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    MSB是Most Significant Bit的缩写,最高有效位。在二进制数中,MSB是最高加权位。与十进制数字中最左边的一位类似。通常,MSB位于二进制数的最左侧,LSB位于二进制数的最右侧。 LSB(Least Significant Bit),意为最低有效位;MSB(Most Significant Bit),意为最高有效位,若MSB=1,则表示数据为负值,若MSB=0,则表示数据为正。 布局前的准备:  1         查看捕捉点设置是否正确.08工艺为0.1,06工艺为0.05,05工艺为0.025.  2         Cell名称不能以数字开头.否则无法做DRACULA检查.  3         布局前考虑好出PIN的方向和位置  4         布局前分析电路,完成同一功能的MOS管画在一起  5         对两层金属走向预先订好。一个图中栅的走向尽量一致,不要有横有竖。  6         对pin分类,vdd,vddx注意不要混淆,不同电位(衬底接不同电压)的n井分开.混合信号的电路尤其注意这点.  7         在正确的路径下(一般是进到~/opus)打开icfb.  8         更改cell时查看路径,一定要在正确的library下更改,以防copy过来的cell是在其他的library下,被改错.  9         将不同电位的N井找出来.  10 更改原理图后一定记得check and save 11 完成每个cell后要归原点 12 DEVICE的 个数 是否和原理图一至(有并联的管子时注意);各DEVICE的尺寸是否和原理图一至。一般在拿到原理图之后,会对布局有大概的规划,先画DEVICE,(DIVECE之间不必用最小间距,根据经验考虑连线空间留出空隙)再连线。画DEVICE后从EXTRACTED中看参数检验对错。对每个device器件的各端从什么方向,什么位置与其他物体连线 必须 先有考虑(与经验及floorplan的水平有关). 13 如果一个cell调用其它cell,被调用的cell的vssx,vddx,vssb,vddb如果没有和外层cell连起来,要打上PIN,否则通不过diva检查.尽量在布局低层cell时就连起来。 14 尽量用最上层金属接出PIN。 15 接出去的线拉到cell边缘,布局时记得留出走线空间. 16 金属连线不宜过长; 17 电容一般最后画,在空档处拼凑。 18 小尺寸的mos管孔可以少打一点. 19 LABEL标识元件时不要用y0层,mapfile不认。 20 管子的沟道上尽量不要走线;M2的影响比M1小. 21 电容上下级板的电压注意要均匀分布;电容的长宽不宜相差过大。可以多个电阻并联. 22 多晶硅栅不能两端都打孔连接金属。 23 栅上的孔最好打在栅的中间位置. 24 U形的mos管用整片方形的栅覆盖diff层,不要用layer generation的方法生成U形栅. 25 一般打孔最少打两个 26 Contact面积允许的情况下,能打越多越好,尤其是input/output部分,因为电流较大.但如果contact阻值远大于diffusion则不适用.传导线越宽越好,因为可以减少电阻值,但也增加了电容值. 27 薄氧化层是否有对应的植入层 28 金属连接孔可以嵌在diffusion的孔中间. 29 两段金属连接处重叠的地方注意金属线最小宽度 30 连线接头处一定要重叠,画的时候将该区域放大可避免此错误。 31 摆放各个小CELL时注意不要挤得太近,没有留出走线空间。最后线只能从DEVICE上跨过去。 32 Text2,y0层只是用来做检查或标志用,不用于光刻制造. 33 芯片内部的电源线/地线和ESD上的电源线/地线分开接;数模信号的电源线/地线分开。 34 Pad的pass窗口的尺寸画成整数90um. 35 连接Esd电路的线不能断,如果改变走向不要换金属层 36 Esd电路中无VDDX,VSSX,是VDDB,VSSB. 37 PAD和ESD最好使用M1连接,宽度不小于20um;使用M2连接时,pad上不用打VIA孔,在ESD电路上打。 38 PAD与芯片内部cell的连线要从ESD电路上接过去。 39 Esd电路的SOURCE放两边,DRAIN放中间。 40 ESD的D端的孔到poly的间距为4,S端到poly的间距为^+0.2.防止大电流从D端进来时影响poly. 41 ESD的pmos管与其他ESD或POWER的nmos管至少相距70um以上。 42 大尺寸的pmos/nmos与其他nmos/pmos(非powermos和ESD)的间距不够70um时,但最好不要小于50um,中间加NWELL,打上NTAP. 43 NWELL和PTAP的隔离效果有什么不同?NWELL较深,效果较好. 44 只有esd电路中的管子才可以用2*2um的孔.怎么判断ESD电路?上拉P管的D/G均接VDD,S接PAD;下拉N管的G/S接VSS,D接PAD.P/N管起二极管的作用. 45 摆放ESD时nmos摆在最外缘,pmos在内. 46 关于匹配电路,放大电路不需要和下面的电流源匹配。什么是匹配?使需要匹配的管子所处的光刻环境一样。 匹配分为横向,纵向,和中心匹配。 1221为纵向匹配,12为中心匹配(把上方1转到下方1时,上方2也达到下方2位置) 21中心匹配最佳。 47 尺寸非常小的匹配管子对匹配画法要求不严格.4个以上的匹配管子,局部和整体都匹配的匹配方式最佳. 48 在匹配电路的mos管左右画上dummy,用poly,poly的尺寸与管子尺寸一样,dummy与相邻的第一个poly gate的间距等于poly gate之间的间距. 49 电阻的匹配,例如1,2两电阻需要匹配,仍是1221等方法。电阻dummy两头接地vssx。 50 Via不要打在电阻体,电容(poly)边缘上面. 51 05工艺中resistor层只是做检查用 52 电阻连线处孔越多,各个VIA孔的电阻是并联关系,孔形成的电阻变小. 53 电阻的dummy是保证处于边缘的电阻与其他电阻蚀刻环境一样. 54 电容的匹配,值,接线,位置的匹配。 55 电阻连接fuse的pad的连线要稍宽,因为通过的电流较大.fuse的容丝用最上层金属. 56 关于powermos ① powermos一般接pin,要用足够宽的金属线接, ② 几种缩小面积的画法。 ③ 栅的间距?无要求。栅的长度不能超过100um 57 Power mos要考虑瞬时大电流通过的情况,保证电流到达各处的路径的电阻相差不大.(适应所有存在大电流通过的情况). 58 金属层dummy要和金属走向一致,即如果M2横走,M2的dummy也是横走向 59 低层cell的pin,label等要整齐,and不要删掉以备后用. 60 匹配电路的栅如果横走,之间连接用的金属线会是竖走,用金属一层,和规定的金属走向一致。 61 不同宽度金属连接的影响?整个layout面积较大时影响可忽略. 62 输出端节电容要小.多个管子并联,有一端是输出时注意做到这点. 63 做DRACULA检查时,如果先运行drc,drc检查没有完毕时做了lvs检查,那么drc检查的每一步会比lvs检查的每一步快;反之,lvs会比drc快. 64 最终DRACULA通过之后在layout图中空隙处加上ptap,先用thin-oxid将空隙处填满,再打上孔,金属宽度不要超过10,即一行最多8个孔(06工艺) 65 为防止信号串扰,在两电路间加上PTAP,此PTAP单独连接VSS PAD. 66 金属上走过的电压很大时,为避免尖角放电,拐角处用斜角,不能走90度度的直角. 67 如果w=20,可画成两个w=10mos管并联 68 并联的管子共用端为S端,或D端;串联的管子共用端为s/d端. 出错检查: 69 DEVICE的各端是否都有连线;连线是否正确; 70 完成布局检查时要查看每个接线的地方是否都有连线,特别注意VSSX,VDDX 71 查线时用SHOTS将线高亮显示,便于找出可以合并或是缩短距离的金属线。 72 多个电阻(大于两根)打上DUMMY。保证每根电阻在光刻时所处的环境一样,最外面的电阻的NPIM层要超出EPOLY2  0.55 um,即两根电阻间距的一半。 73 无关的MOS管的THIN要断开,不要连在一起 74 并联的管子注意漏源合并,不要连错线。一个管子的源端也是另一个管子的源端 75 做DRAC检查时最上层的pin的名称用text2标识。Text2的名称要和该pin的名称一样. 76 大CELL不要做DIVA检查,用DRACULE.  77 Text2层要打在最顶层cell里.如果打在pad上,于最顶层调用此PAD,Dracula无法认出此pin. 78 消除电阻dummy的lvs报错,把nimp和RPdummy层移出最边缘的电阻,不要覆盖dummy 79 06工艺中M1最小宽度0.8,如果用0.8的M1拐线,虽然diva的drc不报错,但DRACULE的drc会在拐角处报错.要在拐角处加宽金属线. 80 最后DRACULA的lvs通过,但是drc没有过,每次改正drc错误前可把layout图存成layout1,再改正.以免改错影响lvs不通过,旧版图也被保存下来了. 81 Cell中间的连线尽量在低层cell中连完,不要放在高层cell中连,特别不要在最高层cell中连,因为最高层cell的布局经常会改动,走线容易因为cell的移动变得混乱. 82 DRACULA的drc无法检查出pad必须满足pad到与pad无关的物体间距为10这一规则. 83 做DRACULA检查时开两个窗口,一个用于lvs,一个用于drc.可同时进行,节省时间. 容易犯的错误 84 电阻忘记加dummy 85 使用NS功能后没有复原(选取AS),之后又进行整图移动操作,结果被NS的元件没有移动,图形被破坏. 86 使用strech功能时错选.每次操作时注意看图左下角提示. 87 Op电路中输入放大端的管子的衬底不接vddb/vddx. 88 是否按下capslock键后没有还原就操作 节省面积的途径 89 电源线下面可以画有器件.节省面积. 90 电阻上面可以走线,画电阻的区域可以充分利用。 91 电阻的长度画越长越省面积。 92 走线时金属线宽走最小可以节省面积.并不需要走孔的宽度. 93 做新版本的layout图时,旧图保存,不要改动或删除。减小面积时如果低层CELL的线有与外层CELL相连,可以从更改连线入手,减小走线面积。 94 版图中面积被device,device的间隔和走线空间分割。减小面积一般从走线空间入手,更改FLOORPLAN。 随着漏源电压不断增大,当达到夹断电压时,沟道厚度在漏极处减薄为零,沟道在漏极处消失,该处只剩下耗尽层,这是所谓的夹断;漏源电压继续增大,沟道的夹断点向源极方向运动,那么在沟道和漏极之间就会隔着一段耗尽区,当沟道中的电子到达沟道端头的耗尽区边界时,会立即被耗尽区内的强电场扫入漏区,所以会有电流的存在。由于电子在耗尽区内的飘移速度已达到饱和速度,不再随着电场的增大而增大,所以漏极电流达到饱和。

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