. Input and Output Capacitance vs Reverse Voltage Figure 8. Power Dissipation vs Ambient Temperature ©2004 Fairchild Semiconductor Corporation Rev. B1, August 2004 Package Dimensions SOT-23 M M B T 5 4 0 1 I N M 0 2 . 0 0 1 . 0 ± 0 4 . 2 0.96~1.14 0.03~0.10 0.38 REF 0.12 +0.05 –0.023 0.40 ±0.03 2.90 ±0.10 . 0 6 0 ~ 5 4 . 0 0 1 . 0 ± 0 3 . 1 0.40 ±0.03 F E R 7 9 . 0 0.95 ±0.03 0.95 ±0.03 1.90 ±0.03 0.508REF ©2004 Fairchild Semiconductor Corporation Dimensions in Millimeters Rev. B1, August 2004
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