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SoC用混载内存设计技巧

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标签: SoC用混载内存设计技巧

SoC 用混载内存设计技巧影像、音响处理用系统LSI(SoC: System on Chip)的功能提升,造成芯片内部存储器的容量大幅增加,一般认为如果持续使用传统SRAM,未来势必面临芯片面积大型化与消费电力暴增等问题。为彻底改善上述问题,研究人员应用内建内存的优点,配合实际用途积极开发SoC 用混载内存,因此本文要介绍SoC 用混载内存的大容量、低消费电力用DTM(Direct Tunneling Memory)、低消费电力非挥发性内存FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)、高速大容量、非挥发性内存MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)的最新技术动向。发展经纬图 1 是ITRS(International Technology Roadmap of Semiconductor)发表的蓝图(Roadmap)中,有关内存占SoC 芯片面积的比率统计资料。内存的容量随着用途不同,内存的平均使用范围大约占芯片总面积的一半左右。

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