首页资源分类嵌入式处理器其它 > HT66F70A_Datasheet

HT66F70A_Datasheet

已有 445122个资源

下载专区

上传者其他资源

文档信息举报收藏

标    签:HT66F70A

分    享:

文档简介

HT66F70A_Datasheet

文档预览

内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 HT66F60A/HT66F70A 版本 : V1.00 日期 : 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 目录 特性 .................................................................................................................................1 CPU 特性 ............................................................................................................................... 1 周边特性 ................................................................................................................................ 2 概述 .................................................................................................................................3 选型表 .............................................................................................................................3 方框图 .............................................................................................................................4 引脚图 .............................................................................................................................5 引脚说明 .........................................................................................................................8 极限参数 .......................................................................................................................15 直流电气特性 ...............................................................................................................16 交流电气特性 ...............................................................................................................19 ADC 特性......................................................................................................................20 LVD&LVR 电气特性...................................................................................................20 比较器电气特性 ...........................................................................................................21 上电复位特性 ...............................................................................................................21 系统结构 .......................................................................................................................22 时序和流水线结构 .............................................................................................................. 22 程序计数器 ...................................................................................................................23 堆栈 ...................................................................................................................................... 23 算术逻辑单元 – ALU .......................................................................................................... 24 Flash 程序存储器 ........................................................................................................25 结构 ...................................................................................................................................... 25 特殊向量 .............................................................................................................................. 25 查表 ...................................................................................................................................... 26 查表范例 .............................................................................................................................. 26 在线烧录 – ICP .................................................................................................................... 27 片上调试 – OCDS................................................................................................................ 28 在应用编程 – IAP................................................................................................................ 28 在应用编程控制寄存器 ...................................................................................................... 29 Flash 存储器写功能使能步骤............................................................................................. 32 数据存储器 ...................................................................................................................37 结构 ...................................................................................................................................... 37 通用数据存储器 .................................................................................................................. 38 特殊功能数据存储器 .......................................................................................................... 38 特殊功能寄存器 ...........................................................................................................40 间接寻址寄存器 – IAR0, IAR1, IAR2................................................................................ 40 间接寻址指针 – MP0, MP1L, MP1H, MP2L, MP2H......................................................... 40 存储区指针 – BP ................................................................................................................. 41 累加器 – ACC ...................................................................................................................... 41 Rev.1.00 II 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 程序计数器低字节寄存器 – PCL....................................................................................... 42 表格寄存器 – TBLP,TBHP,TBLH................................................................................ 42 状态寄存器 – STATUS........................................................................................................ 42 EEPROM 数据寄存器.................................................................................................44 EEPROM 数据寄存器结构 ................................................................................................. 44 EEPROM 寄存器 ................................................................................................................. 44 从 EEPROM 中读取数据 .................................................................................................... 46 写数据到 EEPROM ............................................................................................................. 46 写保护 .................................................................................................................................. 46 EEPROM 中断 ..................................................................................................................... 46 编程注意事项 ...................................................................................................................... 46 振荡器 ...........................................................................................................................48 振荡器概述 .......................................................................................................................... 48 系统时钟配置 ...................................................................................................................... 48 外部晶体 / 陶瓷振荡器 – HXT........................................................................................... 49 外部 RC 振荡器 – ERC ....................................................................................................... 50 内部 RC 振荡器 – HIRC ..................................................................................................... 50 外部 32.768kHz 晶体振荡器 – LXT................................................................................... 50 LXT 振荡器低功耗功能 ..................................................................................................... 51 内部 32kHz 振荡器 – LIRC ................................................................................................ 51 辅助振荡器 .......................................................................................................................... 52 工作模式和系统时钟 ...................................................................................................52 系统时钟 .............................................................................................................................. 52 系统工作模式 ...................................................................................................................... 53 控制寄存器 .......................................................................................................................... 54 快速唤醒 .............................................................................................................................. 56 工作模式切换和唤醒 ...................................................................................................57 正常模式切换到低速模式 .................................................................................................. 58 低速模式切换到正常模式 .................................................................................................. 59 进入休眠模式 0 ................................................................................................................... 59 进入休眠模式 1 ................................................................................................................... 60 进入空闲模式 0 ................................................................................................................... 60 进入空闲模式 1 ................................................................................................................... 60 静态电流的注意事项 .......................................................................................................... 60 唤醒 ...................................................................................................................................... 61 编程注意事项 ...................................................................................................................... 61 看门狗定时器 ...............................................................................................................62 看门狗定时器时钟源 .......................................................................................................... 62 看门狗定时器控制寄存器 .................................................................................................. 62 看门狗定时器操作 .............................................................................................................. 63 复位和初始化 ...............................................................................................................64 复位功能 .............................................................................................................................. 64 复位初始状态 ...................................................................................................................... 68 Rev. 1.00 III 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 输入 / 输出端口 ............................................................................................................74 上拉电阻 .............................................................................................................................. 75 PA 口唤醒 ........................................................................................................................... 75 输入 / 输出端口控制寄存器 ............................................................................................... 75 引脚共用功能 ...................................................................................................................... 75 引脚共用寄存器 .................................................................................................................. 76 输入 / 输出引脚结构 ........................................................................................................... 89 编程注意事项 ..................................................................................................................... 90 定时器模块 – TM .........................................................................................................90 简介 ..................................................................................................................................... 90 TM 操作 .............................................................................................................................. 91 TM 时钟源 .......................................................................................................................... 91 TM 中断 .............................................................................................................................. 91 TM 外部引脚 ....................................................................................................................... 91 TM 输入 / 输出引脚控制寄存器 ........................................................................................ 92 编程注意事项 ...................................................................................................................... 93 简易型 TM – CTM.......................................................................................................94 简易型 TM 操作 ................................................................................................................. 94 简易型 TM 寄存器介绍 ..................................................................................................... 94 简易型 TM 工作模式 ......................................................................................................... 98 比较匹配输出模式 ............................................................................................................. 98 定时 / 计数器模式 ............................................................................................................ 101 PWM 输出模式 ................................................................................................................. 101 标准型 TM – STM .....................................................................................................104 标准型 TM 操作 ................................................................................................................ 104 标准型 TM 寄存器介绍 ................................................................................................... 105 标准型 TM 工作模式 ....................................................................................................... 108 比较匹配输出模式 ........................................................................................................... 108 定时 / 计数器模式 .............................................................................................................111 PWM 输出模式 ..................................................................................................................111 单脉冲模式 ........................................................................................................................ 114 捕捉输入模式 .................................................................................................................... 116 增强型 TM – ETM..................................................................................................... 117 增强型 TM 操作 ................................................................................................................ 118 增强型 TM 寄存器介绍 ................................................................................................... 118 增强型 TM 工作模式 ....................................................................................................... 124 比较匹配输出模式 ........................................................................................................... 125 定时 / 计数器模式 ............................................................................................................ 130 PWM 输出模式 ................................................................................................................. 130 单脉冲输出模式 ................................................................................................................ 136 捕捉输入模式 .................................................................................................................... 138 Rev.1.00 IV 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 A/D 转换器..................................................................................................................141 A/D 简介 ............................................................................................................................ 141 A/D 转换寄存器介绍 ........................................................................................................ 141 A/D 转换器数据寄存器 – ADRL,ADRH ...................................................................... 142 A/D 转换控制寄存器 – ADCR0, ADCR1, PAS0~PAS3, PES3, PFS0, PHS0.................. 142 A/D 操作 ............................................................................................................................ 145 A/D 输入引脚 .................................................................................................................... 146 A/D 转换步骤 .................................................................................................................... 146 编程注意事项 .................................................................................................................... 147 A/D 转换功能 .................................................................................................................... 147 A/D 转换应用范例 ............................................................................................................ 148 比较器 .........................................................................................................................150 比较器操作 ........................................................................................................................ 150 比较器寄存器 .................................................................................................................... 150 比较器中断 ........................................................................................................................ 152 编程注意事项 .................................................................................................................... 152 串行接口模块 – SIM..................................................................................................153 SPI 接口 ............................................................................................................................. 153 SPI 接口操作 ..................................................................................................................... 153 SPI 寄存器 ......................................................................................................................... 154 SPI 通信 ............................................................................................................................. 157 I2C 接口 .............................................................................................................................. 159 I2C 寄存器 .......................................................................................................................... 160 I2C 总线通信 ...................................................................................................................... 164 I2C 总线起始信号 .............................................................................................................. 164 从机地址 ............................................................................................................................ 165 I2C 总线读 / 写信号........................................................................................................... 165 I2C 总线从机地址确认信号 .............................................................................................. 165 I2C 总线数据和确认信号 .................................................................................................. 165 I2C 溢出控制 ...................................................................................................................... 167 外围时钟输出 .............................................................................................................168 外围时钟操作 .................................................................................................................... 168 外围时钟寄存器 ................................................................................................................ 168 SPIA 串行接口模块 – SPIA ......................................................................................169 SPIA 接口操作................................................................................................................... 169 SPIA 寄存器....................................................................................................................... 170 SPI 通信 ............................................................................................................................. 173 SPIA 使能 / 除能 ............................................................................................................... 175 SPIA 操作........................................................................................................................... 175 错误侦测 ............................................................................................................................ 176 中断 .............................................................................................................................177 中断寄存器 ........................................................................................................................ 177 中断操作 ............................................................................................................................ 188 外部中断 ............................................................................................................................ 189 Rev. 1.00 V 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 比较器中断 ........................................................................................................................ 189 多功能中断 ........................................................................................................................ 189 A/D 转换器中断 ................................................................................................................ 189 时基中断 ............................................................................................................................ 190 串行接口模块中断 ............................................................................................................ 191 SPIA 接口中断................................................................................................................... 192 外部设备中断 .................................................................................................................... 192 EEPROM 中断 ................................................................................................................... 192 LVD 中断 ........................................................................................................................... 192 TM 中断 ............................................................................................................................. 192 中断唤醒功能 .................................................................................................................... 193 编程注意事项 .................................................................................................................... 193 低电压检测 – LVD .....................................................................................................194 LVD 寄存器 ....................................................................................................................... 194 LVD 操作 ........................................................................................................................... 195 带 SCOM 功能的 LCD ..............................................................................................196 LCD 操作 ........................................................................................................................... 196 LCD 偏压控制 ................................................................................................................... 196 配置选项 .....................................................................................................................197 应用电路 .....................................................................................................................197 指令集 .........................................................................................................................198 简介 .................................................................................................................................... 198 指令周期 ............................................................................................................................ 198 数据的传送 ........................................................................................................................ 198 算术运算 ............................................................................................................................ 198 逻辑和移位运算 ................................................................................................................ 198 分支和控制转换 ................................................................................................................ 199 位运算 ................................................................................................................................ 199 查表运算 ............................................................................................................................ 199 其它运算 ............................................................................................................................ 199 指令集概要 .................................................................................................................200 惯例 .................................................................................................................................... 200 扩展指令集 ........................................................................................................................ 203 指令定义 .....................................................................................................................205 扩展指令定义 .................................................................................................................... 217 封装信息 .....................................................................................................................226 48-pin LQFP (7mm×7mm) 外形尺寸................................................................................ 227 64-pin LQFP (7mm×7mm) 外形尺寸................................................................................ 228 Rev.1.00 VI 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 特性 CPU 特性 ● 工作电压: ♦ fSYS=8MHz:2.2V~5.5V ♦ fSYS=12MHz:2.7V~5.5V ♦ fSYS=16MHz:4.5V~5.5V ● VDD=5V,系统时钟为 16MHz 时,指令周期为 0.25μs ● 提供暂停和唤醒功能,以降低功耗 ● 五种振荡模式: ♦ 外部晶振 -- HXT ♦ 外部 32.768kHz 晶振 -- LXT ♦ 外部 RC -- ERC ♦ 内部 RC -- HIRC ♦ 内部 32kHz RC -- LIRC ● 多种工作模式:正常、低速、空闲和休眠 ● 内部集成 8MH 振荡器,无需外接元件 ● 所有指令都可在 1~3 个指令周期内完成 ● 查表指令 ● 114 条指令 ● 多达 16 层堆栈 ● 位操作指令 Rev. 1.00 1 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 周边特性 ● Flash 程序存储:16K×16 ~ 32K×16 ● RAM 数据存储:1024×8 ~ 2048×8 ● EEPROM 存储器:128×8 ● 提供在应用编程功能 ● 看门狗定时器功能 ● 多达 61 个双向 I/O 口 ● 4 个软件控制 SCOM 口 1/2 bias LCD 驱动 ● 多个引脚与外部中断口共用 ● 多个定时器模块用于时间测量、捕捉输入、比较匹配输出、PWM 输出及单脉 冲输出 ● 串行接口模块 -- SIM,用于 SPI 或 I2C 通信 ● 一个串行 SPIA 接口 ● 双比较器功能 ● 双时基功能,可提供固定时间的中断信号 ● 多通道 12 位分辨精度的 A/D 转换器 ● 低电压复位功能 ● 低电压检测功能 ● 多种封装类型 ● Flash 程序存储器烧录可达 100,000 次 ● Flash 程序存储器数据可保存 10 年以上 ● EEPROM 数据存储器烧录可达 1,000,000 次 ● EEPROM 数据存储器数据可保存 10 年以上 Rev.1.00 2 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 概述 HT66Fx0A 系列单片机是一款 A/D 型具有 8 位高性能精简指令集的 Flash 单片 机。该系列单片机具有一系列功能和特性,其 Flash 存储器可多次编程的特性 给用户提供了极大的方便。存储器方面,还包含了一个 RAM 数据存储器和一 个可用于存储序号、校准数据等非易失性数据的 EEPROM 存储器。 在模拟特性方面,这款单片机包含一个多通道 12 位 A/D 转换器和双比较器功 能。还带有多个使用灵活的定时器模块,可提供定时功能、脉冲产生功能及 PWM 产生功能。内建完整的 SPI 和 I2C 功能,为设计者提供了一个易与外部硬 件通信的接口。内部看门狗定时器、低电压复位和低电压检测等内部保护特性, 外加优秀的抗干扰和 ESD 保护性能,确保单片机在恶劣的电磁干扰环境下可靠 地运行。 这款单片机提供了丰富的 HXT、LXT、ERC、HIRC 和 LIRC 振荡器功能选项, 且内建完整的系统振荡器,无需外围元器件。其在不同工作模式之间动态切换 的能力,为用户提供了一个优化单片机操作和减少功耗的手段。 外加时基功能、I/O 使用灵活等其它特性,使这款单片机可以广泛应用于各种 产品中,例如电子测量仪器、环境监控、手持式测量工具、家庭应用、电子控 制工具、马达控制等方面。 选型表 对此系列的芯片而言,大多数的特性参数都是一样的。主要差异在于程序存储 器的容量和数据存储器容量。下表列出了各单片机的主要特性。 型号 ROM RAM EEPROM I/O 外部中断 A/D TM 模块 HT66F60A 16K×16 1024×8 128×8 61 10-bit CTM×2 4 12-bit×12 16-bit STM×3 10-bit ETM×1 HT66F70A 32K×16 2048×8 128×8 61 10-bit CTM×2 4 12-bit×12 16-bit STM×3 10-bit ETM×1 型号 SIM HT66F60A √ HT66F70A √ SPIA √ √ 时基 2 2 比较器 2 2 堆栈 16 16 注:对于有不止一种封装形式的芯片,选型表针对较大的封装的情况。 封装形式 48/64LQFP 48/64LQFP Rev. 1.00 3 2013-03-20 方框图 O C D S /IC P F la s h P ro g ra m M e m o ry EEPRO M D a ta M e m o ry HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Low V o lta g e D e te c t W a tc h d o g T im e r Low V o lta g e R eset 8 - b it R IS C M CU C o re S ta c k R eset C ir c u it In te rru p t C o n tr o lle r E R C /H X T O s c illa to r s RAM D a ta M e m o ry H IR C O s c illa to r L IR C /L X T O s c illa to r 1 2 - B it A /D C o n v e rte r C o m p a ra to rs I/O S IM / S P IA STM s ETM C TM s T im e B ases Rev.1.00 4 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 引脚图 PB6/SDO PA2 PA0 PB5/SCS PA7/SCK/SCL/AN7 PA6/SDI/SDA/AN6 PA5/SDO/AN5/C1X PA4/INT1/TCK1/AN4 PA3/INT0/AN3/C0N PH1/TCK0/AN2/C0P PA1/TP1A/TP1IA/AN1 PH0/TP0/TP0B/AN0/VREF/C0X PF1/AN11/C1P PF0/AN10/C1N PE7/AN9/INT1 PE6/AN8/INT0 VSS VDD PB4/XT2 PB3/XT1 VSS2 PB1/OSC1 PB2/OSC2 PE5/TP3/TP3B 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 1 36 2 35 3 34 4 33 5 32 6 HT66F60A/HT66F70A 31 7 48 LQFP-A 30 8 29 9 28 10 27 11 26 12 25 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 PB7/SDI/SDA PD6/SCK/SCL PD7/SCS PC2/PCK/TCK2/C0X PC3/PINT/TP2/TP2B/TP2I/C1X PC4/INT2/TCK3/TP2/TP2B/TP2I/INT0/PINT PC5/INT3/TP0/TP0B/TP1B/TP1BB/TP1IB/INT1/PCK PD0/TP3/TP3B/SCS/TCK2 PD1/TP2/TP2B/TP2I/SDO/SCK/SCL PD2/SDI/SDA/TCK0 PD3/TP3/TP3B/SDO/SCK/SCL/TCK1 PD4/TP2/TP2B/TP2I PD5/TP0/TP0B PC6/SCOM2/TP0/TP0B PC7/SCOM3/TP1A/TP1IA PC1/TP1B/TP1BB/TP1IB/SCOM1 PC0/TP1B/TP1BB/TP1IB/SCOM0 PE0/SCSA/INT0 PE1/SCKA/INT1 PE2/SDIA/INT2 PE3/SDOA/TCK3 PF2 PE4/TP1B/TP1BB/TP1IB PB0/RES HT66F60A/HT66F70A 48LQFP-A Rev. 1.00 5 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 PH4/SDIA PA2 PA0 PH3/SCKA PH2/SCSA PG7/TP5/TP5B/TP5I PG6/TP5/TP5B/TP5I PG5/TCK5 PB5/SCS PA7/SCK/SCL/AN7 PA6/SDI/SDA/AN6 PA5/SDO/AN5/C1X PA4/INT1/TCK1/AN4 PA3/INT0/AN3/C0N PH1/TCK0/AN2/C0P PA1/TP1A/TP1IA/AN1 PH0/TP0/TP0B/AN0/VREF/C0X PF1/AN11/C1P PF0/AN10/C1N PE7/AN9/INT1 PE6/AN8/INT0 PF6 VSS VDD PB4/XT2 PB3/XT1 VSS2 PB1/OSC1 PB2/OSC2 PF4 PF3 PE5/TP3/TP3B 64 63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51 50 49 1 48 2 47 3 46 4 45 5 44 6 43 7 42 8 41 HT66F60A/HT66F70A 9 64 LQFP-A 40 10 39 11 38 12 37 13 36 14 35 15 34 16 33 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 PH5/SDOA PB6/SDO PB7/SDI/SDA PD6/SCK/SCL PD7/SCS PC2/PCK/TCK2/C0X PC3/PINT/TP2/TP2B/TP2I/C1X PC4/INT2/TCK3/TP2/TP2B/TP2I/INT0/PINT PC5/INT3/TP0/TP0B/TP1B/TP1BB/TP1IB/INT1/PCK PD0/TP3/TP3B/SCS/TCK2 PD1/TP2/TP2B/TP2I/SDO/SCK/SCL PD2/SDI/SDA/TCK0 PD3/TP3/TP3B/SDO/SCK/SCL/TCK1 PG2/TCK4 PG3/TP4/TP4B/TP4I PG4/TP4/TP4B/TP4I PD4/TP2/TP2B/TP2I PD5/TP0/TP0B PG1/C1X PG0/C0X PC6/SCOM2/TP0/TP0B PC7/SCOM3/TP1A/TP1IA PC1/TP1B/TP1BB/TP1IB/SCOM1 PC0/TP1B/TP1BB/TP1IB/SCOM0 PE0/SCSA/INT0 PE1/SCKA/INT1 PE2/SDIA/INT2 PE3/SDOA/TCK3 PF2 PF5 PE4/TP1B/TP1BB/TP1IB PB0/RES HT66F60A/HT66F70A 64LQFP-A Rev.1.00 6 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 PH4/SDIA ICPCK/OCDSCK ICPDA/OCDSDA PH3/SCKA PH2/SCSA PG7/TP5/TP5B/TP5I PG6/TP5/TP5B/TP5I PG5/TCK5 PB5/SCS PA7/SCK/SCL/AN7 PA6/SDI/SDA/AN6 PA5/SDO/AN5/C1X PA4/INT1/TCK1/AN4 PA3/INT0/AN3/C0N PH1/TCK0/AN2/C0P PA1/TP1A/TP1IA/AN1 PH0/TP0/TP0B/AN0/VREF/C0X PF1/AN11/C1P PF0/AN10/C1N PE7/AN9/INT1 PE6/AN8/INT0 PF6 VSS VDD PB4/XT2 PB3/XT1 VSS2 PB1/OSC1 PB2/OSC2 PF4 PF3 PE5/TP3/TP3B 64 63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51 50 49 1 48 2 47 3 46 4 45 5 44 6 43 7 42 8 HT66V70A 41 9 64 LQFP-A 40 10 39 11 38 12 37 13 36 14 35 15 34 16 33 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 PH5/SDOA PB6/SDO PB7/SDI/SDA PD6/SCK/SCL PD7/SCS PC2/PCK/TCK2/C0X PC3/PINT/TP2/TP2B/TP2I/C1X PC4/INT2/TCK3/TP2/TP2B/TP2I/INT0/PINT PC5/INT3/TP0/TP0B/TP1B/TP1BB/TP1IB/INT1/PCK PD0/TP3/TP3B/SCS/TCK2 PD1/TP2/TP2B/TP2I/SDO/SCK/SCL PD2/SDI/SDA/TCK0 PD3/TP3/TP3B/SDO/SCK/SCL/TCK1 PG2/TCK4 PG3/TP4/TP4B/TP4I PG4/TP4/TP4B/TP4I PD4/TP2/TP2B/TP2I PD5/TP0/TP0B PG1/C1X PG0/C0X PC6/SCOM2/TP0/TP0B PC7/SCOM3/TP1A/TP1IA PC1/TP1B/TP1BB/TP1IB/SCOM1 PC0/TP1B/TP1BB/TP1IB/SCOM0 PE0/SCSA/INT0 PE1/SCKA/INT1 PE2/SDIA/INT2 PE3/SDOA/TCK3 PF2 PF5 PE4/TP1B/TP1BB/TP1IB PB0/RES HT66V70A 64LQFP-A 注:1. 若共用脚同时有多种输出,引脚共用功能除了由配置选项决定外,还可由相关的软件控制位决定。 2. HT66V70A 是 HT66Fx0A 系列单片机的 EV 芯片。支持“片上调试”功能,在开发过程中,通过 OCDSDA 和 OCDSCK 连接至 Holtek HT-IDE 开发工具进行调试。 Rev. 1.00 7 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 引脚说明 引脚名称 PA0/ICPDA/ OCDSDA PA1/TP1A/ TP1IA/AN1 PA2/ICPCK/ OCDSCK PA3/INT0/ AN3/C0N PA4/INT1/ TCK1/AN4 PA5/SDO/ AN5/C1X 功能 OPT I/T O/T 说明 PA0 PAPU PAWU ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 和唤醒功能 ICPDA — ST CMOS ICP 数据 / 地址 OCDSDA — ST CMOS OCDS 数据 / 地址,仅用于 EV 芯片 PA1 PAPU PAWU PAS0 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 和唤醒功能 TP1A PAS0 — CMOS TM1 A 输出 TP1IA IFS2 AN — TM1 A 输入 AN1 PAS0 ST — A/D 转换器模拟输入 PA2 PAPU PAWU ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 和唤醒功能 ICPCK — ST CMOS ICP 时钟引脚 OCDSCK — ST — OCDS 时钟引脚,仅用于 EV 芯片 PA3 PAPU PAWU ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 和唤醒功能 PAS1 INTEG INT0 INTC0 ST IFS0 — 外部中断 0 AN3 PAS1 AN — A/D 转换器模拟输入 C0N PAS1 AN — 比较器 0 反相输入 PA4 PAPU PAWU PAS2 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 和唤醒功能 INTEG INT1 INTC0 ST IFS0 — 外部中断 1 TCK1 IFS1 ST — TM1 输入 AN4 PAS1 AN — A/D 转换器模拟输入 PA5 PAPU PAWU PAS2 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 和唤醒功能 SDO PAS2 — CMOS SPI 数据输出 AN5 PAS2 AN — A/D 转换器模拟输入 C1X PAS2 — CMOS 比较器 1 输出 Rev.1.00 8 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 引脚名称 PA6/SDI/ SDA/AN6 PA7/SCK/ SCL/AN7 PB0/RES PB1/OSC1 PB2/OSC2 PB3/XT1 PB4/XT2 PB5/SCS PB6/SDO PB7/SDI/SDA 功能 PA6 SDI SDA AN6 PA7 SCK SCL AN7 PB0 RES PB1 OSC1 PB2 OSC2 PB3 XT1 PB4 XT2 PB5 SCS PB6 SDO PB7 SDI SDA OPT PAPU PAWU PAS3 PAS3 IFS4 PAS3 IFS4 PAS3 PAPU PAWU PAS3 PAS3 IFS4 PAS3 IFS4 PAS3 PBPU CO PBPU CO PBPU CO PBPU CO PBPU CO PBPU PBS2 PBS2 IFS4 PBPU PBS3 PBS3 PBPU PBS3 PBS3 IFS4 PBS3 IFS4 I/T ST ST ST AN ST ST ST AN ST ST ST HXT ST — ST LXT ST — ST ST ST — ST ST ST O/T 说明 CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 和唤醒功能 — SPI 数据输入 NMOS I2C 数据线 — A/D 转换器模拟输入 CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 和唤醒功能 CMOS SPI 串行时钟 NMOS I2C 时钟线 — A/D 转换器模拟输入 CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 — 复位引脚 CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 — HXT/ERC 振荡器引脚 &EC 模式输入脚 CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 HXT HXT 振荡器引脚 CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 — LXT 振荡器引脚 CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 LXT LXT 振荡器引脚 CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 CMOS SPI 从机选择 CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置唤醒功能 CMOS SPI 数据输出 CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 — SPI 数据输入 NMOS I2C 数据线 Rev. 1.00 9 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 引脚名称 功能 OPT I/T O/T 说明 PC0/TP1B/ TP1BB/ TP1IB/SCOM0 PC0 TP1B TP1BB TP1IB PCPU PCS0 PCS0 PCS0 IFS2 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 — CMOS TM1 B 输出 — CMOS TM1 B 反相输出 ST — TM1 B 输入 SCOM0 PCS0 — SCOM LCD COM 输出 PC1/TP1B/ TP1BB/TP1IB/ SCOM1 PC1 TP1B TP1BB TP1IB PCPU PCS0 PCS0 PCS0 IFS2 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 — CMOS TM1 B 输出 — CMOS TM1 反相 B 输出 ST — TM1 B 输入 SCOM1 PCS0 — SCOM LCD COM 输出 PC2/PCK/ TCK2/C0X PC2 PCK TCK2 PCPU PCS1 PCS1 IFS1 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 — CMOS 外围时钟输出 ST — TM2 输入 C0X PCS1 — CMOS 比较器 0 输出 PC3 PCPU PCS1 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 PC3/PINT/TP2/ TP2B/TP2I/C1X PINT TP2 TP2B IFS0 PCS1 PCS1 ST — 外围中断 — CMOS TM2 输出 — CMOS TM2 反相输出 TP2I IFS2 ST — TM2 输入 C1X PCS1 — CMOS 比较器 1 输出 PC4 PCPU PCS2 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 PC4/INT2/ TCK3/TP2/ TP2B/TP2I/ INT0/PINT INTEG INT2 INTC3 ST IFS0 — 外部中断 2 TCK3 IFS1 ST — TM3 输入 TP2 PCS1 — CMOS TM2 输出 TP2B PCS1 — CMOS TM2 反相输出 TP2I IFS2 ST — TM2 输入 INTEG INT0 INTC0 ST IFS0 — 外部中断 0 PINT IFS0 ST — 外围中断 Rev.1.00 10 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 引脚名称 功能 OPT I/T O/T 说明 PC5 PCPU PCS2 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 INT3 INTEG INTC3 ST — 外部中断 3 PC5/INT3/TP0/ TP0B/TP1B/ TP1BB/TP1IB/ INT1/PCK TP0 TP0B TP1B TP1BB TP1IB PCS2 PCS2 PCS2 PCS2 IFS2 — CMOS TM0 输出 — CMOS TM0 反相输出 — CMOS TM1 B 输出 — CMOS TM1 反相 B 输出 ST — TM1 B 输入 INTEG INT1 INTC0 ST IFS0 — 外部中断 1 PCK PCS2 — CMOS 外围时钟输出 PC6/SCOM2/ TP0/TP0B PC6 SCOM2 TP0 PCPU PCS3 PCS3 PCS3 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 — SCOM LCD COM 输出 — CMOS TM0 输出 TP0B PCS3 — CMOS TM0 反相输出 PC7/SCOM3/ TP1A/TP1IA PC7 SCOM3 TP1A PCPU PCS3 PCS3 PCS3 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 — SCOM LCD COM 输出 — CMOS TM1 A 输出 TP1IA IFS2 ST — TM1 A 输入 PD0 PDPU PDS0 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 PD0/TP3/TP3B/ SCS/TCK2 TP3 TP3B SCS PDS0 PDS0 PDS0 IFS4 — CMOS TM3 输出 — CMOS TM3 反相输出 ST CMOS SPI 从机选择 TCK2 IFS1 ST — TM2 输入 PD1 PDPU PDS0 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 TP2 PDS0 — CMOS TM2 输出 PD1/TP2/TP2B/ TP2I/SDO/SCK/ /SCL TP2B TP2I SDO SCK PDS0 IFS2 PDS0 PDS0 IFS4 — CMOS TM2 反相输出 ST — TM2 输入 — CMOS SPI 数据输出 ST CMOS SPI 串行时钟 SCL PDS0 IFS4 ST NMOS I2C 时钟线 Rev. 1.00 11 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 引脚名称 功能 OPT I/T O/T 说明 PD2 PDPU PDS1 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 PD2/SDI/SDA/ TCK0 SDI SDA PDS1 IFS4 PDS1 IFS4 ST — SPI 数据输入 ST NMOS I2C 数据线 TCK0 IFS1 ST — TM0 输入 PD3 PDPU PDS1 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 TP3 PDS1 — CMOS TM3 输出 PD3/TP3/TP3B/ SDO/SCK//SCL/ TCK1 TP3B SDO SCK PDS1 PDS1 PDS1 IFS4 — CMOS TM3 反相输出 — CMOS SPI 数据输出 ST CMOS SPI 串行时钟 SCL PDS1 IFS4 ST NMOS I2C 时钟线 TCK1 IFS1 ST — TM1 输入 PD4/TP2/TP2B/ TP2I PD4 TP2 TP2B PDPU PDS2 PDS2 PDS2 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 — CMOS TM2 输出 — — TM2 反相输出 TP2I IFS2 ST CMOS TM2 输入 PD5/TP0/TP0B PD5 PDPU PDS2 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 TP0 PDS2 — CMOS TM0 输出 TP0B PDS2 — CMOS TM0 反相输出 PD6 PDPU PDS3 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 PD6/SCK/SCL SCK PDS3 IFS4 ST CMOS SPI 串行时钟 SCL PDS3 IFS4 ST CMOS I2C 时钟线 PD7/SCS PD7 PDPU PDS3 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 SCS PDS3 IFS4 ST CMOS SPI 从机选择 PE0 PEPU PES0 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 PE0/SCSA/INT0 SCSA PES0 IFS5 ST CMOS SPIA 从机选择 INTEG INT0 INTC0 ST IFS0 — 外部中断 0 Rev.1.00 12 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 引脚名称 功能 OPT I/T O/T 说明 PE1 PEPU PES0 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 PE1/SCKA/INT1 SCKA PES0 IFS5 ST CMOS SPIA 从机选择 INTEG INT1 INTC0 ST IFS0 — 外部中断 1 PE2 PEPU PES1 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 PE2/SDIA/INT2 SDIA IFS5 ST CMOS SPIA 串行时钟 INTEG INT2 INTC3 ST IFS0 — 外部中断 2 PE3/SDOA/ TCK3 PE3 SDOA PEPU PES1 PES1 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 ST CMOS SPIA 串行时钟 TCK3 IFS1 ST — TM3 输入 PE4/TP1B/ TP1BB/TP1IB PE4 TP1B TP1BB PEPU PES2 PES2 PES2 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 — CMOS TM1 B 输出 — CMOS TM1 反相 B 输出 TP1IB IFS2 ST — TM1 B 输入 PE5/TP3/TP3B PE5 PEPU PES2 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 TP3 PES2 — CMOS TM3 输出 TP3B PES2 — CMOS TM3 反相输出 PE6 PEPU PES3 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 PE6/AN8/INT0 AN8 PES3 AN INTEG INT0 INTC0 ST IFS0 — A/D 转换器模拟输入 — 外部中断 0 PE7 PEPU PES3 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 PE7/AN9/INT1 AN9 PES3 AN INTEG INT1 INTC0 ST IFS0 — A/D 转换器模拟输入 — 外部中断 1 PF0/AN10/C1N PF0 AN10 PFPU PFS0 PFS0 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 AN — A/D 转换器模拟输入 C1N PFS0 AN — 比较器 1 反相输入 Rev. 1.00 13 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 引脚名称 功能 OPT I/T O/T 说明 PF1/AN11/C1P PF1 AN11 PFPU PFS0 PFS0 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 AN — A/D 转换器模拟输入 C1P PFS0 AN — 比较器 1 正相输入 PF2~PF6 PFn PFPU ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 PG0/C0X PG0 PGPU PGS0 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 C0X PGS0 — CMOS 比较器 0 输出 PG1/C1X PG1 PGPU PGS0 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 C1X PGS0 — CMOS 比较器 1 输出 PG2/TCK4 PG2 PGPU PGS0 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 TCK4 — ST — TM4 输入 PG3/TP4/ TP4B/TP4I PG3 TP4 TP4B PGPU PGS1 PGS1 PGS1 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 — CMOS TM4 输出 — CMOS TM4 反相输出 TP4I IFS3 ST — TM4 输入 PG4/TP4/ TP4B/TP4I PG4 TP4 TP4B PGPU PGS2 PGS2 PGS2 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 — CMOS TM4 输出 — CMOS TM4 反相输出 TP4I IFS3 ST — TM4 输入 PG5/TCK5 PG5 PGPU ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 TCK5 — ST — TM5 输入 PG6/TP5/ TP5B/TP5I PG6 TP5 TP5B PGPU PGS3 PGS3 PGS3 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 — CMOS TM5 输出 — CMOS TM5 反相输出 TP5I IFS3 ST — TM5 输入 PG7/TP5/ TP5B/TP5I PG7 TP5 TP5B PGPU PGS3 PGS3 PGS3 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 — CMOS TM5 输出 — CMOS TM5 反相输出 TP5I IFS3 ST — TM5 输入 PH0 PHPU PHS0 ST CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 PH0/TP0/TP0B/ AN0/VREF/C0X TP0 TP0B AN0 PHS0 PHS0 PHS0 — CMOS TM0 输出 — CMOS TM0 反相输出 AN — A/D 转换器模拟输入 VREF PHS0 AN — A/D 转换器参考电压输入 C0X PHS0 — CMOS 比较器 0 输出 Rev.1.00 14 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 引脚名称 PH1/TCK0/ AN2/C0P PH2/SCSA PH3/SCKA PH4/SDIA PH5/SDOA VDD VSS VSS2 功能 PH1 TCK0 AN2 C0P PH2 SCSA PH3 SCKA PH4 SDIA PH5 SDIA VDD VSS VSS2 OPT PHPU PHS0 IFS1 PHS0 PHS0 PHPU PHS1 PHS1 IFS5 PHPU PHS1 PHS1 IFS5 PHPU IFS5 PHPU PHS2 PHS2 — — — I/T ST ST AN AN ST ST ST ST ST ST ST ST PWR PWR PWR O/T 说明 CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 — TM0 输入 — A/D 转换器模拟输入 — 比较器 0 正相输入 CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 CMOS SPIA 从机选择 CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 CMOS SPIA 串行时钟 CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 CMOS SPIA 串行数据输入 CMOS 通用 I/O 口,可通过寄存器设置上拉电阻 CMOS SPIA 串行数据输出 — 正电源 — 负电源、接地 — I/O Pad 电源、接地 注:I/T:输入类型; O/T:输出类型 OPT:通过配置选项(CO)或寄存器选项来设置 PWR:电源; CO:配置选项; ST:斯密特触发输入 CMOS:CMOS 输出; NMOS:NMOS 输出 HXT:高速晶体振荡器 LXT:低速晶体振荡器 极限参数 电源供应电压 ................................................................................VSS-0.3V~VSS+6.0V 输入电压 ........................................................................................VSS-0.3V~VDD+0.3V 储存温度 ...................................................................................................-50˚C~125˚C 工作温度 .....................................................................................................-40˚C~85˚C IOH 总电流 ........................................................................................................... -80mA IOL 总电流..............................................................................................................80mA 总功耗 ................................................................................................................500mW 注: 这 里 只 强 调 额 定 功 率, 超 过 极 限 参 数 所 规 定 的 范 围 将 对 芯 片 造 成 损 害, 无    法 预 期 芯 片 在 上 述 标 示 范 围 外 的 工 作 状 态, 而 且 若 长 期 在 标 示 范 围 外 的 条   件下工作,可能影响芯片的可靠性。 Rev. 1.00 15 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 直流电气特性 符号 参数 VDD1 工作电压 (HXT) VDD2 工作电压 (ERC) VDD3 工作电压 (HIRC) 工作电流 IDD1 (HXT, fSYS=fH, fS=fSUB=fLXT 或 fLIRC) 工作电流 IDD2 (ERC, fSYS=fH, fS=fSUB=fLXT 或 fLIRC) 工作电流 IDD3 (HIRC, fSYS=fH, fS=fSUB=fLXT 或 fLIRC) 测试条件 VDD 条件 fSYS=8MHz — fSYS=12MHz fSYS=16MHz fSYS=6MHz — fSYS=8MHz fSYS=12MHz — fSYS=4/8MHz 3V 无负载,fH=8MHz, 5V ADC off,WDT 使能 3V 无负载,fH=10MHz, 5V ADC off,WDT 使能 3V 无负载,fH=12MHz, 5V ADC off,WDT 使能 5V 无负载,fH=16MHz, ADC off,WDT 使能 3V 无负载,fH=6MHz, 5V ADC off,WDT 使能 3V 无负载,fH=8MHz, 5V ADC off,WDT 使能 5V 无负载,fH=12MHz, ADC off,WDT 使能 3V 无负载,fH=4MHz, 5V ADC off,WDT 使能 3V 无负载,fH=8MHz, 5V ADC off,WDT 使能 Ta=25˚C 最小 典型 最大 单位 2.2 — 5.5 V 2.7 — 5.5 V 4.5 — 5.5 V 2.2 — 5.5 V 2.7 — 5.5 V 4.5 — 5.5 V 2.2 — 5.5 V — 1.0 1.5 mA — 2.5 4.0 mA — 1.2 2.0 mA — 2.8 4.5 mA — 1.5 2.5 mA — 3.5 5.5 mA — 4.5 7.0 mA — 0.9 1.5 mA — 2.0 3.0 mA — 1.2 2.0 mA — 2.8 4.5 mA — 4.0 6.0 mA — 0.7 1.2 mA — 1.5 2.5 mA — 1.2 2.0 mA — 2.8 4.5 mA Rev.1.00 16 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 符号 参数 工作电流 IDD4 (HXT, fSYS=fL, fS=fSUB=fLXT 或 fLIRC) 工作电流 IDD5 (LXT, fSYS=fL=fLXT, fS=fSUB=fLXT) IDD6 ISTB1 ISTB2 ISTB3 ISTB4 ISTB5 ISTB6 工作电流 (LIRC,fSYS=fL=fLIRC, fS=fSUB=fLIRC) IDLE1 模式静态电流 (HXT,fSYS=fH, fS=fSUB=fLXT 或 fLIRC) IDLE0 模式静态电流 (HXT,fSYS off, fS=fSUB=fLXT 或 fLIRC) IDLE0 模式静态电流 (ERC,fSYS off, fS=fSUB=fLXT) IDLE0 模式静态电流 (HIRC,fSYS off, fS=fSUB=fLIRC) IDLE1 模式静态电流 (HXT,fSYS=fL, fS=fSUB=fLXT 或 fLIRC) IDLE0 模式静态电流 (HXT,fSYS off, fS=fSUB=fLXT 或 fLIRC) 测试条件 VDD 条件 最小 3V 无负载, — fH=12MHz,fL=fH/2, 5V ADC off,WDT 使能 — 3V 无负载, — fH=12MHz,fL=fH/4, 5V ADC off,WDT 使能 — 3V 无负载, — fH=12MHz,fL=fH/8 5V ADC off,WDT 使能 — 3V 无负载, — fH=12MHz,fL=fH/16 5V ADC off,WDT 使能 — 3V 无负载, — fH=12MHz,fL=fH/32 5V ADC off,WDT 使能 — 3V 无负载, — fH=12MHz,fL=fH/64 5V ADC off,WDT 使能 — 3V 无负载,ADC off, — WDT 使能,LXTLP=0, 5V LVD&LVR 除能 — 3V 无负载,ADC off, — WDT 使能,LXTLP=1, 5V LVD&LVR 除能 — 3V 无负载, — ADC off,WDT 使能, 5V LVD&LVR 除能 — 3V 无负载, — HALT,ADC off, 5V WDT 使能,fSYS=12MHz — 3V 无负载, — HALT,ADC off, 5V WDT 使能,fSYS=12MHz — 3V 无负载, — HALT,ADC off, 5V WDT 使能,fSYS=12MHz — 3V 无负载, — HALT,ADC off, 5V WDT 使能,fSYS=8MHz — 3V 无负载, — HALT,ADC off, 5V WDT 使能,fSYS=12MHz/64 — 3V 无负载, — HALT,ADC off, 5V WDT 使能,fSYS=12MHz/64 — 典型 0.9 2.1 0.6 1.6 0.48 1.2 0.42 1.1 0.38 1.0 0.36 1.0 10 30 10 30 10 30 0.6 1.2 1.3 2.2 1.3 2.2 1.3 2.2 0.34 0.85 1.3 2.2 最大 单位 1.5 mA 3.3 mA 1.0 mA 2.5 mA 0.8 mA 2.0 mA 0.7 mA 1.7 mA 0.6 mA 1.5 mA 0.55 mA 1.5 mA 20 μA 50 μA 20 μA 50 μA 20 μA 50 μA 1.0 mA 2.0 mA 3.0 μA 5.0 μA 3.0 μA 5.0 μA 3.0 μA 5.0 μA 0.6 mA 1.2 mA 3.0 μA 5.0 μA Rev. 1.00 17 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 符号 参数 测试条件 VDD 条件 最小 典型 最大 单位 ISTB7 IDLE1 模式静态电流 (LXT,fSYS=fL=fLXT, fS=fSUB=fLXT) 3V 无负载,HALT, ADC off,WDT 使能, 5V fSYS=32768Hz,LXTLP=1 — 1.9 4.0 μA — 3.3 7.0 μA ISTB8 IDLE0 模式静态电流 (LXT,fSYS off, fS=fSUB=fLXT) 3V 无负载,HALT, ADC off,WDT 使能, 5V fSYS=32768Hz,LXTLP=1 — 1.3 3.0 μA — 2.2 5.0 μA ISTB9 IDLE0 模式静态电流 (LIRC,fSYS off, fS=fSUB=fLIRC) 3V 无负载, HALT,ADC off, 5V WDT 使能,fSYS=32kHz — 1.3 3.0 μA — 2.2 5.0 μA ISTB10 SLEEP0 模式静态电流 (HXT,fSYS off, fS=fSUB=fLXT 或 fLIRC) 3V 无负载, HALT,ADC off, 5V WDT 除能,fSYS=12MHz — 0.1 1.0 μA — 0.3 2.0 μA ISTB11 SLEEP1 模式静态电流 (HXT,fSYS off, fS=fSUB=fLXT) 3V 无负载, HALT,ADC off, 5V WDT 使能,fSYS=12MHz — 1.3 5.0 μA — 2.2 10.0 μA ISTB12 SLEEP1 模式静态电流 (HXT,fSYS off, fS=fSUB=fLIRC) 3V 无负载, HALT,ADC off, 5V WDT 使能,fSYS=12MHz — 1.3 5.0 μA — 2.2 10.0 μA SLEEP0 模式静态电流 3V 无负载, — 0.1 1.0 μA ISTB13 (LXT,fSYS off, HALT,ADC off, fS=fSUB=fLXT 或 fLIRC) 5V WDT 除能,fSYS=32768Hz — 0.3 2.0 μA SLEEP1 模式静态电流 3V 无负载, — 1.3 5.0 μA ISTB14 (LXT,fSYS off, HALT,ADC off, fS=fSUB=fLXT) 5V WDT 使能,fSYS=32768Hz — 2.2 10.0 μA 无负载, ISTB15 SLEEP 模式静态电流 (HXT,fSYS off, fS=fSUB=fLXT 或 fLIRC) — HALT,ADC off, — WDT 除能,fSYS=12MHz, LVR 使能且 LVDEN=1 60 90 μA VIL1 RES 脚以外的输入 / 输 出口低电平输入电压 5 — — 0 — 1.5 V 0 — 0.2VDD V VIH1 RES 脚以外的输入 / 输 出口高电平输入电压 5 — 3.5 — 5 V — 0.8VDD — VDD V VIL2 低电平输入电压 (RES) — — 0 — 0.4VDD V VIH2 高电平输入电压 (RES) — — 0.9VDD — VDD V VSCOM 用于 LCD COM 的 VDD/2 电压 2.5V~ 5.5V 无负载 0.475 0.500 0.525 VDD IOL 输入 / 输出口灌电流 3V VOL=0.1VDD 5V VOL=0.1VDD 4 8 — mA 10 20 — mA IOH 输入 / 输出口源电流 3V VOH=0.9VDD 5V VOH=0.9VDD -2 -4 — mA -5 -10 — mA 3V — RPH 输入 / 输出口上拉电阻 5V — 20 60 100 kΩ 10 30 50 kΩ Rev.1.00 18 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 交流电气特性 符号 参数 fSYS1 系统时钟 (HXT) fSYS2 系统时钟 (ERC) fSYS3 系统时钟 (HIRC) fSYS4 系统时钟 (LXT) fSYS5 系统时钟 (LIRC) tTIMER TCKn 和定时器捕捉输入 脉宽 tRES 外部复位低电平脉宽 tINT 中断脉宽 系统启动时间 ( 从 HALT 中唤醒, HALT 状态下 fSYS 关闭, 低速模式→正常模式, tSST 正常模式→低速模式 ) 系统启动时间 ( 从 HALT 中唤醒, HALT 状态下 fSYS 开启 ) 系统启动时间 ( 复位 ) 系统复位延迟时间 ( 上电复位,LVR 复位, LVRC 软件复位, tRSTD WDTC 软件复位 ) 系统复位延迟时间 (RES 复位, 正常模式下 WDT 复位 ) tEERD EEPROM 读周期 tEEWR EEPROM 写周期 注:tSYS=1/fSYS 测试条件 VDD 条件 2.2V~5.5V — 2.7V~5.5V 4.5V~5.5V 5V Ta=25˚C,RERC=120kΩ 5V Ta=25˚C — — 5V Ta=25˚C Ta=25˚C 最小 典型 最大 单位 0.4 — 8 MHz 0.4 — 12 MHz 0.4 — 16 MHz -2% 8 +2% MHz -2% 8 +2% MHz — 32768 — Hz -3% 32 +3% kHz — — 0.3 — — μs — — 10 — — — 10 — fSYS=HXT 或 LXT ( 低速模式→正常模式 (HXT), 1024 — 正常模式→低速模式 (LXT)) fSYS=HXT 或 LXT — ( 从 HALT 中唤醒, HALT 状态下 fSYS 关闭 ) 1024 — fSYS=ERC 或 HIRC 16 — fSYS=LIRC 2— — μs — μs — — — tSYS — — — 2 —— — — 1024 — — — — 25 50 100 ms — — 8.3 16.7 33.3 ms — — — — 1 2 4 tSYS 1 2 4 ms Rev. 1.00 19 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 ADC 特性 符号 参数 VADI VREF DNL INL A/D 输入电压 A/D 参考电压 A/D 非线性微分误差 A/D 非线性积分误差 IADC 打开 A/D 增加的功耗 tADCK tADC tADS tON2ST A/D 时钟周期 A/D 转换时间 ( 包括 A/D 采样和保持时间 ) A/D 采样时间 A/D On-to-Start 时间 Ta=25˚C 测试条件 VDD 条件 最小值 典型值 最大值 单位 — — 0 — VREF V — — 2 — AVDD V 5V tADCK=0.5μs -3 — +3 LSB 5V tADCK=0.5μs -4 — +4 LSB 3V 无负载,tADCK=0.5μs — 1.0 2.0 mA 5V 无负载,tADCK=0.5μs — 1.5 3.0 mA — — 0.5 — 100 μs — 12-bit ADC — 16 — tADCK — — — — — 4 — tADCK 2 — — μs LVD&LVR 电气特性 符号 参数 测试条件 VDD 条件 LVR 使能,选择 2.10V VLVR 低电压复位电压 LVR 使能,选择 2.55V — LVR 使能,选择 3.15V LVR 使能,选择 3.80V LVDEN=1,VLVD=2.0V LVDEN=1,VLVD=2.2V LVDEN=1,VLVD=2.4V VLVD 低电压检测电压 — LVDEN=1,VLVD=2.7V LVDEN=1,VLVD=3.0V LVDEN=1,VLVD=3.3V LVDEN=1,VLVD=3.6V LVDEN=1,VLVD=4.0V VBG 1.25V 参考电压 — — IBG 使用 1.25V 参考电压的额外功耗 — — ILVR 使用 LVR 的额外功耗 3V LVR 除能→ LVR 使能 5V ILVD 使用 LVD 的额外功耗 3V LVD 除能→ LVD 使能 5V (LVR 除能 ) 3V LVD 除能→ LVD 使能 5V (LVR 使能 ) tBGS VBG 打开稳定时间 — — tLVR 低电压复位时间 — — Ta=25˚C 最小 典型 最大 单位 2.1 V 2.55 V -5% +5% 3.15 V 3.80 V 2.0 V 2.2 V 2.4 V 2.7 V -5% +5% 3.0 V 3.3 V 3.6 V 4.0 V -3% 1.25 +3% V — 200 300 μA — 30 45 μA — 60 90 μA — 40 60 μA — 75 115 μA — 30 45 μA — 60 90 μA 10 — — ms 120 — 480 μs Rev.1.00 20 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 符号 参数 tLVD 低电压中断时间 tLVDS LVDO 稳定时间 tSRESET 软件复位时间 测试条件 VDD 条件 最小 典型 最大 单位 — — 20 45 90 μs — LVR 使能,LVD off → on 15 — — μs — LVR 除能,LVD off → on 15 — — μs — — 45 90 120 μA 比较器电气特性 Ta=25˚C 符号 参数 VCMP 比较器工作电压 ICMP 比较器工作电流 测试条件 VDD 条件 — — 3V — 5V — 最小 典型 2.2 — — 50 — 85 最大 5.5 75 130 单位 V μA μA VCMPOS 比较器输入失调电压 VHYS 迟滞宽度 VCM 比较器共模电压范围 AOL 比较器开环增益 tPD 比较器响应时间 — — — — — — — — 3V 100mV 偏置(注) 5V -10 — +10 mV 20 40 60 mV VSS — VDD-1.4V V 60 80 — dB — 200 400 ns 注:测量方式为:当一只输入脚的输入电压为 VCM=(VDD-1.4)/2 时,另一只输入脚的输入电压从 VSS 到 (VCM+100mV) 或从 VDD 到 (VCM-100mV) 转变。 上电复位特性 符号 参数 测试条件 VDD 条件 VPOR 上电复位电压 — — RRVDD 上电复位电压速率 — — tPOR VDD 保持为 VPOR 的最小时间 — — 最小 — 0.035 1 典型 — — — Ta=25˚C 最大 单位 100 mV — V/ms — ms Rev. 1.00 21 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 系统结构 内部系统结构是盛群单片机具有良好性能的主要因素。由于采用 RISC 结构, 此系列单片机具有高运算速度和高性能的特点。通过流水线的方式,指令的取 得和执行同时进行,此举使得除了跳转和调用指令外,其它指令都能在一个指 令周期内完成。8 位 ALU 参与指令集中所有的运算,它可完成算术运算、逻辑 运算、移位、递增、递减和分支等功能,而内部的数据路径则是以通过累加器 和 ALU 的方式加以简化。有些寄存器在数据存储器中被实现,且可以直接或间 接寻址。简单的寄存器寻址方式和结构特性,确保了在提供具有最大可靠度和 灵活性的 I/O 和 A/D 控制系统时,仅需要少数的外部器件。使得这些单片机适 用于低成本和批量生产的控制应用。 时序和流水线结构 主 系 统 时 钟 由 HXT,LXT,HIRC,LIRC 或 ERC 振 荡 器 提 供, 它 被 细 分 为 T1~T4 四个内部产生的非重叠时序。在 T1 时间,程序计数器自动加一并抓取 一条新的指令。剩下的时间 T2~T4 完成译码和执行功能,因此,一个 T1~T4 时 钟周期构成一个指令周期。虽然指令的抓取和执行发生在连续的指令周期,但 单片机流水线结构会保证指令在一个指令周期内被有效执行。除非程序计数器 的内容被改变,如子程序的调用或跳转,在这种情况下指令将需要多一个指令 周期的时间去执行。 fS Y S ( S y s te m C lo c k ) P h a s e C lo c k T 1 P h a s e C lo c k T 2 P h a s e C lo c k T 3 P h a s e C lo c k T 4 P ro g ra m C o u n te r PC PC +1 PC +2 P ip e lin in g F e tc h In s t. (P C ) E x e c u te In s t. (P C -1 ) F e tc h In s t. (P C + 1 ) E x e c u te In s t. (P C ) F e tc h In s t. (P C + 2 ) E x e c u te In s t. (P C + 1 ) 系统时序和流水线 如果指令牵涉到分支,例如跳转或调用等指令,则需要两个指令周期才能完成 指令执行。需要一个额外周期的原因是程序先用一个周期取出实际要跳转或调 用的地址,再用另一个周期去实际执行分支动作,因此用户需要特别考虑额外 周期的问题,尤其是在执行时间要求较严格的时候。 1 M O V A ,[1 2 H ] 2 C A LL D E LA Y 3 C P L [1 2 H ] 4 : 5 : 6 D E LA Y : N O P F e tc h In s t. 1 E x e c u te In s t. 1 F e tc h In s t. 2 E x e c u te In s t. 2 F e tc h In s t. 3 F lu s h P ip e lin e F e tc h In s t. 6 E x e c u te In s t. 6 F e tc h In s t. 7 指令捕捉 Rev.1.00 22 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 程序计数器 在程序执行期间,程序计数器用来指向下一个要执行的指令地址。除了 “JMP” 和“CALL”指令需要跳转到一个非连续的程序存储器地址之外,它会在每条 指令执行完成以后自动加一。选择不同型号的单片机,程序寄存器的宽度会因 程序存储器的容量的不同而不同。只有较低的 8 位,即所谓的程序计数器低字 节寄存器 PCL,可以被用户直接读写。 当执行的指令要求跳转到不连续的地址时,如跳转指令、子程序调用、中断或 复位等,单片机通过加载所需要的位址到程序寄存器来控制程序,对于条件跳 转指令,一旦条件符合,在当前指令执行时取得的下一条指令将会被舍弃,而 由一个空指令周期来取代。 单片机型号 HT66F60A HT66F70A 程序计数器 程序计数器高字节 PCL 寄存器 PC13~PC8 PC14~PC8 PCL7~PCL0 程序计数器 程序计数器的低字节,即程序计数器的低字节寄存器 PCL,可以通过程序控制, 且它是可以读取和写入的寄存器。通过直接写入数据到这个寄存器,一个程序 短跳转可直接执行,然而只有低字节的操作是有效的,跳转被限制在存储器的 当前页中,即 256 个存储器地址范围内,当这样一个程序跳转要执行时,会插 入一个空指令周期。PCL 的使用可能引起程序跳转,因此需要额外的指令周期。 堆栈 堆栈是一个特殊的存储空间,用来存储程序计数器中的内容。各单片机有不同 的堆栈层数,堆栈既不是数据部分也不是程序空间部分,而且它既不是可读取 也不是可写入的。当前层由堆栈指针 (SP) 加以指示,同样也是不可读写的。在 子程序调用或中断响应服务时,程序计数器的内容被压入到堆栈中。当子程序 或中断响应结束时,返回指令 (RET 或 RETI) 使程序计数器从堆栈中重新得到 它以前的值。当一个芯片复位后,堆栈指针将指向堆栈顶部。 P ro g ra m C o u n te r T o p o f S ta c k S ta c k P o in te r S ta c k L e v e l 1 S ta c k L e v e l 2 S ta c k L e v e l 3 P ro g ra m M e m o ry B o tto m o f S ta c k S ta c k L e v e l 1 6 如果堆栈已满,且有非屏蔽的中断发生,中断请求标志会被置位,但中断响应 将被禁止。当堆栈指针减少 ( 执行 RET 或 RETI),中断将被响应。这个特性提 供程序设计者简单的方法来预防堆栈溢出。然而即使堆栈已满,CALL 指令仍 然可以被执行,而造成堆栈溢出。使用时应避免堆栈溢出的情况发生,因为这 可能导致不可预期的程序分支指令执行错误。 若堆栈溢出,则首个存入堆栈的程序计数器数据将会丢失。 Rev. 1.00 23 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 算术逻辑单元 – ALU 算术逻辑单元是单片机中很重要的部分,执行指令集中的算术和逻辑运算。 ALU 连接到单片机的数据总线,在接收相关的指令码后执行需要的算术与逻辑 操作,并将结果存储在指定的寄存器,当 ALU 计算或操作时,可能导致进位、 借位或其它状态的改变,而相关的状态寄存器会因此更新内容以显示这些改变, ALU 所提供的功能如下: ● 算术运算: ADD,ADDM,ADC,ADCM,SUB,SUBM,SBC,SBCM,DAA, LADD,LADDM,LADC,LADCM,LSUB,LSUBM,LSBC,LSBCM, LDAA ● 逻辑运算: AND,OR,XOR,ANDM,ORM,XORM,CPL,CPLA,LAND,LOR, LXOR,LANDM,LORM,LXORM,LCPL,LCPLA ● 移位运算: RRA,RR,RRCA,RRC,RLA,RL,RLCA,RLC,LRRA,LRR, LRRCA,LRRC,LRLA,LRL,LRLCA,LRLC ● 递增和递减: INCA,INC,DECA,DEC,LINCA,LINC,LDECA,LDEC ● 分支判断: JMP,CALL,RET,RETI,SZ,SZA,SNZ,SIZ,SDZ,SIZA,SDZA, LSZ,LSZA,LSNZ,LSIZ,LSDZ,LSIZA,LSDZA Rev.1.00 24 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Flash 程序存储器 程序存储器用来存放用户代码即储存程序。程序存储器为 FLASH 类型意味着 可以多次重复编程,方便用户使用同一芯片进行程序的修改。使用适当的单片 机编程工具,此系列所有单片机提供用户灵活便利的调试方法和项目开发规划 及更新。 结构 程序存储器的容量为 16K×16 位到 32K×16 位,程序存储器用程序计数器来寻 址,其中也包含数据、表格和中断入口。数据表格可以设定在程序存储器的任 何地址,由表格指针来寻址。 单片机型号 HT66F60A HT66F70A 容量 16K×16 32K×16 Banks 0~1 0~3 该 系 列 单 片 机 程 序 存 储 器 分 为 两 个 或 四 个 Bank, 分 别 为 Bank 0~Bank 1 或 Bank 0~Bank 3。通过所选单片机 BP 寄存器的 Bit 0 或 Bit 0~1 位选择所需要的 Bank。 特殊向量 程序存储器内部某些地址保留用做诸如复位和中断入口等特殊用途。地址 000H 是芯片复位后的程序起始地址。在芯片复位之后,程序将跳到这个地址并开始 执行。 0000H 0004H 0038H HT66F60A HT66F70A Reset Reset Interrupt Vector Interrupt Vector 1FFFH 2000H 3FFFH 16 bits Bank 1 4000H 5FFFH 6000H 7FFFH 16 bits Bank 1 Bank 2 Bank 3 程序存储器结构 Rev. 1.00 25 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 查表 程序存储器中的任何地址都可以定义成一个表格,以便储存固定的数据。使用 表格时,表格指针必须先行设定,其方式是将表格的地址放在表格指针寄存器 TBLP 和 TBHP 中。这些寄存器定义表格总的地址。 在设定完表格指针后,当数据存储器 [m] 位于当前页,表格数据可以使用 “TABRD [m]”或“TABRDL [m]”指令分别从程序存储器查表读取。如果存 储器 [m] 位于其他页,表格数据可以使用“LTABRD [m]”或“LTABRDL [m]” 指令分别从程序存储器查表读取。当这些指令执行时,程序存储器中表格数据 低字节,将被传送到使用者所指定的数据存储器 [m],程序存储器中表格数据 的高字节,则被传送到 TBLH 特殊寄存器。 下图是查表中寻址 / 数据流程: 查表范例 以下范例说明表格指针和表格数据如何被定义和执行。这个例子使用的表格数 据用 ORG 伪指令储存在存储器中。HT66F60A 中 ORG 指令的值“3F00H”指 向的地址是 16K 程序存储器中最后一页的起始地址。表格指针的初始值设为 06H,这可保证从数据表格读取的第一笔数据位于程序存储器地址 3F06H,即 最后一页起始地址后的第六个地址。值得注意的是,假如“TABRD [m]”指令 被使用,则表格指针指向当前页。在这个例子中,表格数据的高字节等于零, 而当“TABRD [m]”指令被执行时,此值将会自动的被传送到 TBLH 寄存器。 Rev.1.00 26 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 表格读取程序举例 tempreg1 db ? ; temporary register #1 tempreg2 db ? ; temporary register #2 : : mov a,06h ; initialise low table pointer - note that this address ; is referenced mov tblp,a ; to the last page or present page : : tabrd tempreg1 ; transfers value in table referenced by table pointer ; data at program memory address “3F06H” transferred to ; tempreg1 and TBLH dec tblp ; reduce value of table pointer by one tabrd tempreg2 ; transfers value in table referenced by table pointer ; data at program memory address “3F05H” transferred to ; tempreg2 and TBLH in this example the data “1AH” is ; transferred to tempreg1 and data “0FH” to register ; tempreg2 while the value “00H” will be transferred to ; the high byte register TBLH : : org 3F00h ; sets initial address of last page dc 00Ah, 00Bh, 00Ch, 00Dh, 00Eh, 00Fh, 01Ah, 01Bh : : TBLH 寄存器为只读寄存器,不能重新储存,若主程序和中断服务程序都使用 表格读取指令,应该注意它的保护。使用表格读取指令,中断服务程序可能会 改变 TBLH 的值,若随后在主程序中再次使用这个值,则会发生错误,因此建 议避免同时使用表格读取指令。然而在某些情况下,如果同时使用表格读取指 令是不可避免的,则在执行任何主程序的表格读取指令前,中断应该先除能, 另外要注意的是所有与表格相关的指令,都需要两个指令周期去完成操作。 在线烧录 – ICP Flash 型 MCU 便于用户对同一芯片进行程序的更新和修改。 另外,HOLTEK 单片机提供 4 线接口的在线烧录方式。用户可将进行过编程或 未经过编程的单片机芯片连同电路板一起制成,最后阶段进行程序的更新和程 序的烧写,在无需去除或重新插入芯片的情况下方便地保持程序为最新版。 Holtek 烧录器引脚 ICPDA ICPCK VDD VSS MCU 在线烧录引脚 PA0 PA2 VDD VSS 引脚描述 串行数据 串行时钟 电源 地 芯片内部程序存储器和 EEPROM 存储器都可以通过 4 线的接口在线进行烧录。 其中 PA0 用于数据串行下载或上传、PA2 用于串行时钟、两条用于提供电源。 芯片在线烧录的详细使用说明超出此文档的描述范围,将由专门的参考文献提 供。 在烧录过程中,用户必须控制 ICPDA 和 ICPCK 脚进行数据和时钟烧录,以确 保这两个引脚没有连接至其它输出脚。 Rev. 1.00 27 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 W r ite r C o n n e c to r S ig n a ls W r ite r _ V D D IC P D A IC P C K W r ite r _ V S S M C U P r o g r a m m in g P in s VDD PA0 PA2 VSS ** T o o th e r C ir c u it 注:* 可能为电阻或电容。若为电阻则其值必须大于 1kΩ,若为电容则其必须小于 1nF。 片上调试 – OCDS EV 芯片 HT66V70A 用于 HT66Fx0A 系列单片机仿真。此 EV 芯片 HT66V70A 提供片上调试功能 (OCDS) 用于开发过程中的 HT66Fx0A 系列单片机调试。除 了片上调试功能和封装类型,HT66Fx0A 和 HT66V70A 在功能上几乎是兼容的。 用户可将 OCDSDA 和 OCDSCK 引脚连接至 Holtek HT-IDE 开发工具,从而实 现 HT66V70A 对 HT66Fx0A 系列单片机的仿真。OCDSDA 引脚为 OCDS 数据 / 地址输入 / 输出脚,OCDSCK 引脚为 OCDS 时钟输入脚。当用户用 EV 芯片 HT66V70A 进行调试时,HT66Fx0A 系列单片机 OCDSDA 和 OCDSCK 引脚上 的其它共用功能对 EV 芯片 HT66V70A 无效。这两个 OCDS 引脚与 ICP 引脚共 用,因此在线烧录时仍用作 Flash 存储器烧录引脚。关于 OCDS 功能的详细描 述,参考“Holtek e-Link for 8-bit MCU OCDS User's Guide”文档。 Holteke-Link 引脚 OCDSDA OCDSCK VDD GND EV 芯片引脚 OCDSDA OCDSCK VDD VSS 引脚描述 支持片上调试数据 / 地址输入 / 输出 支持片上调试时钟输入 电源 地 在应用编程 – IAP 单片机提供 IAP 功能来对 Flash ROM 进行数据和程序更新。用户可自行定义 IAP ROM 地址,但是用户在使用 IAP 功能时必须注意几个特点。 ● 擦除页:64 个字 / 页 ● 写:64 个字 / 次 ● 读:1 个字 / 次 Rev.1.00 28 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 在应用编程控制寄存器 位 于 数 据 存 储 器 Section 0 的 地 址 寄 存 器 FARL/FARH 和 数 据 寄 存 器 FD0L/ FD0H、FD1L/FD1H、FD2L/FD2H 和 FD3L/FD3H, 以 及 位 于 数 据 存 储 器 Section 1 的控制寄存器 FC0、FC1 和 FC2,都是与 IAP 相关的 Flash 存取寄存 器。由于间接寻址是存取 FC0、FC1 和 FC2 寄存器的唯一方式,因此所有与这 些寄存器相关的读写操作必须使用间接寻址寄存器 IAR1,和一对存储器指针 MP1L、MP1H 来执行。由于 FC0、FC1 和 FC2 控制寄存器位于地址 43H~45H 数据存储器 Section 1 中,位于 43H 到 45H 地址范围的值必须首先被写入 MP1L 存储器指针低字节,且“01”值也被写入 MP1H 存储器指针高字节。 FC0 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name CFWEN FMOD2 FMOD1 FMOD0 FWPEN FWT FRDEN FRD R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR 0 1 1 1 0 0 0 0 Bit 7 Bit 6~4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 CFWEN:Flash 存储器写使能控制位 0:Flash 存储器写功能除能 1:Flash 存储器写功能已被成功使能 当此位由应用程序清零后,Flash 存储器写功能除能。注意,此位写“1”则会 导致无效操作。此位被用来说明 Flash 存储器写功能状态。当此位由硬件置为 “1”时,就意味着 Flash 存储器写功能已经成功使能,否则此位为“0”,该功 能除能。 FMOD2~FMOD0:模式选择 000:写程序存储器 001:页擦除程序存储器 010:保留位 011:读程序存储器 100:保留位 101:保留位 110:FWEN 模式—Flash 存储器写功能使能模式 111:保留位 FWPEN:Flash 存储器写步骤使能控制 0:除能 1:使能 当此位置为“1”且 FMOD2~FMOD0 为“110”时,IAP 控制器将执行“Flash 存储器写功能使能”步骤。一旦 Flash 存储器写功能成功使能,无需再设置 FWPEN 位。 FWT:Flash ROM 写控制位 0:不初始化 Flash 存储器写或 Flash 存储器写过程已完成 1:初始化 Flash 存储器写过程 当 Flash 存储器写过程完成,此位由软件置“1”,由硬件清零。 FRDEN:Flash 存储器读控制位 0:Flash 存储器读除能 1:Flash 存储器读使能 FRD:Flash 存储器读控制位 0:不初始化 Flash 存储器读或 Flash 存储器读过程已完成 1:初始化 Flash 存储器读过程 当 Flash 存储器读过程完成,此位由软件置“1”,由硬件清零。 Rev. 1.00 29 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 FC1 寄存器 Bit 7 Name D7 R/W R POR 0 6 5 4 3 2 1 0 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7~0 55H:整个芯片复位 当用户写“55H”到该寄存器,将产生一个复位信号将整个单片机复位。 FC2 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name — — — — — — — CLWB R/W — — — — — — — R/W POR — — — — — — — 0 Bit 7~1 Bit 0 未使用,读为“0” CLWB:Flash 存储器写缓冲清除控制位 0:不初始化写缓冲区清除或写缓冲清除过程已完成 1:初始化写缓冲区清除过程 当写缓冲区清除过程完成,此位由软件置“1”,由硬件清零。 FARL 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR 0 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7~0 Flash 存储器地址 [7:0] FARH 寄存器 Bit 7 Name — R/W — POR — 6 5 4 3 2 1 0 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7 Bit 6~0 未使用,读为“0” Flash 存储器地址 [14:8] FD0L 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR 0 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7~0 第一个 Flash 存储器数据 [7:0] Rev.1.00 30 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 FD0H 寄存器 Bit 7 6 5 4 Name D15 D14 D13 D12 R/W R/W R/W R/W R/W POR 0 0 0 0 Bit 7~0 第一个 Flash 存储器数据 [15:8] FD1L 寄存器 Bit 7 6 5 4 Name D7 D6 D5 D4 R/W R/W R/W R/W R/W POR 0 0 0 0 Bit 7~0 第二个 Flash 存储器数据 [7:0] FD1H 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~0 7 6 5 4 D15 D14 D13 D12 R/W R/W R/W R/W 0 0 0 0 第二个 Flash 存储器数据 [15:8] FD2L 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~0 7 6 5 4 D7 D6 D5 D4 R/W R/W R/W R/W 0 0 0 0 第三个 Flash 存储器数据 [7:0] FD2H 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~0 7 6 5 4 D15 D14 D13 D12 R/W R/W R/W R/W 0 0 0 0 第三个 Flash 存储器数据 [15:8] FD3L 寄存器 Bit 7 6 5 4 Name D7 D6 D5 D4 R/W R/W R/W R/W R/W POR 0 0 0 0 Bit 7~0 第四个 Flash 存储器数据 [7:0] 3 D11 R/W 0 3 D3 R/W 0 3 D11 R/W 0 3 D3 R/W 0 3 D11 R/W 0 3 D3 R/W 0 2 D10 R/W 0 2 D2 R/W 0 2 D10 R/W 0 2 D2 R/W 0 2 D10 R/W 0 2 D2 R/W 0 1 D9 R/W 0 1 D1 R/W 0 1 D9 R/W 0 1 D1 R/W 0 1 D9 R/W 0 1 D1 R/W 0 0 D8 R/W 0 0 D0 R/W 0 0 D8 R/W 0 0 D0 R/W 0 0 D8 R/W 0 0 D0 R/W 0 Rev. 1.00 31 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 FD3H 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name D15 D14 D13 D12 D11 D10 D9 D8 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR 0 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7~0 第四个 Flash 存储器数据 [15:8] Flash 存储器写功能使能步骤 为使用户可以通过 IAP 控制寄存器来更改 Flash 存储器数据,用户必须首先使 能 Flash 存储器写操作,步骤如下: ● 写“110”到 FMOD2~FMOD0 位,选择 FWEN 模式。 ● FWPEN 置为“1”。步骤 1 和步骤 2 可同时执行。 ● 模 式 数 据 序 列 00H、04H、0DH、09H、C3H 和 40H 必 须 分 别 写 入 寄 存 器 FD1L、FD1H、FD2L、FD2H、FD3L 和 FD3H。 ● 用户写正确的模式数据至 FD1L/FD1H~FD3L/FD3H 寄存器对时,溢出周期为 300µs 的计数器将进行有效计时。计数器时钟来自 LIRC 振荡器。 ● 如果计数器溢出或模式数据不正确,Flash 存储器写操作不被使能且用户必须 再次重复以上步骤。FWPEN 位将自动由硬件清零。 ● 如果计数器溢出前模式数据正确,Flash 存储器写操作将使能且 FPWEN 位将 自动由硬件清零。CFWEN 位也由硬件置为“1”,表明 Flash 存储器写操作 成功使能。 ● 一旦 Flash 存储器写操作使能,用户可通过 Flash 控制寄存器更改 Flash ROM 数据。 ● 用户可以清零 CFWEN 位来除能 Flash 存储器写操作。 Rev.1.00 32 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Flash Memory Write Function Enable Procedure Set FMOD [2:0] =110 & FWPEN=1 →Select FWEN mode & Start Flash write Hardware activate a counter Wrtie the following pattern to Flash Data registers FD1L= 00h , FD1H = 04h FD2L= 0Dh , FD2H = 09h FD3L= C3h , FD3H = 40h Is pattern is correct ? yes Is counter overflow ? no no FWPEN=0 ? yes CFWEN = 1 no FWPEN=0 & yes CFWEN=0 Failed Success END Flash 存储器写功能使能步骤 Rev. 1.00 33 2013-03-20 Rev.1.00 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Write Flash Memory Flash Memory Write Function Enable Procedure Set Page Erase address: FARH/FARL Set FMOD [2:0]=001 & FWT=1 → Select “Page Erase mode” & Initiate write operation no FWT=0 ? yes Set FMOD [2:0]=000 → Select “Write Flash Mode” Set Page Erase address: FARH/FARL Write data to data register: FD0L/FD0H no Page data write finish ? yes Set FWT=1 no FWT=0 ? yes no Write Finish ? yes Clear CFWEN=0 END 写 Flash 存储器步骤 34 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 擦除页 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 : : 252 253 254 255 : : 508 509 510 511 FARH 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0001 0000 0001 0000 0001 0000 0001 0000 0010 0000 0010 : : 0011 1111 0011 1111 0011 1111 0011 1111 : : 0111 1111 0111 1111 0111 1111 0111 1111 FARL[7:6] 00 01 10 11 00 01 10 11 00 01 : : 00 01 10 11 : : 00 01 10 11 备注 FARL[5:0] 不相关 注:HT66F60A 单片机中有 256 个 IAP 擦除页,HT66F70A 单片机中有 512 个 IAP 擦除页。 Rev. 1.00 35 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Read Flash Memory Set FMOD [2:0]=011 & FRDEN=1 Set Flash Address registers FAH=xxh, FAL=xxh Set FRD=1 no FRD=0 ? yes Read data value: FD0L=xxh, FD0H=xxh no Read Finish ? yes Clear FWEN bit END 读 Flash 存储器步骤 注:当 FWT 或 FRD 位置为“1”,单片机停止工作。 Rev.1.00 36 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 数据存储器 数据存储器是内容可更改的 8 位 RAM 内部存储器,用来储存临时数据。 数据存储器分为两个区,第一部分是特殊功能数据存储器。这些寄存器有固定 的地址且与单片机的正确操作密切相关。大多特殊功能寄存器都可在程序控制 下直接读取和写入,但有些被加以保护而不对用户开放。第二部分数据存储器 是做一般用途使用,都可在程序控制下进行读取和写入。 结构 数据存储器被分为几个 Section,都位于 8 位存储器中。每个数据存储器 Section 分为两类,特殊功能数据存储器和通用数据存储器。 所有单片机的特殊功能数据存储器起始地址为“00H”,而通用数据存储器起 始地址为“80H”。位于数据存储器地址“00H”到“3FH”的特殊功能寄存器 可在所有 Section 被访问,但“40H”到“FFH”地址的特殊功能寄存器却只能 在 Section 1 中被访问到。 单片机型号 HT66F60A 容量 1024×8 HT66F70A 2048×8 Sections 0: 80H~FFH 1: 80H~FFH : : 7: 80H~FFH 0: 80H~FFH 1: 80H~FFH : : 15: 80H~FFH 00H Special Purpose Data Memory 7FH 80H General Purpose Data Memory Section 0 40H in section 1 FFH in section 1 FFH Section 0 Section 1 Section 2 Section N N=7 for HT66F60A; N=15 for HT66F70A 数据存储器结构 Rev. 1.00 37 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 通用数据存储器 所有的单片机程序需要一个读 / 写的存储区,让临时数据可以被储存和再使用, 该 RAM 区域就是通用数据存储器。这个数据存储区可让使用者进行读取和写 入的操作。使用位操作指令可对个别的位做置位或复位的操作,极大地方便了 用户在数据存储器内进行位操作。 特殊功能数据存储器 这个区域的数据存储器是存放特殊寄存器的,这些寄存器与单片机的正确操作 密切相关,大多数的寄存器可进行读取和写入,只有一些是被写保护而只能读 取的,相关细节的介绍请参看有关特殊功能寄存器的部分。要注意的是,任何 读取指令对存储器中未定义的地址进行读取将返回“00H”。 Rev.1.00 38 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 00H 01H 02H 03H 04H 05H 06H 07H 08H 09H 0AH 0BH 0CH 0DH 0EH 0FH 10H 11H 12H 13H 14H 15H 16H 17H 18H 19H 1AH 1BH 1CH 1DH 1EH   1FH 20H 21H 22H 23H 24H 25H 26H 27H 28H 29H 2AH 2BH 2CH 2DH 2EH 2FH 30H 31H 32H 33H 34H 35H 36H 37H 38H 39H 3AH 3BH 3CH 3DH 3EH 3FH Section 0~7 IAR0 MP0 IAR1 MP1L MP1H ACC PCL TBLP TBLH TBHP STATUS BP IAR2 MP2L MP2H Unused PAWU PAPU PA PAC Unused PBPU PB PBC Unused PCPU PC PCC Unused PDPU PD PDC Unused PEPU PE PEC Unused PFPU PF PFC Unused PGPU PG PGC Unused PHPU PH PHC INTC0 INTC1 INTC2 INTC3 MFI0 MFI1 MFI2 MFI3 MFI4 INTEG SMOD SMOD1 LVRC LVDC WDTC SMOD2 Section 0, 2~7 40H Unused 41H EEA 42H EED 43H Unused 44H Unused 45H Unused 46H CP0C 47H CP1C 48H TM1C0 49H TM1C1 4AH TM1C2 4BH TM1DL 4CH TM1DH 4DH TM1AL 4EH TM1AH 4FH TM1BL 50H TM1BH 51H TM2C0 52H TM2C1 53H TM2DL 54H TM2DH 55H TM2AL 56H TM2AH 57H TM2RP 58H TM3C0 59H TM3C1 5AH TM3DL 5BH TM3DH 5CH TM3AL 5DH TM3AH 5EH TM0C0 5FH TM0C1 60H TM0DL 61H TM0DH 62H TM0AL 63H TM0AH 64H PSC0 65H TBC0 66H TBC1 67H PSC1 68H ADCR0 69H ADCR1 6AH ADRL 6BH ADRH 6CH SIMC0 6DH SIMC1 6EH SIMD 6FH SIMC2/SIMA 70H I2CTOC 71H SPIAC0 72H SPIAC1 73H SPIAD 74H FARL 75H FARH 76H FD0L 77H FD0H 78H FD1L 79H FD1H 7AH FD2L 7BH FD2H 7CH FD3L 7DH FD3H 7EH TBC2 7FH SCOMC Section 1 EEC Unused Unused FC0 FC1 FC2 Unused Unused IFS0 IFS1 IFS2 IFS3 IFS4 IFS5 Unused Unused TM4C0 TM4C1 TM4DL TM4DH TM4AL TM4AH TM4RP TM5C0 TM5C1 TM5DL TM5DH TM5AL TM5AH TM5RP Unused Unused PAS0 PAS1 PAS2 PAS3 Unused Unused PBS2 PBS3 PCS0 PCS1 PCS2 PCS3 PDS0 PDS1 PDS2 PDS3 PES0 PES1 PES2 PES3 PFS0 Unused Unused Unused PGS0 PGS1 PGS2 PGS3 PHS0 PHS1 PHS2 Unused : Unused, read as 00H HT66F60A 特殊功能数据存储器 HT66F60A Special Purpose Data Memory 00H 01H 02H 03H 04H 05H 06H 07H 08H 09H 0AH 0BH 0CH 0DH 0EH 0FH 10H 11H 12H 13H 14H 15H 16H 17H 18H 19H 1AH 1BH 1CH 1DH 1EH 1FH 20H 21H 22H 23H 24H 25H 26H 27H 28H 29H 2AH 2BH 2CH 2DH 2EH 2FH 30H 31H 32H 33H 34H 35H 36H 37H 38H 39H 3AH 3BH 3CH 3DH 3EH 3FH Section 0~15 IAR0 MP0 IAR1 MP1L MP1H ACC PCL TBLP TBLH TBHP STATUS BP IAR2 MP2L MP2H Unused PAWU PAPU PA PAC Unused PBPU PB PBC Unused PCPU PC PCC Unused PDPU PD PDC Unused PEPU PE PEC Unused PFPU PF PFC Unused PGPU PG PGC Unused PHPU PH PHC INTC0 INTC1 INTC2 INTC3 MFI0 MFI1 MFI2 MFI3 MFI4 INTEG SMOD SMOD1 LVRC LVDC WDTC SMOD2 Section 0, 2~15 40H Unused 41H EEA 42H EED 43H Unused 44H Unused 45H Unused 46H CP0C 47H CP1C 48H TM1C0 49H TM1C1 4AH TM1C2 4BH TM1DL 4CH TM1DH 4DH TM1AL 4EH TM1AH 4FH TM1BL 50H TM1BH 51H TM2C0 52H TM2C1 53H TM2DL 54H TM2DH 55H TM2AL 56H TM2AH 57H TM2RP 58H TM3C0 59H TM3C1 5AH TM3DL 5BH TM3DH 5CH TM3AL 5DH TM3AH 5EH TM0C0 5FH TM0C1 60H TM0DL 61H TM0DH 62H TM0AL 63H TM0AH 64H PSC0 65H TBC0 66H TBC1 67H PSC1 68H ADCR0 69H ADCR1 6AH ADRL 6BH ADRH 6CH SIMC0 6DH SIMC1 6EH SIMD 6FH SIMC2/SIMA 70H I2CTOC 71H SPIAC0 72H SPIAC1 73H SPIAD 74H FARL 75H FARH 76H FD0L 77H FD0H 78H FD1L 79H FD1H 7AH FD2L 7BH FD2H 7CH FD3L 7DH FD3H 7EH TBC2 7FH SCOMC Section 1 EEC Unused Unused FC0 FC1 FC2 Unused Unused IFS0 IFS1 IFS2 IFS3 IFS4 IFS5 Unused Unused TM4C0 TM4C1 TM4DL TM4DH TM4AL TM4AH TM4RP TM5C0 TM5C1 TM5DL TM5DH TM5AL TM5AH TM5RP Unused Unused PAS0 PAS1 PAS2 PAS3 Unused Unused PBS2 PBS3 PCS0 PCS1 PCS2 PCS3 PDS0 PDS1 PDS2 PDS3 PES0 PES1 PES2 PES3 PFS0 Unused Unused Unused PGS0 PGS1 PGS2 PGS3 PHS0 PHS1 PHS2 Unused : Unused, read as 00H HT66F70A 特殊功能数据存储器 HT66F70A Special Purpose Data Memory Rev. 1.00 39 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 特殊功能寄存器 大部分特殊功能寄存器的细节将在相关功能章节描述,但有几个寄存器需在此 章节单独描述。 间接寻址寄存器 – IAR0, IAR1, IAR2 间接寻址寄存器 IAR0、IAR1 和 IAR2 的地址虽位于数据存储区,但其并没有 实际的物理地址。间接寻址的方法准许使用间接寻址寄存器和存储器指针做数 据操作,以取代定义实际存储器地址的直接存储器寻址方法。在间接寻址寄存 器 IAR0、IAR1 和 IAR2 上的任何动作,将对间接寻址指针 MP0、MP1L/MP1H 或 MP2L/MP2H 所指定的存储器地址产生对应的读 / 写操作。它们总是成对 出 现,IAR0 和 MP0 可 以 访 问 Section 0, 而 IAR1 和 MP1L/MP1H、IAR2 和 MP2L/MP2H 可以访问任何时间存储器 Section。因为这些间接寻址寄存器不是 实际存在的,直接读取将返回“00H”的结果,而直接写入此寄存器则不做任 何操作。 间接寻址指针 – MP0, MP1L, MP1H, MP2L, MP2H 该 系 列 单 片 机 提 供 五 个 间 接 寻 址 指 针, 即 MP0、MP1L、MP1H、MP2L 和 MP2H。由于这些指针在数据存储器中能像普通的寄存器一般被操作,因此提 供了一个寻址和数据追踪的有效方法。当对间接寻址寄存器进行任何操作时, 单片机指向的实际地址是由间接寻址指针所指定的地址。MP0,IAR0 用于访 问 Section 0, 而 MP1L/MP1H 和 IAR1、MP2L/MP2H 和 IAR2 根 据 MP1H 或 MP2H 寄存器可以访问所有的 Section。直接寻址通过相关的数据存储器寻址指 令来访问所有的数据 Section。 间接寻址程序举例 data .section ´data´ adres1 db ? adres2 db ? adres3 db ? adres4 db ? block db ? code .section at 0 ´code´ org 00h start: mov a,04h mov block,a mov a,offset adres1 mov mp0,a loop: clr IAR0 inc mp0 sdz block jmp loop continue: ; setup size of block ; Accumulator loaded with first RAM address ; setup memory pointer with first RAM address ; clear the data at address defined by mp0 ; increment memory pointer ; check if last memory location has been cleared 在上面的例子中有一点值得注意,即并没有确定 RAM 地址。 Rev.1.00 40 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 存储区指针 – BP 数据存储器被分为几个部分,具体数目由所选择的单片机型号决定。可以通过 设置存储区指针(Bank Pointer)值来访问不同的程序存储区。 复位后,数据存储器会初始化到 Bank 0,但是在暂停模式下的 WDT 溢出复位, 不会改变通用数据存储器的存储区号。数据存储器的直接寻址总是访问 Bank 0, 不影响存储区指针的值。要访问 Bank 0 之外的存储区,则必须要使用间接寻址 方式。 由于程序存储器和数据存储器共享同一个 BP 寄存器,编程时务必注意。 单片机型号 76 HT66F60A — — HT66F70A — — 位 5 4 3 — — — — — — BP 寄存器列表 2 1 0 — — BP0 — BP1 BP0 BP 寄存器 – HT66F60A Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name — — — — — — — BP0 R/W — — — — — — — R/W POR — — — — — — — 0 Bit 7~1 Bit 0 未使用,读为“0” BP0:数据存储区选择位 0:Bank 0 1:Bank 1 BP 寄存器 – HT66F70A Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name — — — — — — BP1 BP0 R/W — — — — — — R/W R/W POR — — — — — — 0 0 Bit 7~2 Bit 1~0 未使用,读为“0” BP1~BP0:数据存储区选择位 00:Bank 0 01:Bank 1 10:Bank 2 11:Bank 3 累加器 – ACC 对任何单片机来说,累加器是相当重要的,且与 ALU 所完成的运算有密切关 系,所有 ALU 得到的运算结果都会暂时存在 ACC 累加器里。若没有累加器, ALU 必须在每次进行如加法、减法和移位的运算时,将结果写入到数据存储器, 这样会造成程序编写和时间的负担。另外数据传送也常常牵涉到累加器的临时 储存功能,例如在使用者定义的一个寄存器和另一个寄存器之间传送数据时, 由于两寄存器之间不能直接传送数据,因此必须通过累加器来传送数据。 Rev. 1.00 41 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 程序计数器低字节寄存器 – PCL 为了提供额外的程序控制功能,程序计数器低字节设置在数据存储器的特殊功 能区域内,程序员可对此寄存器进行操作,很容易的直接跳转到其它程序地址。 直接给 PCL 寄存器赋值将导致程序直接跳转到程序存储器的某一地址,然而由 于寄存器只有 8 位长度,因此只允许在本页的程序存储器范围内进行跳转,而 当使用这种运算时,要注意会插入一个空指令周期。 表格寄存器 – TBLP,TBHP,TBLH 这三个特殊功能寄存器对存储在程序存储器中的表格进行操作。TBLP 和 TBHP 为表格指针,指向表格数据存储的地址。它们的值必须在任何表格读取指令执 行前加以设定,由于它们的值可以被如“INC”或“DEC”的指令所改变,这 就提供了一种简单的方法对表格数据进行读取。表格读取数据指令执行之后, 表格数据高字节存储在 TBLH 中。其中要注意的是,表格数据低字节会被传送 到使用者指定的地址。 状态寄存器 – STATUS 这 8 位的状态寄存器由零标志位 (Z)、进位标志位 (C)、辅助进位标志位 (AC)、 溢出标志位 (OV)、SC 标志位、CZ 标志位、暂停标志位 (PDF) 和看门狗定时器 溢出标志位 (TO) 组成。这些算术 / 逻辑操作和系统运行标志位是用来记录单片 机的运行状态。 除了 PDF 和 TO 标志外,状态寄存器中的位像其它大部分寄存器一样可以被改 变。任何数据写入到状态寄存器将不会改变 TO 或 PDF 标志位。另外,执行不 同的指令后,与状态寄存器有关的运算可能会得到不同的结果。TO 标志位只会 受系统上电、看门狗溢出或执行“CLR WDT”或“HALT”指令影响。PDF 标 志位只会受执行“HALT”或“CLR WDT”指令或系统上电影响。 Z、OV、AC、C、SC 和 CZ 标志位通常反映最近运算的状态。 ● C:当加法运算的结果产生进位,或减法运算的结果没有产生借位时,则 C 被置位,否则 C 被清零,同时 C 也会被带进位的移位指令所影响。 ● AC:当低半字节加法运算的结果产生进位,或高半字节减法运算的结果没有 产生借位时,AC 被置位,否则 AC 被清零。 ● Z: 当算术或逻辑运算结果是零时,Z 被置位,否则 Z 被清零。 ● OV:当运算结果高两位的进位状态异或结果为 1 时,OV 被置位,否则 OV 被清零。 ● PDF:系统上电或执行“CLR WDT”指令会清零 PDF,而执行“HALT”指 令则会置位 PDF。 ● TO:系统上电或执行“CLR WDT”或“HALT”指令会清零 TO,而当 WDT 溢出则会置位 TO。 ● SC:当 OV 与当前指令操作结果 MSB 执行“XOR”所得结果。 ● CZ:不同指令不同标志位的操作结果。详细资料请参考寄存器定义部分。 另外,当进入一个中断程序或执行子程序调用时,状态寄存器不会自动压入到 堆栈保存。假如状态寄存器的内容是重要的且子程序可能改变状态寄存器的话, 则需谨慎的去做正确的储存。 Rev.1.00 42 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 STATUS 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 7 6 5 4 3 2 1 0 SC CZ TO PDF OV Z AC C R R R R R/W R/W R/W R/W × × 0 0 × × × × “×”为未知 SC:当 OV 与当前指令操作结果 MSB 执行“XOR”所得结果。 CZ:不同指令不同标志位的操作结果。 对于 SUB/SUBM/LSUB/LSUBM 指令,CZ 等于 Z 标志位。 对于 SBC/SBCM/LSBC/LSBCM 指令,CZ 等于上一个 CZ 标志位与当前零标志 位执行“AND”所得结果。对于其他指令,CZ 标志位无影响。 TO:看门狗溢出标志位 0:系统上电或执行“CLR WDT”或“HALT”指令后 1:看门狗溢出发生 PDF:暂停标志位 0:系统上电或执行“CLR WDT”指令后 1:执行“HALT”指令 OV:溢出标志位 0:无溢出 1:运算结果高两位的进位状态异或结果为 1 Z:零标志位 0:算术或逻辑运算结果不为 0 1:算术或逻辑运算结果为 0 AC:辅助进位标志位 0:无辅助进位 1:在加法运算中低四位产生了向高四位进位,或减法运算中低四位不发生从 高四位借位 C:进位标志位 0:无进位 1:如果在加法运算中结果产生了进位,或在减法运算中结果不发生借位 C 也受循环移位指令的影响。 Rev. 1.00 43 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 EEPROM 数据寄存器 此 系 列 所 有 单 片 机 的 一 个 特 性 是 内 建 EEPROM 数 据 存 储 器。“Electrically Erasable Programmable Read Only Memory”为电可擦可编程只读存储器,由于 其非易失的存储结构,即使在电源掉电的情况下存储器内的数据仍然保存完 好。这种存储区扩展了 ROM 空间,对设计者来说增加了许多新的应用机会。 EEPROM 可以用来存储产品编号、校准值、用户特定数据、系统配置参数或其 它产品信息等。EEPROM 的数据读取和写入过程也会变的更简单。 EEPROM 数据寄存器结构 EEPROM 数据寄存器容量为 128×8。由于映射方式与程序存储器和数据存储器 不同,因此不能像其它类型的存储器一样寻址。使用 Section 0 中的一个地址和 数据寄存器以及 Section 1 中的一个控制寄存器,可以实现对 EEPROM 的单字 节读写操作。 单片机型号 HT66F60A HT66F70A 容量 128×8 地址 00H~7FH EEPROM 寄存器 有三个寄存器控制内部 EEPROM 数据存储器总的操作。地址寄存器 EEA、数 据寄存器 EED 及控制寄存器 EEC。EEA 和 EED 位于 Section 0 中,它们能像 其它特殊功能寄存器一样直接被访问。EEC 位于 Section 1 中,不能被直接访 问,仅能通过 MP1 和 IAR1 进行间接读取或写入。由于 EEC 控制寄存器位于 Section 1 中的“40H”,在 EEC 寄存器上的任何操作被执行前,MP1L 必须先 设为“40H”,MP1H 设为“01H”。 EEA 寄存器 Bit 7 Name — R/W — POR — 6 EEA6 R/W × 5 EEA5 R/W × 4 EEA4 R/W × 3 EEA3 R/W × Bit 7 Bit 6~0 未定义,读为“0” EEA6~EEA0:数据 EEPROM 地址 Bit 6~Bit 0 2 EEA2 R/W × 1 0 EEA1 EEA0 R/W R/W × × “×”为未知 EED 寄存器 Bit Name R/W POR 7 EED7 R/W × 6 EED6 R/W × 5 EED5 R/W × 4 EED4 R/W × 3 EED3 R/W × Bit 7~0 EED7~EED0:数据 EEPROM 地址 Bit 7~Bit 0 2 EED2 R/W × 1 0 EED1 EED0 R/W R/W × × “×”为未知 Rev.1.00 44 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 EEC 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name — — — — WREN WR RDEN RD R/W — — — — R/W R/W R/W R/W POR — — — — 0 0 0 0 Bit 7~4 未定义,读为“0” Bit 3 WREN:数据 EEPROM 写使能位 0:除能 1:使能 此位为数据 EEPROM 写使能位,向数据 EEPROM 写操作之前需将此位置高。 将此位清零时,则禁止向数据 EEPROM 写操作。 Bit 2 WR:EEPROM 写控制位 0:写周期结束 1:写周期有效 此位为数据 EEPROM 写控制位,由应用程序将此位置高将激活写周期。写周期 结束后,硬件自动将此位清零。当 WREN 未先置高时,此位置高无效。 Bit 1 RDEN:数据 EEPROM 读使能位 0:除能 1:使能 此位为数据 EEPROM 读使能位,向数据 EEPROM 读操作之前需将此位置高。 将此位清零时,则禁止向数据 EEPROM 读操作。 Bit 0 RD:EEPROM 读控制位 0:读周期结束 1:读周期有效 此位为数据 EEPROM 读控制位,由应用程序将此位置高将激活读周期。读周期 结束后,硬件自动将此位清零。当 RDEN 未首先置高时,此位置高无效。 注:在同一条指令中 WREN、WR、RDEN 和 RD 不能同时置为“1”。WR 和 RD 不能同时 置为“1”。 Rev. 1.00 45 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 从 EEPROM 中读取数据 从 EEPROM 中读取数据,EEC 寄存器中的读使能位 RDEN 先置为高以使能读 功能,EEPROM 中读取数据的地址要先放入 EEA 寄存器中。若 EEC 寄存器中 的 RD 位被置高,一个读周期将开始。若 RD 位已置为高而 RDEN 位还未被设 置则不能开始读操作。若读周期结束,RD 位将自动清除为“0”,数据可以从 EED 寄存器中读取。数据在其它读或写操作执行前将一直保留在 EED 寄存器 中。应用程序将轮询 RD 位以确定数据可以有效地被读取。 写数据到 EEPROM 写数据至 EEPROM,EEC 寄存器中的写使能位 WREN 先置为高以使能写功能。 EEPROM 中写入数据的地址要先放入 EEA 寄存器中,写入的数据需存入 EED 寄存器中。若 EEC 寄存器中 WR 位被置为高,一个内部写周期将开始。若 WR 位已置为高而 WREN 位还未被设置则不能开始写操作。由于控制 EEPROM 写 周期是一个内部时钟,与单片机的系统时钟异步,所以数据写入 EEPROM 的时 间将有所延迟。可通过轮询 EEC 寄存器中的 WR 位或判断 EEPROM 中断以侦 测写周期是否完成。若写周期完成,WR 位将自动清除为“0”,通知用户数据 已写入 EEPROM。因此,应用程序将轮询 WR 位以确定写周期是否结束。 写保护 防止误写入的写保护有以下几种。单片机上电后控制寄存器中的写使能位将被 清除以杜绝任何写入操作。上电后存储器指针对,MP1L/MP1H 和 MP2L/MP2H 将重置为“0”,这意味着数据存储器 Section 0 被选中。由于 EEPROM 控制寄 存器位于 Section 1 中,这增加了对写操作的保护措施。在正常程序操作中确保 控制寄存器中的写使能位被清除将能防止不正确的写操作。 EEPROM 中断 EEPROM 写周期结束后将产生 EEPROM 写中断,需先通过设置相关中断寄存 器的 DEE 位使能 EEPROM 中断。由于 EEPROM 中断包含在多功能中断中,相 应的多功能中断使能位需被设置。当 EEPROM 写周期结束,DEF 请求标志位 及其相关多功能中断请求标志位将被置位。若 EEPROM 和多功能中断使能且堆 栈未满的情况下将跳转到相应的多功能中断向量中执行。当中断被响应,只有 多功能中断标志位将自动复位,而 EEPROM 中断标志将通过应用程序手动复 位。更多细节将在中断章节讲述。 编程注意事项 必须注意的是数据不会无意写入 EEPROM。在没有写动作时写使能位被正常清 零可以增强保护功能。存储器指针高字节 MP1H 或 MP2H,也可以正常清零以 阻止进入 EEPROM 控制寄存器存在的 Section 1。尽管没有必要,写一个简单的 读回程序以检查新写入的数据是否正确还是应该考虑的。 当 WREN 位被置为高以后,写数据位 WR 必须立刻置为高,以确保写循环正确 执行。总中断位 EMI 在写循环开始前应当被清零,写循环开始后再将其使能。 Rev.1.00 46 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 程序举例 从 EEPROM 中读取数据—轮询法 MOV A, EEPROM_ADRES MOV EEA, A MOV A, 040H MOV MP1L, A MOV A, 01H MOV MP1H, A SET IAR1.1 SET IAR1.0 BACK: SZ IAR1.0 JMP BACK CLR IAR1 CLR MP1H MOV A, EED MOV READ_DATA, A ; user defined address ; setup memory pointer MP1 ; MP1 points to EEC register ; setup Bank Pointer ; set RDEN bit, enable read operations ; start Read Cycle - set RD bit ; check for read cycle end ; disable EEPROM read/write ; move read data to register 写数据到 EEPROM—轮询法 CLR EMI MOV A, EEPROM_ADRES MOV EEA, A MOV A, EEPROM_DATA MOV EED, A MOV A, 040H MOV MP1L, A MOV A, 01H MOV MP1H, A SET IAR1.3 SET IAR1.2 SET EMI BACK: SZ IAR1.2 JMP BACK CLR IAR1 CLR MP1H ; user defined address ; user defined data ; setup memory pointer MP1 ; MP1 points to EEC register ; setup Bank Pointer ; set WREN bit, enable write operations ; start Write Cycle - set WR bit ; check for write cycle end ; disable EEPROM read/write Rev. 1.00 47 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 振荡器 不同的振荡器选择可以让使用者在不同的应用需求中实现更大范围的功能。振 荡器的灵活性使得在速度和功耗方面可以达到最优化。振荡器选择是通过配置 选项和寄存器共同完成的。 振荡器概述 振荡器除了作为系统时钟源,还作为看门狗定时器和时基功能的时钟源。外部 振荡器需要一些外围器件,而集成的两个内部振荡器不需要任何外围器件。它 们提供的高速和低速系统振荡器具有较宽的频率范围。所有振荡器选择通过配 置选项选择。较高频率的振荡器提供更高的性能,但要求有更高的功率,反之 亦然。动态切换快慢系统时钟的能力使单片机具有灵活而优化的性能 / 功耗比, 此特性对功耗敏感的应用领域尤为重要。 类型 外部晶振 外部 RC 内部高速 RC 外部低速晶振 内部低速 RC 名称 HXT ERC HIRC LXT LIRC 频率 400kHz~16MHz 400kHz~16MHz 8 MHz 32.768kHz 32kHz 振荡器类型 引脚 OSC1/OSC2 OSC1 — XT1/ XT2 — 系统时钟配置 此系列的单片机有五个系统振荡器,包括三个高速振荡器和两个低速振荡器。 高速振荡器有外部晶体 / 陶瓷振荡器,外部 RC 振荡器和内部 8MHz RC 振荡 器。两个低速振荡器包括外部 32.768kHz 振荡器和内部 32kHz 振荡器。使用高 速或低速振荡器作为系统时钟的选择是通过设置 SMOD 寄存器中的 HLCLK 位 及 CKS2~CKS0 位决定的,系统时钟可动态选择。高速或低速振荡器的实际时 钟源经由配置选项选择。低速或高速系统时钟频率由 SMOD 寄存器的 HLCLK 位及 CKS2~CKS0 位决定的。请注意,必须要选择一个高速或低速振荡器作为 系统时钟。 Rev.1.00 48 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 High Speed Oscillation (HOSC) HXT ERC fH HIRC High Speed Oscillation Configuration Option LIRC fSUB LXT Low Speed Oscillation (LOSC) Low Speed Oscillation Configuration Option fH/2 fH/4 fH/8 Prescaler fH/16 fH/32 fH/64 CKS[2:0], HLCLK fSYS Fast Wake-up from SLEEP Mode or IDLE Mode Control (for HXT only) fSUB WDT fSYS fSYS/4 fSUB fH fTB Prescaler CLKS0[1:0] TB0 [2:0] TB1 [2:0] fSYS fSYS/4 fSUB fH fP CLKS1[1:0] Prescaler TB2 [2:0] 系统时钟配置 Time Base Peripheral Clock Output (PCK) 外部晶体 / 陶瓷振荡器 – HXT 外部高频晶体 / 陶瓷振荡器可通过配置选项选择。对于晶体振荡器,只要简单 地将晶体连接至 OSC1 和 OSC2,则会产生振荡所需的相移及反馈,而不需其 它外部器件。为保证某些低频率的晶体振荡和陶瓷谐振器的振荡频率更精准, 建议连接两个小容量电容 C1 和 C2 到 VSS,具体数值与客户选择的晶体 / 陶瓷 晶振有关。 Rev. 1.00 晶体 / 陶瓷振荡器 -- HXT 晶体振荡器 C1 和 C2 值 晶体频率 C1 C2 12MHz 0pF 0pF 8 MHz 0pF 0pF 4 MHz 0pF 0pF 1 MHz 100pF 100pF 注:C1 和 C2 数值仅作参考用 晶体振荡器电容推荐值 49 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 外部 RC 振荡器 – ERC ERC 振荡器只需要在 OSC1 和 VDD 之间连接一个阻值约在 56kΩ 到 2.4MΩ 之 间的电阻,OSC1 与 VSS 之间连接一个电容。系统频率由外部所接电阻的大 小决定,外部电容并不会影响振荡器的频率值,在这里只起到稳定的作用。 芯片在制造时进行调整且内部含有频率补偿电路,使得振荡频率因 VDD、温度 以及芯片制成工艺不同的影响减至最低程度。这里,提供一个电阻 / 频率的参 考:使用外部 120K 电阻连接到 5V 电源电压,在 25˚C 下,振荡器的频率为 8MHz,容差 2%。外部 RC 振荡器仅使用 OSC1 引脚,OSC1 与 PB1 引脚共用, 此时 PB2 引脚可以作为普通的 I/O 口使用。 V DD R OSC O SC1 20pF 外部 RC 振荡器 -- ERC 内部 RC 振荡器 – HIRC 内部 RC 振荡器是一个集成的系统振荡器,不需其它外部器件。内部 RC 振荡 器有一种固定的频率 8MHz。芯片在制造时进行调整且内部含有频率补偿电路, 使得振荡频率因 VDD、温度以及芯片制成工艺不同的影响减至最低程度。在电 源电压为 5V 及温度为 25˚C 的条件下,8MHz 这个固定频率的容差为 2%。如 果选择了该内部时钟,无需额外的引脚;PB1 和 PB2 可以作为通用 I/O 口使用。 外部 32.768kHz 晶体振荡器 – LXT 外部 32.768kHz 晶体振荡器是一个低频振荡器,经由配置选项选择。时钟频率 固定为 32.768kHz,此时 XT1 和 XT2 间引脚必须连接 32.768kHz 的晶体振荡器。 需要外部电阻和电容连接到 32768Hz 晶振以帮助起振。对于那些要求精确频率 的场合中,可能需要这些元件来对由制程产生的误差提供频率补偿。在系统上 电期间,LXT 振荡器启动需要一定的延时。 当系统进入空闲 / 休眠模式,系统时钟关闭以降低功耗。然而在某些应用,比 如空闲 / 休眠模式下要保持内部定时器功能,必须提供额外的时钟,且与系统 时钟无关。 然而,对于一些晶体,为了保证系统频率的启动与精度要求,需要外接两个小 容量电容 C1 和 C2,具体数值与客户选择的晶体规格有关。外部并联的反馈电 阻 RP,是必需的。 一些配置选项决定是否 XT1/XT2 脚是用于 LXT 还是作为普通 I/O 口使用。 ● 若 LXT 振荡器未被用于任何时钟源,XT1/XT2 脚能被用作一般 I/O 口使用。 ● 若 LXT 振荡器被用于一些时钟源,32.768kHz 晶体应被连接至 XT1/XT2 脚。 Rev.1.00 50 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 外部 LXT 振荡器 LXT 振荡器 C1 和 C2 值 晶体频率 C1 C2 32.768kHz 10pF 10pF 注:1、C1 和 C2 数值仅作参考用 2、RP 的建议值为 5M~10MΩ 32.768kHz 振荡器电容推荐值 LXT 振荡器低功耗功能 LXT 振荡器可以工作在快速启动模式或低功耗模式,可通过设置 SMOD2 寄存 器中的 LXTLP 位进行模式选择。 SMOD2 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name — — — — — — — LXTLP R/W — — — — — — — R/W POR — — — — — — — 0 Bit 7~1 未定义,读为“0” Bit 0 LXTLP:LXT 低功耗控制位 0:快速启动模式 1:低功耗模式 系统上电时会清零 LXTLP 位来快速启动 LXT 振荡器。在快速启动模式,LXT 振荡器将起振并快速稳定下来。LXT 振荡器完全起振后,可以通过设置 LXTLP 位为高进入低功耗模式。振荡器可以继续运行,其间耗电将少于快速启动模式。 在功耗敏感的应用领域如电池应用方面,功耗必须限制为一个最小值。为了降 低功耗,建议系统上电 2 秒后,在应用程序中将 LXTLP 位设为“1”。应注意 的是,无论 LXTLP 位是什么值,LXT 振荡器会一直运作,不同的只是在低功 耗模式时启动时间更长。 内部 32kHz 振荡器 – LIRC 内部 32kHz 系统振荡器也是一个低频振荡器,经由配置选项选择。这种单片机 有一个完全集成 RC 振荡器,它在 5V 电压下运行的典型频率值为 32kHz 且无 需外部元件。芯片在制造时进行调整且内部含有频率补偿电路,使得振荡器因 电源电压、温度及芯片制成工艺不同的影响减至最低。因此,内部 32kHz 振荡 器频率在 25˚C 温度 5V 电压下的精度保持在 3% 以内。 Rev. 1.00 51 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 辅助振荡器 低速振荡器除了提供一个系统时钟源外,也用来为看门狗定时器和时基中断提 供时钟来源。 工作模式和系统时钟 现今的应用要求单片机具有较高的性能及尽可能低的功耗,这种矛盾的要求在 便携式电池供电的应用领域尤为明显。高性能所需要的高速时钟将增加功耗, 反之亦然。此单片机提供高、低速两种时钟源,它们之间可以动态切换,用户 可通过优化单片机操作来获得最佳性能 / 功耗比。 系统时钟 单片机为 CPU 和外围功能操作提供了多种不同的时钟源。用户使用配置选项和 寄存器编程可获取多种时钟,进而使系统时钟获取最大的应用性能。 主系统时钟可来自高频时钟源 fH 或低频时钟源 fSUB,通过 SMOD 寄存器中的 HLCLK 位及 CKS2~CKS0 位进行选择。高频时钟来自 HXT、ERC 或 HIRC 振 荡器,可通过配置选项选择,低频系统时钟源来自内部时钟 fSUB,若 fSUB 被选择, 可通过配置选项设定为 LXT 或 LIRC 振荡器。其它系统时钟还有高速系统振荡 器的分频 fH/2~fH/64。 快速唤醒发生后,fSUB 为单片机提供一个次时钟。fSUB 用于时基和看门狗定时器 的的时钟源。 High Speed Oscillation (HOSC) fH/2 HXT fH/4 fH/8 ERC fH Prescaler fH/16 fSYS fH/32 HIRC fH/64 High Speed Oscillation Configuration Option CKS[2:0], HLCLK Fast Wake-up from SLEEP Mode or IDLE Mode Control (for HXT only) LIRC fSUB LXT Low Speed Oscillation (LOSC) Low Speed Oscillation Configuration Option fSUB fH fSYS fSYS/4 fSUB fTP Prescaler WDT Time Base CLKS0[1:0] 系统时钟选项 注:当系统时钟源 fSYS 由 fH 到 fL 转换时,高速振荡器将停止以节省耗电。因此,没有为外围电路提供 fH/2~fH/64 的频率。 Rev.1.00 52 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 系统工作模式 单片机有 6 种不同的工作模式,每种有它自身的特性,根据应用中不同的性能 和功耗要求可选择不同的工作模式。单片机正常工作有两种模式:正常模式和 低速模式。剩余的 4 种工作模式:休眠模式 0、休眠模式 1、空闲模式 0 和空闲 模式 1 用于单片机 CPU 关闭时以节省耗电。 说明 工作模式 CPU fSYS fSUB 正常模式 On fH~fH/64 On 低速模式 On fSUB On 空闲模式 0 Off Off On 空闲模式 1 Off On On 休眠模式 0 Off Off Off 休眠模式 1 Off Off On 正常模式 顾名思义,这是主要的工作模式之一,单片机的所有功能均可在此模式中实现 且系统时钟由一个高速振荡器提供。该模式下单片机正常工作的时钟源来自 HXT、ERC 或 HIRC 振荡器。高速振荡器频率可被分为 1~64 的不等比率,实 际的比率由 SMOD 寄存器中的 CKS2~CKS0 位及 HLCLK 位选择的。单片机使 用高速振荡器分频作为系统时钟可减少工作电流。 低速模式 此模式的系统时钟虽为较低速时钟源,但单片机仍能正常工作。该低速时钟源 可来自 LXT 或 LIRC 振荡器。单片机在此模式中运行所耗工作电流较低。在低 速模式下,fH 关闭。 休眠模式 0 在 HALT 指令执行后且 SMOD 寄存器中 IDLEN 位为低时,系统进入休眠模式。 在休眠模式 0 中,CPU 及 fSUB 停止运行,看门狗定时器功能除能。在该模式中 LVDEN 位需置为“0”,否则将不能进入休眠模式 0 中。 休眠模式 1 在 HALT 指令执行后且 SMOD 寄存器中 IDLEN 位为低时,系统进入休眠模式。 在休眠模式 1 中,CPU 停止运行。然而,若 LVDEN 位为“1”或看门狗定时器 功能使能,fSUB 继续运行。 空闲模式 0 执 行 HALT 指 令 后 且 SMOD 寄 存 器 中 IDLEN 位 为 高,SMOD1 寄 存 器 中 FSYSON 位为低时,系统进入空闲模式 0。在空闲模式 0 中,CPU 停止,但一 些外围功能如看门狗定时器和 TMs 将继续工作。在空闲模式 0 中,系统振荡器 停止,fSUB 时钟开启 空闲模式 1 执 行 HALT 指 令 后 且 SMOD 寄 存 器 中 IDLEN 位 为 高,SMOD1 寄 存 器 中 FSYSON 位为高时,系统进入空闲模式 1。在空闲模式 1 中,CPU 停止,但会 提供一个时钟源给一些外围功能如看门狗定时器和 TMs。在空闲模式 1 中,系 统振荡器继续运行,该系统振荡器可以为高速或低速系统振荡器。在该模式中, fSUB 时钟开启。 Rev. 1.00 53 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 控制寄存器 寄存器对 SMOD 和 SOMD1 用于控制单片机内部时钟。 SMOD 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 Name CKS2 CKS1 CKS0 FSTEN LTO R/W R/W R/W R/W R/W R POR 0 0 0 0 0 2 HTO R 0 1 0 IDLEN HLCLK R/W R/W 1 1 Bit 7~5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 CKS2~CKS0:当 HLCLK 为“0”时系统时钟选择位 000:fSUB (fLXT 或 fLIRC) 001:fSUB (fLXT 或 fLIRC) 010:fH/64 011:fH/32 100:fH/16 101:fH/8 110:fH/4 111:fH/2 这三位用于选择系统时钟源。除了 LXT 或 LIRC 振荡器提供的系统时钟源外, 也可使用高频振荡器的分频作为系统时钟。 FSTEN:快速唤醒控制位(仅用于 HXT) 0:除能 1:使能 此位为快速唤醒控制位,用于决定单片机被唤醒后 fSUB 是否开始工作。当此位 为高且 fSUB 时钟可用,该时钟源用作临时系统时钟以提供快速唤醒时间。 LTO:低速振荡器就绪标志位 0:未就绪 1:就绪 此位为低速系统振荡器就绪标志位,用于表明低速系统振荡器在系统上电复位 或经唤醒后何时稳定下来。当系统处于 SLEEP0 模式时,该标志为低。若系统 时钟来自 LXT 振荡器,系统唤醒后该位转换为高需 1024 个时钟周期;若系统 时钟来自 LIRC 振荡器,该位转换为高需 1~2 个时钟周期。 HTO:高速振荡器就绪标志位 0:未就绪 1:就绪 此位为高速系统振荡器就绪标志位,用于表明高速系统振荡器何时稳定下来。 此标志在系统上电后经硬件清零,高速系统振荡器稳定后变为高电平。因此, 此位在单片机上电后由应用程序读取的总为“1”。该标志由休眠模式或空闲模 式 0 中唤醒后会处于低电平状态,若使用 HXT 振荡器,该位将在 1024 个时钟 周期后变为高电平状态,若使用 ERC 或 HIRC 振荡器则只需 15~16 个时钟周期 即可。 IDLEN:空闲模式控制位 0:除能 1:使能 此位为空闲模式控制位,用于决定 HALT 指令执行后发生的动作。若此位为 高,当指令 HALT 执行后,单片机进入空闲模式。若 FSYSON 位为高,在空闲 模式 1 中 CPU 停止运行,系统时钟将继续工作以保持外围功能继续工作;若 FSYSON 为低,在空闲模式 0 中 CPU 和系统时钟都将停止运行。若此位为低, 单片机将在 HALT 指令执行后进入休眠模式。 HLCLK:系统时钟选择位 0:fH/2~ fH/64 或 fL 1:fH 此位用于选择 fH 或 fH/2~ fH/64 还是 fSUB 作为系统时钟。该位为高时选择 fH 作为 系统时钟,为低时则选择 fH/2~ fH/64 或 fSUB 作为系统时钟。当系统时钟由 fH 时 钟向 fSUB 时钟转换时,fH 将自动关闭以降低功耗。 Rev.1.00 54 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 SMOD1 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7 Bit 6~3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 7 6 5 4 3 2 1 0 FSYSON — — — — LVRF LRF WRF R/W — — — — R/W R/W R/W 0 — — — — × 0 0 “×”:未知 FSYSON:fSYS 在空闲模式下的控制位 0:除能 1:使能 未定义,读为“0” LVRF:LVR 复位标志位 0:无效 1:有效 当特定的低电压复位条件发生时,该位被置为“1”。该位只能由应用程序清零。 LRF:LVRC 控制的复位标志位 0:无效 1:有效 如果 LVRC 寄存器包含任何非定义的 LVR 电压值,该位被置为“1”,这类似 于软件复位功能。该位只能由应用程序清零。 WRF:WDTC 控制的复位标志位 0:无效 1:有效 WDT 控制寄存器复位时,该位被置为“1”,且通过应用程序清除。注意,该 位只能由应用程序清零。 Rev. 1.00 55 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 快速唤醒 单片机进入休眠模式或空闲模式 0 后,系统时钟将停止以降低功耗。然而单片 机再次唤醒,原来的系统时钟重新起振、稳定且恢复正常工作需要一定的时 间。为确保单片机能够尽快的开始工作,系统提供了一个快速唤醒功能。需提 供一个临时时钟源 fSUB 先驱动系统直至原系统振荡器稳定,这个临时时钟可来 自 LXT 或 LIRC 振荡器。快速启动功能的时钟源为 fSUB,该功能仅在休眠模式 1 和空闲模式 0 中有效。当单片机由休眠模式 0 唤醒时,因 fSUB 已停止,故快 速唤醒功能不受影响。快速唤醒功能使能 / 除能由 SMOD 寄存器中 FSTEN 位 控制的。 若 HXT 振荡器作为正常模式的系统时钟,且快速唤醒功能使能,系统唤醒将需 1~2 个 tSUB 时钟周期。系统开始在 fSUB 时钟源下运行直至 1024 个 HXT 时钟周 期后 HTO 标志转换为高,系统将切换到 HXT 振荡器运行。 若系统振荡器选用 ERC 或 HIRC,将系统从休眠模式或空闲模式 0 中唤醒需 15~16 个时钟周期;若选用 LIRC,则需 1~2 个周期。快速唤醒位 FSTEN 在这 些情况下不受影响。 系统振 FSTEN 唤醒时间 唤醒时间 唤醒时间 唤醒时间 荡器 位 (休眠模式 0) (休眠模式 1) (空闲模式 0) (空闲模式 1) 0 1024 个 HXT 周期 1024 个 HXT 周期 1~2 个 HXT 周期 HXT 1~2 个 fSUB 周期 1 1024 个 HXT 周期 (系统在 fSUB 下运行 1024 个 HXT 1~2 个 HXT 周期 周期后切换到 HXT 振荡器运行) ERC × 15~16 个 ERC 周期 15~16 个 ERC 周期 1~2 个 ERC 周期 HIRC × 15~16 个 HIRC 周期 15~16 个 HIRC 周期 1~2 个 HIRC 周期 LIRC × 1~2 个 LIRC 周期 1~2 个 LIRC 周期 1~2 个 LIRC 周期 LXT × 1024 个 LXT 周期 1024 个 LXT 周期 1~2 个 LXT 周期 唤醒时间 注:若看门狗定时器除能,意味着 LXT 或 LIRC 都关闭,当单片机由休眠模式 0 中唤醒时快速唤醒功能 不可用。 Rev.1.00 56 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 工作模式切换和唤醒 单片机可在各个工作模式间自由切换,使得用户可根据所需选择最佳的性能 / 功耗比。用此方式,对单片机工作的性能要求不高的情况下,可使用较低频时 钟以减少工作电流,在便携式应用上延长电池的使用寿命。 简单来说,正常模式和低速模式间的切换仅需设置 SMOD 中的 HLCLK 位及 CKS2~CKS0 位即可实现,而正常模式 / 低速模式与休眠模式 / 空闲模式间的切 换经由 HALT 指令实现。当 HALT 指令执行后,单片机是否进入空闲模式或休 眠模式由 SMOD 寄存器中的 IDLEN 位和 SMOD1 寄存器中的 FSYSON 位决定的。 当 HLCLK 位变为低电平时,时钟源将由高速时钟源 fH 转换成时钟源 fH/2~fH/64 或 fL。若时钟源来自 fL,高速时钟源将停止运行以节省耗电。此时须注意, fH/16 和 fH/64 内部时钟源也将停止运行,由此会影响到如 TMs 和 SIM 等内部功 能的工作。所附流程图显示了单片机在不同工作模式间切换时的变化。 NORM AL fS Y S = fH ~ fH /6 4 fH o n C P U ru n fS Y S o n fS U B o n SLEEP0 H A L T in s tr u c tio n is e x e c u te d fS Y S o ff C P U s to p ID L E N = 0 fS U B o ff W D T & L V D o ff SLEEP1 H A L T in s tr u c tio n is e x e c u te d fS Y S o ff C P U s to p ID L E N = 0 fS U B o n W D T orLV D on ID L E 1 H A L T in s tr u c tio n is e x e c u te d C P U s to p ID L E N = 1 FSYSO N =1 fS Y S o n fS U B o n SLO W fS Y S = fS U B C P U ru n fS Y S o n fS U B o n fH o ff ID L E 0 H A L T in s tr u c tio n is e x e c u te d C P U s to p ID L E N = 1 FSYSO N =0 fS Y S o ff fS U B o n Rev. 1.00 57 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 正常模式切换到低速模式 系 统 运 行 在 正 常 模 式 时 使 用 高 速 系 统 振 荡 器, 因 此 较 为 耗 电。 可 通 过 设 置 SMOD 寄存器中的 HLCLK 位为“0”及 CKS2~CKS0 位为“000”或“001”使 系统时钟切换至运行在低速模式下。此时将使用低速系统振荡器以节省耗电。 用户可在对性能要求不高的操作中使用此方法以减少耗电。 低速模式的时钟源来自 LXT 或 LIRC 振荡器,因此要求这些振荡器在所有模式 切换动作发生前稳定下来。该动作由 SMOD 寄存器中 LTO 位控制。 N O R M A L M ode C K S 2 ~ C K S 0 = 00xB & H LC LK = 0 S LO W M ode W D T a n d L V D a r e a ll o ff ID L E N = 0 H A L T in s tr u c tio n is e x e c u te d S LE E P 0 M ode W D T o r L V D is o n ID L E N = 0 H A L T in s tr u c tio n is e x e c u te d S LE E P 1 M ode ID L E N = 1 , F S Y S O N = 0 H A L T in s tr u c tio n is e x e c u te d ID E L 0 M o d e ID L E N = 1 , F S Y S O N = 1 H A L T in s tr u c tio n is e x e c u te d ID L E 1 M o d e Rev.1.00 58 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 低速模式切换到正常模式 在低速模式系统使用 LXT 或 LIRC 低速振荡器。切换到使用高速系统时钟振 荡 器 的 正 常 模 式 需 设 置 HLCLK 位 为“1”, 也 可 设 置 HLCLK 位 为“0” 但 CKS2~CKS0 需设为“010”、“011”、“100”、“101”、“110”或“111”。 高频时钟需要一定的稳定时间,通过检测 HTO 位的状态可进行判断。高速振荡 器的稳定时间由所使用高速系统振荡器的类型决定。 S LO W M ode C K S 2~C K S 0¹000B ,001B as H LC LK =0 orH LC LK =1 N O R M A L M ode W D T a n d L V D a r e a ll o ff ID L E N = 0 H A L T in s tr u c tio n is e x e c u te d S LE E P 0 M ode W D T o r L V D is o n ID L E N = 0 H A L T in s tr u c tio n is e x e c u te d S LE E P 1 M ode ID L E N = 1 , F S Y S O N = 0 H A L T in s tr u c tio n is e x e c u te d ID L E 0 M o d e ID L E N = 1 , F S Y S O N = 1 H A L T in s tr u c tio n is e x e c u te d ID L E 1 M o d e 进入休眠模式 0 进入休眠模式 0 的方法仅有一种——应用程序中执行“HALT”指令前需设置寄 存器 SMOD 中 IDLEN 位为“0”且 WDT 和 LVD 功能除能。在上述条件下执 行该指令后,将发生的情况如下: ● 系统时钟和 fSUB 时基时钟停止运行,应用程序停止在“HALT”指令处。 ● 数据存储器中的内容和寄存器将保持当前值。 ● WDT 将被清除并停止运行。 ● 输入 / 输出口将保持当前值。 ● 状态寄存器中暂停标志 PDF 将被置起,看门狗溢出标志 TO 将被清除。 Rev. 1.00 59 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 进入休眠模式 1 进入休眠模式 1 的方法仅有一种——应用程序中执行“HALT”指令前需设置寄 存器 SMOD 中 IDLEN 位为“0”且 WDT 或 LVD 功能使能。在上述条件下执 行该指令后,将发生的情况如下: ● 系统时钟和时基时钟停止运行,应用程序停止在“HALT”指令处。WDT 或 LVD 继续运行,其时钟源来自 fSUB。 ● 数据存储器中的内容和寄存器将保持当前值。 ● 若 WDT 使能且其时钟源来自 fSUB,则 WDT 将被清零并重新开始计数。 ● 输入 / 输出口将保持当前值。 ● 状态寄存器中暂停标志 PDF 将被置起,看门狗溢出标志 TO 将被清除。 进入空闲模式 0 进入空闲模式 0 的方法仅有一种——应用程序中执行“HALT”指令前需设置 寄存器 SMOD 中 IDLEN 位为“1”且 SMOD1 寄存器中的 FSYSON 位为“0”。 在上述条件下执行该指令后,将发生的情况如下: ● 系统时钟停止运行,应用程序停止在“HALT”指令处,fSUB 时钟将继续运行。 ● 数据存储器中的内容和寄存器将保持当前值。 ● 若 WDT 使能且其时钟源来自 fSUB,则 WDT 将被清零并重新开始计数。 ● 输入 / 输出口将保持当前值。 ● 状态寄存器中暂停标志 PDF 将被置起,看门狗溢出标志 TO 将被清除。 进入空闲模式 1 进入空闲模式 1 的方法仅有一种——应用程序中执行“HALT”指令前需设置 寄存器 SMOD 中 IDLEN 位为“1”且 SMOD1 寄存器中的 FSYSON 位为“1”。 在上述条件下执行该指令后,将发生的情况如下: ● 系统时钟和 fSUB 时钟开启,应用程序停止在“HALT”指令处。 ● 数据存储器中的内容和寄存器将保持当前值。 ● 若 WDT 使能且其时钟源来自 fSUB,则 WDT 将被清零并重新开始计数。 ● 输入 / 输出口将保持当前值。 ● 状态寄存器中暂停标志 PDF 将被置起,看门狗溢出标志 TO 将被清除。 静态电流的注意事项 由于单片机进入休眠或空闲模式的主要原因是将 MCU 的电流降低到尽可能低, 可能到只有几个微安的级别(空闲模式 1 除外),所以如果要将电路的电流降 到最低,电路设计者还应有其它的考虑。应该特别注意的是单片机的输入 / 输 出引脚。所有高阻抗输入脚都必须连接到固定的高或低电平,因为引脚浮空会 造成内部振荡并导致耗电增加。这也应用于有不同封装的单片机,因为它们可 能含有未引出的引脚,这些引脚也必须设为输出或带有上拉电阻的输入。 另外还需注意单片机设为输出的 I/O 引脚上的负载。应将它们设置在有最小拉 电流的状态或将它们和其它的 CMOS 输入一样接到没有拉电流的外部电路上。 还应注意的是,如果使能配置选项中的 LXT 或 LIRC 振荡器,会导致耗电增加。 在空闲模式 1 中,系统时钟开启。若系统时钟来自高速系统振荡器,额外的静 态电流也可能会有几百微安。 Rev.1.00 60 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 唤醒 系统进入休眠或空闲模式之后,可以通过以下几种方式唤醒: ● 外部复位 ● PA 口下降沿 ● 系统中断 ● WDT 溢出 若由外部 RES 引脚唤醒,系统会经过完全复位的过程;若由 WDT 溢出唤醒, 则会发生看门狗定时器复位。这两种唤醒方式都会使系统复位,可以通过状态 寄存器中 TO 和 PDF 位来判断它的唤醒源。系统上电或执行清除看门狗的指令, 会清零 PDF;执行 HALT 指令,PDF 将被置位。看门狗计数器溢出将会置位 TO 标志并唤醒系统,这种复位会重置程序计数器和堆栈指针,其它标志保持原 有状态。 PA 口中的每个引脚都可以通过 PAWU 寄存器使能下降沿唤醒功能。PA 端口唤 醒后,程序将在“HALT”指令后继续执行。如果系统是通过中断唤醒,则有两 种可能发生。第一种情况是:相关中断除能或是中断使能且堆栈已满,则程序 会在“HALT”指令之后继续执行。这种情况下,唤醒系统的中断会等到相关中 断使能或有堆栈层可以使用之后才执行。第二种情况是:相关中断使能且堆栈 未满,则中断可以马上执行。 如果在进入休眠或空闲模式之前中断标志位已经 被设置为“1”,则相关中断的唤醒功能将无效。 编程注意事项 HXT 和 LXT 振荡器使用相同的 SST 计数器。例如,若系统从休眠模式 0 中唤醒, HXT 和 LXT 振荡器都需从关闭状态快速启动。HXT 振荡器结束其 SST 周期后, LXT 振荡器才开始使用 SST 计数器。 ● 若单片机从休眠模式 0 唤醒后进入正常模式,高速系统振荡器需要一个 SST 周期。在 HTO 为“1”后,单片机开始执行首条指令。此时,若 fSUB 时钟来 源于 LXT 振荡器,LXT 振荡器可能不是稳定的,上电状态可能会发生类似情 况,首条指令执行时 LXT 振荡器还未就绪。 ● 若单片机从休眠模式 1 唤醒后进入正常模式,系统时钟源来自 HXT 振荡器且 FSTEN 为“1”,唤醒后,系统时钟可切换至 LXT 或 LIRC 振荡器。 ● 当 WDT 时钟源选择为 fSUB 时,fSUB 的开启或关闭由 WDT 是否使能决定的。 Rev. 1.00 61 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 看门狗定时器 看门狗定时器的功能在于防止如电磁的干扰等外部不可控制事件,所造成的程 序不正常动作或跳转到未知的地址。 看门狗定时器时钟源 WDT 定时器时钟源来自于内部时钟 fSUB,而 fSUB 的时钟源又由 LXT 或 LIRC 振 荡器提供,可通过配置选项设置。内部振荡器 LIRC 的周期大约为 32kHz。需要 注意的是,这个特殊的内部时钟周期随 VDD、温度和制成的不同而变化。LXT 振荡器由一个外部 32.768kHz 晶振提供。看门狗定时器的时钟源可分频为 28~218 以提供更大的溢出周期,分频比由 WDTC 寄存器中的 WS2~WS0 位来决定。 看门狗定时器控制寄存器 WDTC 寄存器用于控制 WDT 功能的使能 / 除能及选择溢出周期。 WDTC 寄存器 Bit Name R/W POR 7 WE4 R/W 0 6 WE3 R/W 1 5 WE2 R/W 0 4 WE1 R/W 1 3 WE0 R/W 0 2 WS2 R/W 0 1 WS1 R/W 1 0 WS0 R/W 1 Bit 7~3 Bit 2~0 WE4~WE0:WDT 软件控制位 10101:除能 01010:使能 其他值:复位 MCU 如果由于不利的环境因素使这些位发生改变,单片机将复位。复位动作发生在 2~3 个 LIRC 时钟周期后,且 SMOD1 寄存器的 WRF 位将置为“1”。 WS2~WS0:WDT 溢出周期选择位 000:28/fSUB 001:210/fSUB 010:212/fSUB 011:214/fSUB 100:215/fSUB 101:216/fSUB 110:217/fSUB 111:218/fSUB 这三位控制 WDT 时钟源的分频比,从而实现对 WDT 溢出周期的控制。 Rev.1.00 62 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 SMOD1 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7 Bit 6~3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 7 6 5 4 3 2 1 0 FSYSON — — — — LVRF LRF WRF R/W — — — — R/W R/W R/W 0 — — — — × 0 0 “×”:未知 FSYSON:fSYS 在空闲模式下的控制位 详见其他章节 未定义,读为“0” LVRF:LVR 复位标志位 详见其他章节 LRF:LVRC 控制的复位标志位 详见其他章节 WRF:WDTC 控制的复位标志位 0:无效 1:有效 WDT 控制寄存器复位时,该位被置为“1”,且通过应用程序清除。注意,该 位只能由应用程序清零。 看门狗定时器操作 当 WDT 溢 出 时, 它 产 生 一 个 芯 片 复 位 的 动 作。 这 也 就 意 味 着 正 常 工 作 期 间,用户需在应用程序中看门狗溢出前有策略地清看门狗定时器以防止其产 生复位,可使用清除看门狗指令实现。无论什么原因,程序失常跳转到一个 未知的地址或进入一个死循环,这些清除指令都不能被正确执行,此种情况 下,看门狗将溢出以使单片机复位。看门狗定时器控制寄存器 WDTC 中有 五位 WE4~WE0 可提供使能 / 除能控制以及控制看门狗定时器复位操作。当 WE4~WE0 设置为“10101B”时除能 WDT 功能,而当设置为“01010B”时使 能 WDT 功能。如果 WE4~WE0 设置为除“01010B”和“10101B”以外的值时, 单片机将在 2~3 个 fSUB 时钟周期后复位。上电后这些位初始化为“01010B”。 WDT 功能控制 应用程序使能 WE4~WE0 位 10101B 01010B 其他值 WDT 功能 除能 使能 复位单片机 看门狗定时器使能 / 除能控制 程序正常运行时,WDT 溢出将导致芯片复位,并置位状态标志位 TO。若系统 处于休眠或空闲模式,当 WDT 发生溢出时,状态寄存器中的 TO,程序计数器 PC 和堆栈指针 SP 将被置位。有三种方法可以用来清除 WDT 的内容。第一种 是 WDT 复位,将除“01010B”和“10101B”以外的值写入 WE4~WE0 即可实现, 第二种是通过看门狗定时器软件清除指令,而第三种是通过“HALT”指令。 软件指令清除看门狗寄存器只有一种方法。只要执行“CLR WDT”便清除 WDT。 当设置分频比为 218 时,溢出周期最大。例如,时钟源为 32kHz LIRC 振荡器, 分频比为 218 时最大溢出周期约 8s,分频比为 28 时最小溢出周期约 7.8ms。 Rev. 1.00 63 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 WDTC Register WE4~WE0 bits “CLR WDT”Instruction LXT LIRC M U fSUB X Low Speed Oscillator Configuration option Reset MCU CLR fS/28 8-stage Divider WDT Prescaler WS2~WS0 (fS/28 ~ fS/218) 看门狗定时器 8-to-1 MUX WDT Time-out (28/fS ~ 218/fS) 复位和初始化 复位功能是任何单片机中基本的部分,使得单片机可以设定一些与外部参数无 关的先置条件。最重要的复位条件是在单片机首次上电以后,经过短暂的延迟, 内部硬件电路使得单片机处于预期的稳定状态并开始执行第一条程序指令。上 电复位以后,在程序执行之前,部分重要的内部寄存器将会被设定为预先设定 的状态。程序计数器就是其中之一,它会被清除为零,使得单片机从最低的程 序存储器地址开始执行程序。 除上电复位以外,即使单片机处于正常工作状态,有些情况的发生也会迫使单 片机复位。譬如当单片机上电后已经开始执行程序,RES 脚被强制拉为低电平。 这种复位为正常操作复位,单片机中只有一些寄存器受影响,而大部分寄存器 不会改变,在复位引脚恢复至高电平后,单片机可以正常运行。 另一种复位为看门狗溢出单片机复位。不同方式的复位操作会对寄存器产生不 同的影响。另一种复位为低电压复位即 LVR 复位,在电源供应电压低于 LVR 设定值时,系统会产生 LVR 复位,这种复位与与 RES 脚拉低复位方式相似。 复位功能 包括内部和外部事件触发复位,单片机共有五种复位方式: ● 上电复位 这是最基本且不可避免的复位,发生在单片机上电后。除了保证程序存储器 从开始地址执行,上电复位也使得其它寄存器被设定在预设条件。所有的输 入 / 输出端口控制寄存器在上电复位时会保持高电平,以确保上电后所有引 脚被设定为输入状态。 注:tRSTD 为上电延迟时间,典型值为 50ms 上电复位时序图 Rev.1.00 64 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 ● RES 引脚复位 由于复位引脚与 PB 0 共用,复位功能必须使用配置选项选择。虽然单片机有 一个内部 RC 复位功能,如果电源上升缓慢或上电时电源不稳定,内部 RC 振 荡可能导致芯片复位不良,所以推荐使用和 RES 引脚连接的外部 RC 电路, 由 RC 电路所造成的时间延迟使得 RES 引脚在电源供应稳定前的一段延长周 期内保持在低电平。在这段时间内,单片机的正常操作是被禁止的。RES 引 脚达到一定电压值后,再经过延迟时间 tRSTD 单片机可以开始进行正常操作。 下图中 SST 是系统延迟周期 System Start-up Timer 的缩写。 在许多应用场合,可以在 VDD 和 RES 之间接入一个电阻,在 VSS 与 RES 之 间接入一个电容作为外部复位电路。与 RES 脚上所有相连接的线段必须尽量 短以减少噪声干扰。 当系统在较强干扰的场合工作时,建议使用增强型的复位电路,如下图所示。 注:“*” 表示建议加上此元件以加强静电保护。 “**”表示建议在电源有较强干扰场合加上此元件。 外部 RES 电路 欲 知 有 关 外 部 复 位 电 路 的 更 多 信 息 可 参 考 HOLTEK 网 站 上 的 应 用 范 例 HA0075S。 RES 引脚通过外部硬件强迫拉至低电平时,此种复位形式即会发生。这种复 位方式和其它的复位方式一样,程序计数器会被清除为零且程序从头开始执 行。 注:tRSTD 为上电延迟时间,典型值为 16.7ms。 RES 复位时序图 Rev. 1.00 65 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 ● 低电压复位 -- LVR 单片机具有低电压复位电路,用来监测它的电源电压。由于特定的 LVR 电压 VLVR。例如在更换电池的情况下,单片机供应的电压可能会落在 0.9V~VLVR 的 范围内,这时 LVR 将会自动复位单片机且 SMOD1 寄存器的 LVRF 位也被设 置为“1”。LVR 包含以下的规格:有效的 LVR 信号,即在 0.9V~VLVR 的低 电压状态的时间,必须超过交流电气特性中 tLVR 参数的值。如果低电压存在 不超过 tLVR 参数的值,则 LVR 将会忽略它且不会执行复位功能。实际的 VLVR 参数值可通过 LVRC 寄存器中的 LVS 位进行选择。如果由于不利的环境干扰 因素使得 LVS7~LVS0 为其他值,LVR 将在 2~3 个 fSUB 时钟周期后复位单片机。 此时,SMOD1 寄存器中的 LRF 位被设置为“1”。寄存器 LVRC 上电后初始 化为“01010101B”。当单片机进入省电模式时 LVR 功能将自动除能。 注:tRSTD 为上电延迟时间,典型值为 50ms。 低电压复位时序图 ● LVRC 寄存器 Bit Name R/W POR 7 LVS7 R/W 0 6 LVS6 R/W 1 5 LVS5 R/W 0 4 LVS4 R/W 1 3 LVS3 R/W 0 2 LVS2 R/W 1 1 LVS1 R/W 0 0 LVS0 R/W 1 Bit 7~0 LVS7~LVS0:LVR 电压选择 01010101:2.1V 00110011:2.55V 10011001:3.15V 10101010:3.8V 其他值:复位单片机 - 寄存器复位为 POR 值。 当低电压条件发生时,以上四个已定义的任何一个 LVR 电压值都会使单片机复 位。复位动作将在 2~3 个 fSUB 时钟周期后有效。此时复位后的寄存器内容将保 持不变。 任何除上述四个已定义的寄存器值,也会导致单片机复位。复位动作将在 2~3 个 fSUB 时钟周期后有效。但此时寄存器内容将复位为 POR 值。 Rev.1.00 66 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 ● SMOD1 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name FSYSON — — — — LVRF LRF WRF R/W R/W — — — — R/W R/W R/W POR 0 — — — — × 0 0 “×”:未知 Bit 7 FSYSON:fSYS 在空闲模式下的控制位 详见其他章节 Bit 6~3 未定义,读为“0” Bit 2 LVRF:LVR 复位标志位 0:无效 1:有效 当特定的低电压复位条件发生时,该位被置为“1”。该位只能由应用程序清零。 Bit 1 LRF:LVRC 控制的复位标志位 0:无效 1:有效 如果 LVRC 寄存器包含任何非定义的 LVR 电压值,该位被置为“1”,这类似 于软件复位功能。该位只能由应用程序清零。 Bit 0 WRF:WDTC 控制的复位标志位 详见其他章节 ● 正常运行时看门狗溢出复位 除了看门狗溢出标志位 TO 将被设为“1”之外,正常运行时看门狗溢出复位 和 RES 复位相同。 注:tRSTD 为上电延迟时间,典型值为 16.7ms。 正常运行时看门狗溢出时序图 ● 休眠或空闲时看门狗溢出复位 休眠或空闲时看门狗溢出复位和其它种类的复位有些不同。除了程序计数器 与堆栈指针将被清“0”及 TO 位被设为“1”外,绝大部分的条件保持不变。 图中 tSST 的详细说明请参考交流电气特性。 注:如果系统时钟源为 ERC 或 HIRC 时,tSST 为 15~16 个时钟周期。 如果系统时钟源为 HXT 或 LXT,则 tSST 为 1024 个时钟周期。 如果系统时钟源为 LIRC,则 tSST 为 1~2 个时钟周期。 休眠或空闲时看门狗溢出复位时序图 Rev. 1.00 67 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 复位初始状态 不同的复位形式以不同的途径影响复位标志位。这些标志位,即 PDF 和 TO 位 存放在状态寄存器中,由休眠或空闲模式功能或看门狗计数器等几种控制器操 作控制。复位标志位如下所示: TO PDF 复位条件 0 0 上电时的 RES 复位 u u 正常模式或低速模式时的 RES 复位或 LVR 复位 1 u 正常模式或低速模式时的 WDT 溢出复位 1 1 空闲或休眠模式时的 WDT 溢出复位 注:“u”代表不改变 在单片机上电复位之后,各功能单元初始化的情形,列于下表。 项目 程序计数器 中断 看门狗定时器 定时 / 计数器 输入 / 输出口 堆栈指针 复位后情况 清除为零 所有中断被除能 WDT 清除并重新计数 所有定时 / 计数器停止 I/O 口设为输入模式,AN0~AN11 作为 A/D 输入脚。 堆栈指针指向堆栈顶端 不同的复位形式对单片机内部寄存器的影响是不同的。为保证复位后程序能正 常执行,了解寄存器在特定条件复位后的设置是非常重要的。下表即为不同方 式复位后内部寄存器的状况。若芯片有多种封装类型,表格反应较大的封装的 情况。 Rev.1.00 68 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 HT66F70A HT66F60A 寄存器 上电复位 IAR0 MP0 IAR1 MP1L MP1H IAR2 MP2L MP2H ACC PCL TBLP TBLH TBHP TBHP STATUS BP BP PAWU PAPU PA PAC PBPU PB PBC PCPU PC PCC PDPU PD PDC PEPU PE PEC PFPU PF PFC PGPU PG PGC Rev. 1.00 ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ● ● ●● ● ● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● xxxx xxxx xxxx xxxx xxxx xxxx 0000 0000 0000 0000 xxxx xxxx 0000 0000 0000 0000 xxxx xxxx 0000 0000 xxxx xxxx xxxx xxxx - -xx xxxx -xxx xxxx xx00 xxxx - - - - - - -0 - - - - - - 00 0000 0000 0000 0000 1111 1111 1111 1111 0000 0000 1111 1111 1111 1111 0000 0000 1111 1111 1111 1111 0000 0000 1111 1111 1111 1111 0000 0000 1111 1111 1111 1111 - 000 0000 - 111 1111 - 111 1111 0000 0000 1111 1111 1111 1111 RES 或 LVR 复位 uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu 0000 0000 uuuu uuuu uuuu uuuu - -uu uuuu -uuu uuuu uuuu uuuu - - - - - - -0 - - - - - - 00 0000 0000 0000 0000 1111 1111 1111 1111 0000 0000 1111 1111 1111 1111 0000 0000 1111 1111 1111 1111 0000 0000 1111 1111 1111 1111 0000 0000 1111 1111 1111 1111 - 000 0000 - 111 1111 - 111 1111 0000 0000 1111 1111 1111 1111 69 WDT 溢出 ( 正常模式 ) uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu 0000 0000 uuuu uuuu uuuu uuuu - -uu uuuu -uuu uuuu uu1u uuuu - - - - - - -0 - - - - - - 00 0000 0000 0000 0000 1111 1111 1111 1111 0000 0000 1111 1111 1111 1111 0000 0000 1111 1111 1111 1111 0000 0000 1111 1111 1111 1111 0000 0000 1111 1111 1111 1111 - 000 0000 - 111 1111 - 111 1111 0000 0000 1111 1111 1111 1111 WDT 溢出 (HALT) uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu 0000 0000 uuuu uuuu uuuu uuuu - -uu uuuu -uuu uuuu uu11 uuuu - - - - - - -u - - - - - - uu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu - uuu uuuu - uuu uuuu - uuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 HT66F70A HT66F60A 寄存器 上电复位 PHPU PH PHC INTEG INTC0 INTC1 INTC2 INTC3 MFI0 MFI1 MFI2 MFI3 MFI4 SMOD SMOD1 SMOD2 LVRC LVDC WDTC EEA EED CP0C CP1C TM1C0 TM1C1 TM1C2 TM1DL TM1DH TM1AL TM1AH TM1BL TM1BH TM2C0 TM2C1 TM2DL TM2DH TM2AL TM2AH TM2RP Rev.1.00 ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● - -00 0000 - - 11 1111 - - 11 1111 0000 0000 - 000 0000 0000 0000 0000 0000 - 000 - 000 0000 0000 - 000 - 000 0000 0000 - 000 - 000 0000 0000 0000 0011 0- - - -x00 - - - - - - -0 0101 0101 - -00 - 000 0101 0011 - 000 0000 0000 0000 - 000 - - -1 - 000 - - -1 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 - - - - - - 00 0000 0000 - - - - - - 00 0000 0000 - - - - - - 00 0000 0 - - 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 RES 或 LVR 复位 - -00 0000 - - 11 1111 - - 11 1111 0000 0000 - 000 0000 0000 0000 0000 0000 - 000 - 000 0000 0000 - 000 - 000 0000 0000 - 000 - 000 0000 0000 0000 0011 0- - - -1uu - - - - - - -0 uuuu uuuu - -00 - 000 0101 0011 - 000 0000 0000 0000 - 000 - - -1 - 000 - - -1 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 - - - - - - 00 0000 0000 - - - - - - 00 0000 0000 - - - - - - 00 0000 0 - - 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 70 WDT 溢出 ( 正常模式 ) - -00 0000 - - 11 1111 - - 11 1111 0000 0000 - 000 0000 0000 0000 0000 0000 - 000 - 000 0000 0000 - 000 - 000 0000 0000 - 000 - 000 0000 0000 0000 0011 0- - - -uuu - - - - - - -0 0101 0101 - -00 - 000 0101 0011 - 000 0000 0000 0000 - 000 - - -1 - 000 - - -1 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 - - - - - - 00 0000 0000 - - - - - - 00 0000 0000 - - - - - - 00 0000 0 - - 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 WDT 溢出 (HALT) - -uu uuuu - -uu uuuu - -uu uuuu uuuu uuuu - uuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu - uuu - uuu uuuu uuuu - uuu - uuu uuuu uuuu - uuu - uuu uuuu uuuu uuuu uuuu u- - - -uuu - - - - - - -u uuuu uuuu - -uu - uuu uuuu uuuu - uuu uuuu uuuu uuuu - uuu - - -u - uuu - - -u uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu - - - - - - uu uuuu uuuu - - - - - - uu uuuu uuuu - - - - - - uu uuuu u - - uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 HT66F70A HT66F60A 寄存器 上电复位 TM3C0 TM3C1 TM3DL TM3DH TM3AL TM3AH TM0C0 TMnC1 TM0DL TM0DH TM0AL TM0AH PSC0 TBC0 TBC1 PSC1 ADCR0 ADCR1 ADRL (ADRFS=0) ADRL (ADRFS=1) ADRH (ADRFS=0) ADRH (ADRFS=1) SIMC0 SIMC1 SIMD SIMA /SIMC2 I2CTOC SPIAC0 SPIAC1 SPIAD FARL FARH FARH FD0L ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ● ● ●● 0000 0000 0000 0000 0000 0000 - - - - - -00 0000 0000 - - - - - -00 0000 0000 0000 0000 0000 0000 - - - - - -00 0000 0000 - - - - - -00 - - - - - -00 0 - - - - 000 0 - - - - 000 - - - - - -00 0110 0000 - 000 - 000 xxxx - - - - xxxx xxxx xxxx xxxx - - - - xxxx 111 - 000 1000 0001 xxxx xxxx 0000 0000 0000 0000 111 - - - 00000 0000 0000 0000 0000 0000 - - 00 0000 - 000 0000 0000 0000 RES 或 LVR 复位 0000 0000 0000 0000 0000 0000 - - - - - -00 0000 0000 - - - - - -00 0000 0000 0000 0000 0000 0000 - - - - - -00 0000 0000 - - - - - -00 - - - - - -00 0 - - - - 000 0 - - - - 000 - - - - - -00 0110 0000 - 000 - 000 xxxx - - - - xxxx xxxx xxxx xxxx - - - - xxxx 111 - 000 1000 0001 xxxx xxxx 0000 0000 0000 0000 111 - - - 00000 0000 0000 0000 0000 0000 - - 00 0000 - 000 0000 0000 0000 WDT 溢出 ( 正常模式 ) 0000 0000 0000 0000 0000 0000 - - - - - -00 0000 0000 - - - - - -00 0000 0000 0000 0000 0000 0000 - - - - - -00 0000 0000 - - - - - -00 - - - - - -00 0 - - - - 000 0 - - - - 000 - - - - - -00 0110 0000 - 000 - 000 xxxx - - - - xxxx xxxx xxxx xxxx - - - - xxxx 111 - 000 1000 0001 xxxx xxxx 0000 0000 0000 0000 111 - - - 00000 0000 0000 0000 0000 0000 - - 00 0000 - 000 0000 0000 0000 WDT 溢出 (HALT) uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu - - - - - -uu uuuu uuuu - - - - - -uu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu - - - - - -uu uuuu uuuu - - - - - -uu - - - - - -uu u - - - - uuu u - - - - uuu - - - - - -uu uuuu uuuu - uuu - uuu uuuu - - - - uuuu uuuu uuuu uuuu - - - - uuuu uuu - uuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuu - - - uuuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu - - uu uuuu - uuu uuuu uuuu uuuu Rev. 1.00 71 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 HT66F70A HT66F60A 寄存器 上电复位 FD0H FD1L FD1H FD2L FD2H FD3L FD3H TBC2 SCOMC EEC FC0 FC1 FC2 IFS0 IFS1 IFS2 IFS3 IFS4 IFS5 TM4C0 TM4C1 TM4DL TM4DH TM4AL TM4AH TM4RP TM5C0 TM5C1 TM5DL TM5DH TM5AL TM5AH TM5RP PAS0 PAS1 PAS2 PAS3 PBS2 PBS3 Rev.1.00 ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0- - - - 000 0000 - - - - - - - 0000 0000 0000 0000 0000 - - - - - - -0 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0- - 0000 0000 0000 0000 - - - - - - 00 0000 0000 - - - - - - 00 0000 0000 0000 0- - 0000 0000 0000 0000 - - - - - - 00 0000 0000 - - - - - - 00 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 RES 或 LVR 复位 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0- - - - 000 0000 - - - - - - - 0000 0000 0000 0000 0000 - - - - - - -0 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0- - 0000 0000 0000 0000 - - - - - - 00 0000 0000 - - - - - - 00 0000 0000 0000 0- - 0000 0000 0000 0000 - - - - - - 00 0000 0000 - - - - - - 00 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 72 WDT 溢出 ( 正常模式 ) 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0- - - - 000 0000 - - - - - - - 0000 0000 0000 0000 0000 - - - - - - -0 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0- - 0000 0000 0000 0000 - - - - - - 00 0000 0000 - - - - - - 00 0000 0000 0000 0- - 0000 0000 0000 0000 - - - - - - 00 0000 0000 - - - - - - 00 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 WDT 溢出 (HALT) uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu u- - - - uuu uuuu - - - - - - - uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu - - - - - - -u uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu u- - uuuu uuuu uuuu uuuu - - - - - - uu uuuu uuuu - - - - - - uu uuuu uuuu uuuu u- - uuuu uuuu uuuu uuuu - - - - - - uu uuuu uuuu - - - - - - uu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 HT66F70A HT66F60A 寄存器 上电复位 PCS0 PCS1 PCS2 PCS3 PDS0 PDS1 PDS2 PDS3 PES0 PES1 PES2 PES3 PFS0 PGS0 PGS1 PGS2 PGS3 PHS0 PHS1 PHS2 ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● ●● 注:“-”表示未定义 “u”表示不改变 “x”表示未知 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 RES 或 LVR 复位 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 WDT 溢出 ( 正常模式 ) 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 WDT 溢出 (HALT) uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu Rev. 1.00 73 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 输入 / 输出端口 盛群单片机的输入 / 输出口控制具有很大的灵活性。大部分引脚可在用户程序 控制下被设定为输入或输出。所有引脚的上拉电阻设置以及指定引脚的唤醒设 置也都由软件控制,这些特性也使得此类单片机在广泛应用上都能符合开发的 需求。 此系列单片机提供 PA~PH 双向输入 / 输出口。这些寄存器在数据存储器有特定 的地址。所有 I/O 口用于输入输出操作。作为输入操作,输入引脚无锁存功能, 也就是说输入数据必须在执行“MOV A,[m]”,T2 的上升沿准备好,m 为端 口地址。对于输出操作,所有数据都是被锁存的,且保持不变直到输出锁存被 重写。 输入 / 输出寄存器列表 寄存器 名称 PAWU PAPU PA PAC PBPU PB PBC PCPU PC PCC PDPU PD PDC PEPU PE PEC PFPU PF PFC PGPU PG PGC PHPU PH PHC 7 PAWU7 PAPU7 PA7 PAC7 PBPU7 PB7 PBC7 PCPU7 PC7 PCC7 PDPU7 PD7 PDC7 PEPU7 PE7 PEC7 — — — PGPU7 PG7 PGC7 — — — 6 PAWU6 PAPU6 PA6 PAC6 PBPU6 PB6 PBC6 PCPU6 PC6 PCC6 PDPU6 PD6 PDC6 PEPU6 PE6 PEC6 PFPU6 PF6 PFC6 PGPU6 PG6 PGC6 — — — 5 PAWU5 PAPU5 PA5 PAC5 PBPU5 PB5 PBC5 PCPU5 PC5 PCC5 PDPU5 PD5 PDC5 PEPU5 PE5 PEC5 PFPU5 PF5 PFC5 PGPU5 PG5 PGC5 PHPU5 PH5 PHC5 位 4 3 PAWU4 PAWU3 PAPU4 PAPU3 PA4 PA3 PAC4 PAC3 PBPU4 PBPU3 PB4 PB3 PBC4 PBC3 PCPU4 PCPU3 PC4 PC3 PCC4 PCC3 PDPU4 PDPU3 PD4 PD3 PDC4 PDC3 PEPU4 PEPU3 PE4 PE3 PEC4 PEC3 PFPU4 PFPU3 PF4 PF3 PFC4 PFC3 PGPU4 PGPU3 PG4 PG3 PGC4 PGC3 PHPU4 PHPU3 PH4 PH3 PHC4 PHC3 2 1 0 PAWU2 PAWU1 PAWU0 PAPU2 PAPU1 PAPU0 PA2 PA1 PA0 PAC2 PAC1 PAC0 PBPU2 PBPU1 PBPU0 PB2 PB1 PB0 PBC2 PBC1 PBC0 PCPU2 PCPU1 PCPU0 PC2 PC1 PC0 PCC2 PCC1 PCC0 PDPU2 PDPU1 PDPU0 PD2 PD1 PD0 PDC2 PDC1 PDC0 PEPU2 PEPU1 PEPU0 PE2 PE1 PE0 PEC2 PEC1 PEC0 PFPU2 PFPU1 PFPU0 PF2 PF1 PF0 PFC2 PFC1 PFC0 PGPU2 PGPU1 PGPU0 PG2 PG1 PG0 PGC2 PGC1 PGC0 PHPU2 PHPU1 PHPU0 PH2 PH1 PH0 PHC2 PHC1 PHC0 “—”:未定义,读为“0” Rev.1.00 74 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 PAWUn:PA 唤醒功能控制 0:除能 1:使能 PAn/PBn/PCn/PDn/PEn/PFn/PGn/PHn:I/O 口数据位 0:数据 0 1:数据 1 PACn/PBCn/PCCn/PDCn/PECn/PFCn/PGCn/PHCn:I/O 口类型选择 0:输出 1:输入 PAPUn/PBPUn/PCPUn/PDPUn/PEPUn/PFPUn/PGPUn/PHPUn:上拉功能控制 0:除能 1:使能 上拉电阻 许多产品应用在端口处于输入状态时需要外加一个上拉电阻来实现上拉的功 能。为了免去外部上拉电阻,当引脚规划为输入时,可由内部连接到一个上拉 电阻。这些上拉电阻可通过寄存器 PAPU~PHPU 来设置,它用一个 PMOS 晶体 管来实现上拉电阻功能。 PA 口唤醒 当使用暂停指令“HALT”迫使单片机进入休眠或空闲模式,单片机的系统时 钟将会停止以降低功耗,此功能对于电池及低功耗应用很重要。唤醒单片机有 很多种方法,其中之一就是使 PA 口的其中一个引脚从高电平转为低电平。这 个功能特别适合于通过外部开关来唤醒的应用。PA 口的每个引脚可以通过设置 PAWU 寄存器来单独选择是否具有唤醒功能。 PAWU 寄存器 Bit Name R/W POR 7 6 5 4 3 2 1 0 PAWU7 PAWU6 PAWU5 PAWU4 PAWU3 PAWU2 PAWU1 PAWU0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 0 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7~0 PAWU:PA 口 bit 7~bit 0 唤醒功能控制位 0:除能 1:使能 输入 / 输出端口控制寄存器 每一个输入 / 输出口都具有各自的控制寄存器,即 PAC~PHC,用来控制输 入 / 输出状态。从而每个 I/O 引脚都可以通过软件控制,动态的设置为 COMS 输出或输入。所有的 I/O 端口的引脚都各自对应于 I/O 端口控制的某一位。若 I/ O 引脚要实现输入功能,则对应的控制寄存器的位需要设置为“1”。这时程序 指令可以直接读取输入脚的逻辑状态。若控制寄存器相应的位被设定为“0”, 则此引脚被设置为 COMS 输出。当引脚设置为输出状态时,程序指令读取的是 输出端口寄存器的内容。注,如果对输出口做读取动作时,程序读取到的是内 部输出数据锁存器中的状态,而不是输出引脚上实际的逻辑状态。 引脚共用功能 引脚的多功能可以增加单片机应用的灵活性。有限的引脚个数将会限制设计者, 而引脚的多功能将会解决很多此类问题。此外,这些引脚功能可以通过一系列 寄存器进行设定。 Rev. 1.00 75 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 引脚共用寄存器 封装中有限的引脚个数会对某些单片机功能造成影响。然而,引脚功能共用和 引脚功能选择,使得小封装单片机具有更多不同的功能。单片机包含端口“x” 输出功能选择寄存器“n”,记为 PxSn,且输入功能选择寄存器“i”,记为 IFSi,这些寄存器可以用来选择共用引脚的特定功能。 当选择引脚共用输入功能,对应的输入和输出功能要进行合理设定。例如,I2C SDA 端口被使用,对应的输出引脚共用功能则要通过寄存器 PxSn 设置为 SDI/ SDA 功能,且 SDA 信号输入也要通过 IFSi 寄存器进行合理选择。但是,如果 选择外部中断功能,相关的输出引脚共用功能应选择作为输入 / 输出口,且也 要选择中断输入信号。 寄存器 名称 PAS0 PAS1 PAS2 PAS3 PBS2 PBS3 PCS0 PCS1 PCS2 PCS3 PDS0 PDS1 PDS2 PDS3 PES0 PES1 PES2 PES3 PFS0 PGS0 PGS1 PGS2 PGS3 PHS0 PHS1 PHS2 IFS0 IFS1 IFS2 IFS3 IFS4 IFS5 位 7 6 5 4 3 2 1 0 PA1S3 PA1S2 PA1S1 PA1S0 D3 D2 D1 D0 PA3S3 PA3S2 PA3S1 PA3S0 D3 D2 D1 D0 PA5S3 PA5S2 PA5S1 PA5S0 PA4S3 PA4S2 PA4S1 PA4S0 PA7S3 PA7S2 PA7S1 PA7S0 PA6S3 PA6S2 PA6S1 PA6S0 PB5S3 PB5S2 PB5S1 PB5S0 D3 D2 D1 D0 PB7S3 PB7S2 PB7S1 PB7S0 PB6S3 PB6S2 PB6S1 PB6S0 PC1S3 PC1S2 PC1S1 PC1S0 PC0S3 PC0S2 PC0S1 PC0S0 PC3S3 PC3S2 PC3S1 PC3S0 PC2S3 PC2S2 PC2S1 PC2S0 PC5S3 PC5S2 PC5S1 PC5S0 PC4S3 PC4S2 PC4S1 PC4S0 PC7S3 PC7S2 PC7S1 PC7S0 PC6S3 PC6S2 PC6S1 PC6S0 PD1S3 PD1S2 PD1S1 PD1S0 PD0S3 PD0S2 PD0S1 PD0S0 PD3S3 PD3S2 PD3S1 PD3S0 PD2S3 PD2S2 PD2S1 PD2S0 PD5S3 PD5S2 PD5S1 PD5S0 PD4S3 PD4S2 PD4S1 PD4S0 PD7S3 PD7S2 PD7S1 PD7S0 PD6S3 PD6S2 PD6S1 PD6S0 PE1S3 PE1S2 PE1S1 PE1S0 PE0S3 PE0S2 PE0S1 PE0S0 PE3S3 PE3S2 PE3S1 PE3S0 D3 D2 D1 D0 PE5S3 PE5S2 PE5S1 PE5S0 PE4S3 PE4S2 PE4S1 PE4S0 PE7S3 PE7S2 PF7S1 PE7S0 PE6S3 PE6S2 PE6S1 PE6S0 PF1S3 PF1S2 PF1S1 PF1S0 PF0S3 PF0S2 PF0S1 PF0S0 PG1S3 PG1S2 PG1S1 PG1S0 PG0S3 PG0S2 PG0S1 PG0S0 PG3S3 PG3S2 PG3S1 PG3S0 D3 D2 D1 D0 D7 D6 D5 D4 PG4S3 PG4S2 PG4S1 PG4S0 PG7S3 PG7S2 PG7S1 PG7S0 PG6S3 PG6S2 PG6S1 PG6S0 PH1S3 PH1S2 PH1S1 PH1S0 PH0S3 PH0S2 PH0S1 PH0S0 PH3S3 PH3S2 PH3S1 PH3S0 PH2S3 PH2S2 PH2S1 PH2S0 PH5S3 PH5S2 PH5S1 PH5S0 D3 D2 D1 D0 PINTBS1 PINBS0 INT2S1 INT2S0 INT1S1 INT1S0 INT0S1 INT0S0 TCK3S1 TCK3S0 TCK2S1 TCK2S0 TCK1S1 TCK1S0 TCK0S1 TCK0S0 TP2IS1 TP2IS0 TP1IBS1 TP1IBS0 TP1IAS1 TP1IAS0 D1 D0 D7 D6 TP5IS1 TP5IS0 TP4IS1 TP4IS0 D1 D0 D7 D6 SDIS1 SDIS0 SCKS1 SCKS0 SCSBS1 SCSBS0 D7 D6 SDIAS1 SDIAS0 SCKAS1 SCKAS0 SCSABS1 SCSABS0 Rev.1.00 76 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 PAS0 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name PA1S3 PA1S2 PA1S1 PA1S0 D3 D2 D1 D0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR 0 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7~4 Bit 3~0 PA1S3~PA1S0:PA1 功能选择 0000:I/O 0001:TP1A 0011:AN1 其他:保留 保留位,可读写 PAS1 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name PA3S3 PA3S2 PA3S1 PA3S0 D3 D2 D1 D0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR 0 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7~4 Bit 3~0 PA3S3~PA3S0:PA3 功能选择 0000:I/O 0011:AN3 0111:C0N 1111:AN3 和 C0N 其他:保留 保留位,可读写 PAS2 寄存器 Bit Name R/W POR 7 PA5S3 R/W 0 6 PA5S2 R/W 0 5 PA5S1 R/W 0 4 PA5S0 R/W 0 3 PA4S3 R/W 0 2 PA4S2 R/W 0 1 PA4S1 R/W 0 0 PA4S0 R/W 0 Bit 7~4 Bit 3~0 PA5S3~PA5S0:PA5 功能选择 0000:I/O 0001:SDO 0010:C1X 0011:AN5 其他:保留 PA4S3~PA4S0:PA4 功能选择 0000:I/O 0011:AN4 其他:保留 Rev. 1.00 77 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 PAS3 寄存器 Bit Name R/W POR 7 PA7S3 R/W 0 6 PA7S2 R/W 0 5 PA7S1 R/W 0 4 PA7S0 R/W 0 3 PA6S3 R/W 0 2 PA6S2 R/W 0 1 PA6S1 R/W 0 0 PA6S0 R/W 0 Bit 7~4 Bit 3~0 PA7S3~PA7S0:PA7 功能选择 0000:I/O 0010:SCK/SCL 0011:AN7 其他:保留 PA6S3~PA6S0:PA6 功能选择 0000:I/O 0010:SDI/SDA 0011:AN6 其他:保留 PBS2 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name PB5S3 PB5S2 PB5S1 PB5S0 D3 D2 D1 D0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR 0 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7~4 Bit 3~0 PB5S3~PB5S0:PB5 功能选择 0000:I/O 0001:SCS 其他:保留 保留位,可读写 PBS3 寄存器 Bit Name R/W POR 7 PB7S3 R/W 0 6 PB7S2 R/W 0 5 PB7S1 R/W 0 4 PB7S0 R/W 0 3 PB6S3 R/W 0 2 PB6S2 R/W 0 1 PB6S1 R/W 0 0 PB6S0 R/W 0 Bit 7~4 Bit 3~0 PB7S3~PB7S0:PB7 功能选择 0000:I/O 0010:SDI/SDA 其他:保留 PB6S3~PB6S0:PB6 功能选择 0000:I/O 0001:SDO 其他:保留 Rev.1.00 78 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 PCS0 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~4 Bit 3~0 7 PC1S3 R/W 0 6 PC1S2 R/W 0 5 PC1S1 R/W 0 4 PC1S0 R/W 0 PC1S3~PC1S0:PC1 功能选择 0000:I/O 0001:TP1B 0010:TP1BB 0011:SCOM1 其他:保留 PC0S3~PC0S0:PC0 功能选择 0000:I/O 0001:TP1B 0010:TP1BB 0011:SCOM0 其他:保留 3 PC0S3 R/W 0 2 PC0S2 R/W 0 1 PC0S1 R/W 0 0 PC0S0 R/W 0 PCS1 寄存器 Bit Name R/W POR 7 PC3S3 R/W 0 6 PC3S2 R/W 0 5 PC3S1 R/W 0 4 PC3S0 R/W 0 3 PC2S3 R/W 0 2 PC2S2 R/W 0 1 PC2S1 R/W 0 0 PC2S0 R/W 0 Bit 7~4 Bit 3~0 PC3S3~PC3S0:PC3 功能选择 0000:I/O 0001:TP2 0010:C1X 0100:TP1B 其他:保留 PC2S3~PC2S0:PC2 功能选择 0000:I/O 0001:PCK 0010:C0X 其他:保留 Rev. 1.00 79 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 PCS2 寄存器 Bit Name R/W POR 7 PC5S3 R/W 0 6 PC5S2 R/W 0 5 PC5S1 R/W 0 4 PC5S0 R/W 0 3 PC4S3 R/W 0 2 PC4S2 R/W 0 1 PC4S1 R/W 0 0 PC4S0 R/W 0 Bit 7~4 Bit 3~0 PC5S3~PC5S0:PC5 功能选择 0000:I/O 0001:PCK 0010:TP0 0100:TP1B 0101:TP0B 0110:TP1BB 其他:保留 PC4S3~PC4S0:PC4 功能选择 0000:I/O 0001:TP2 0010:TP2B 其他:保留 PCS3 寄存器 Bit Name R/W POR 7 PC7S3 R/W 0 6 PC7S2 R/W 0 5 PC7S1 R/W 0 4 PC7S0 R/W 0 3 PC6S3 R/W 0 2 PC6S2 R/W 0 1 PC6S1 R/W 0 0 PC6S0 R/W 0 Bit 7~4 Bit 3~0 PC7S3~PC7S0:PC7 功能选择 0000:I/O 0001:TP1A 0011:SCOM3 其他:保留 PC6S3~PC6S0:PC6 功能选择 0000:I/O 0001:TP0 0010:TP0B 0011:SCOM2 其他:保留 Rev.1.00 80 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 PDS0 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~4 Bit 3~0 7 PD1S3 R/W 0 6 PD1S2 R/W 0 5 PD1S1 R/W 0 4 PD1S0 R/W 0 3 PD0S3 R/W 0 PD1S3~PD1S0:PD1 功能选择 0000:I/O 0001:TP2 0010:SCK/SCL 0100:SDO 0101:TP2B 其他:保留 PD0S3~PD0S0:PD0 功能选择 0000:I/O 0001:TP3 0010:SCS 0100:TP3B 其他:保留 2 PD0S2 R/W 0 1 PD0S1 R/W 0 0 PD0S0 R/W 0 PDS1 寄存器 Bit Name R/W POR 7 PD3S3 R/W 0 6 PD3S2 R/W 0 5 PD3S1 R/W 0 4 PD3S0 R/W 0 3 PD2S3 R/W 0 2 PD2S2 R/W 0 1 PD2S1 R/W 0 0 PD2S0 R/W 0 Bit 7~4 Bit 3~0 PD3S3~PD3S0:PD3 功能选择 0000:I/O 0001:TP3 0010:SCK/SCL 0100:SDO 0101:TP3B 其他:保留 PD2S3~PD2S0:PD2 功能选择 0000:I/O 0010:SDI/SDA 其他:保留 Rev. 1.00 81 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 PDS2 寄存器 Bit Name R/W POR 7 PD5S3 R/W 0 6 PD5S2 R/W 0 5 PD5S1 R/W 0 4 PD5S0 R/W 0 3 PD4S3 R/W 0 2 PD4S2 R/W 0 1 PD4S1 R/W 0 0 PD4S0 R/W 0 Bit 7~4 Bit 3~0 PD5S3~PD5S0:PD5 功能选择 0000:I/O 0001:TP0 0010:TP0B 其他:保留 PD4S3~PD4S0:PD4 功能选择 0000:I/O 0001:TP2 0010:TP2B 其他:保留 PDS3 寄存器 Bit Name R/W POR 7 PD7S3 R/W 0 6 PD7S2 R/W 0 5 PD7S1 R/W 0 4 PD7S0 R/W 0 3 PD6S3 R/W 0 2 PD6S2 R/W 0 1 PD6S1 R/W 0 0 PD6S0 R/W 0 Bit 7~4 Bit 3~0 PD7S3~PD7S0:PD7 功能选择 0000:I/O 0001:SCS 其他:保留 PD6S3~PD6S0:PD6 功能选择 0000:I/O 0010:SCK/SCL 其他:保留 PES0 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~4 Bit 3~0 7 PE1S3 R/W 0 6 PE1S2 R/W 0 5 PE1S1 R/W 0 4 PE1S0 R/W 0 PE1S3~PE1S0:PE1 功能选择 0000:I/O 0001:SCKA 其他:保留 PE0S3~PE0S0:PE0 功能选择 0000:I/O 0001:SCSA 其他:保留 3 PE0S3 R/W 0 2 PE0S2 R/W 0 1 PE0S1 R/W 0 0 PE0S0 R/W 0 Rev.1.00 82 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 PES1 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name PE3S3 PE3S2 PE3S1 PE3S0 D3 D2 D1 D0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR 0 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7~4 Bit 3~0 PE3S3~PE3S0:PE3 功能选择 0000:I/O 0001:SDOA 其他:保留 保留位,可读写 PES2 寄存器 Bit Name R/W POR 7 PE5S3 R/W 0 6 PE5S2 R/W 0 5 PE5S1 R/W 0 4 PE5S0 R/W 0 3 PE4S3 R/W 0 2 PE4S2 R/W 0 1 PE4S1 R/W 0 0 PE4S0 R/W 0 Bit 7~4 Bit 3~0 PE5S3~PE5S0:PE5 功能选择 0000:I/O 0001:TP3 0010:TP3B 其他:保留 PE4S3~PE4S0:PE4 功能选择 0000:I/O 0001:TP1B 0010:TP1BB 其他:保留 PES3 寄存器 Bit Name R/W POR 7 PE7S3 R/W 0 6 PE7S2 R/W 0 5 PF7S1 R/W 0 4 PE7S0 R/W 0 3 PE6S3 R/W 0 2 PE6S2 R/W 0 1 PE6S1 R/W 0 0 PE6S0 R/W 0 Bit 7~4 Bit 3~0 PE7S3~PE7S0:PE7 功能选择 0000:I/O 0011:AN9 其他:保留 PE6S3~PE6S0:PE6 功能选择 0000:I/O 0011:AN8 其他:保留 Rev. 1.00 83 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 PFS0 寄存器 Bit Name R/W POR 7 PF1S3 R/W 0 6 PF1S2 R/W 0 5 PF1S1 R/W 0 4 PF1S0 R/W 0 Bit 7~4 Bit 3~0 PF1S3~PF1S0:PF1 功能选择 0000:I/O 0011:AN11 0111:C1P 1111:AN11 和 C1P 其他:保留 PF0S3~PF0S0:PF0 功能选择 0000:I/O 0011:AN10 0111:C1N 1111:AN10 和 C1N 其他:保留 3 PF0S3 R/W 0 2 PF0S2 R/W 0 1 PF0S1 R/W 0 0 PF0S0 R/W 0 PGS0 寄存器 Bit Name R/W POR 7 PG1S3 R/W 0 6 PG1S2 R/W 0 5 PG1S1 R/W 0 4 PG1S0 R/W 0 3 PG0S3 R/W 0 2 PG0S2 R/W 0 1 PG0S1 R/W 0 0 PG0S0 R/W 0 Bit 7~4 Bit 3~0 PG1S3~PG1S0:PG1 功能选择 0000:I/O 0001:C1X 其他:保留 PG0S3~PG0S0:PG0 功能选择 0000:I/O 0001:C0X 其他:保留 PGS1 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name PG3S3 PG3S2 PG3S1 PG3S0 D3 D2 D1 D0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR 0 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7~4 Bit 3~0 PG3S3~PG3S0:PG3 功能选择 0000:I/O 0001:TP4 0001:TP4B 其他:保留 保留位,可读写 Rev.1.00 84 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 PGS2 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~4 Bit 3~0 7 6 5 4 D7 D6 D5 D4 R/W R/W R/W R/W 0 0 0 0 保留位,可读写 PG4S3~PG4S0:PG4 功能选择 0000:I/O 0001:TP4 0001:TP4B 其他:保留 3 PG4S3 R/W 0 2 PG4S2 R/W 0 1 PG4S1 R/W 0 0 PG4S0 R/W 0 PGS3 寄存器 Bit Name R/W POR 7 PG7S3 R/W 0 6 PG7S2 R/W 0 5 PG7S1 R/W 0 4 PG7S0 R/W 0 3 PG6S3 R/W 0 2 PG6S2 R/W 0 1 PG6S1 R/W 0 0 PG6S0 R/W 0 Bit 7~4 Bit 3~0 PG7S3~PG7S0:PG7 功能选择 0000:I/O 0001:TP5 0010:TP5B 其他:保留 PG6S3~PG6S0:PG6 功能选择 0000:I/O 0001:TP5 0010:TP5B 其他:保留 PHS0 寄存器 Bit Name R/W POR 7 PH1S3 R/W 0 6 PH1S2 R/W 0 5 PH1S1 R/W 0 4 PH1S0 R/W 0 3 PH0S3 R/W 0 2 PH0S2 R/W 0 1 PH0S1 R/W 0 0 PH0S0 R/W 0 Bit 7~4 Bit 3~0 PH1S3~PH2S0:PH1 功能选择 0000:I/O 0011:AN2 0111:C0P 1111:AN2 和 C0P 其他:保留 PH0S3~PH0S0:PH0 功能选择 0000:I/O 0001:TP0 0010:C0X 0011:AN0 和 VREF 0100:TP0B 其他:保留 Rev. 1.00 85 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 PHS1 寄存器 Bit Name R/W POR 7 PH3S3 R/W 0 6 PH3S2 R/W 0 5 PH3S1 R/W 0 4 PH3S0 R/W 0 3 PH2S3 R/W 0 2 PH2S2 R/W 0 1 PH2S1 R/W 0 0 PH2S0 R/W 0 Bit 7~4 Bit 3~0 PH3S3~PH3S0:PH3 功能选择 0000:I/O 0001:SCKA 其他:保留 PH2S3~PH2S0:PH2 功能选择 0000:I/O 0001:SCSA 其他:保留 PHS2 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name PH5S3 PH5S2 PH5S1 PH5S0 D3 D2 D1 D0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR 0 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7~4 Bit 3~0 PH5S3~PH5S0:PH5 功能选择 0000:I/O 0001:SDOA 其他:保留 保留位,可读写 IFS0 寄存器 Bit Name R/W POR 7 6 5 PINTBS1 PINBS0 INT2S1 R/W R/W R/W 0 0 0 4 INT2S0 R/W 0 3 INT1S1 R/W 0 2 INT1S0 R/W 0 1 INT0S1 R/W 0 0 INT0S0 R/W 0 Bit 7~6 Bit 5~4 Bit 3~2 Bit 1~0 PINTBS1~PINTBS0:PINT 输入源引脚选择 00:PC3 其他:PC4 INT2S1~INT2S0:INT2 输入源引脚选择 00:PC4 其他:PE2 INT1S1~INT1S0:INT1 输入源引脚选择 00:PA4 01:PC5 10:PE1 11:PE7 INT0S1~INT0S0:INT0 输入源引脚选择 00:PA3 01:PC4 10:PE0 11:PE6 Rev.1.00 86 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 IFS1 寄存器 Bit Name R/W POR 7 6 5 4 3 2 1 0 TCK3S1 TCK3S0 TCK2S1 TCK2S0 TCK1S1 TCK1S0 TCK0S1 TCK0S0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 0 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7~6 Bit 5~4 Bit 3~2 Bit 1~0 TCK3S1~TCK3S0:TCK3 输入源引脚选择 00:PC4 其他:PE3 TCK2S1~TCK2S0:TCK2 输入源引脚选择 00:PC2 其他:PD0 TCK1S1~TCK1S0:TCK1 输入源引脚选择 00:PA4 其他:PD3 TCK0S1~TCK0S0:TCK0 输入源引脚选择 00:PH1 其他:PD2 IFS2 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 Name TP2IS1 TP2IS0 TP1IBS1 TP1IBS0 TP1IAS1 TP1IAS0 D1 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7~6 Bit 5~4 Bit 3~2 Bit 1~0 TP2IS1~TP2IS0:TP2I 输入源引脚选择 00:PC3 01:PC4 10:PD1 11:PD4 TP1IBS1~TP1IBS0:TP1IB 输入源引脚选择 00:PC0 01:PC1 10:PC5 11:PE4 TP1IAS1~TP1IAS0:TP1IA 输入源引脚选择 00:PA1 其他:PC7 保留位,可读写 0 D0 R/W 0 Rev. 1.00 87 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 IFS3 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name D7 D6 TP5IS1 TP5IS0 TP4IS1 TP4IS0 D1 D0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR 0 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7~6 Bit 5~4 Bit 3~2 Bit 1~0 保留位,可读写 TP5IS1~TP5IS0:TP5I 输入源引脚选择 00:PG6 其他:PG7 TP4IS1~TP4IS0:TP4I 输入源引脚选择 00:PG3 其他:PG4 保留位,可读写 IFS4 寄存器 Bit 7 Name D7 R/W R/W POR 0 6 5 4 3 2 1 0 D6 SDIS1 SDIS0 SCKS1 SCKS0 SCSBS1 SCSBS0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7~6 Bit 5~4 Bit 3~2 Bit 1~0 保留位,可读写 SDIS1~SDIS0:SDI/SDA 输入源引脚选择 00:PA6 01:PB7 其他:PD2 SCKS1~SCKS0:SCK/SCL 输入源引脚选择 00:PA7 01:PD3 10:PD1 11:PD6 SCSBS1~SCSBS0:SCS 输入源引脚选择 00:PB5 01:PD0 其他:PD7 IFS5 寄存器 Bit 7 Name D7 R/W R/W POR 0 6 5 4 3 2 1 0 D6 SDIAS1 SDIAS0 SCKAS1 SCKAS0 SCSABS1 SCSABS0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7~6 Bit 5~4 Bit 3~2 Bit 1~0 保留位,可读写 SDIAS1~SDIAS0:SDIA 输入源引脚选择 00:PE2 其他:PH4 SCKAS1~SCKAS0:SCKA 输入源引脚选择 00:PE1 其他:PH3 SCSABS1~SCSABS0:SCSA 输入源引脚选择 00:PE0 其他:PH2 Rev.1.00 88 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 输入 / 输出引脚结构 下图为输入 / 输出引脚的内部结构图。输入 / 输出引脚的准确逻辑结构图可能与 此图不同,这里只是为了方便对 I/O 引脚功能的理解提供的一个参考。图中的 引脚共用结构并非针对所有单片机。 D a ta B u s C o n tr o l B it D Q P u ll- H ig h R e g is te r S e le c t V DD W eak P u ll- u p W r ite C o n tr o l R e g is te r C h ip R e s e t R e a d C o n tr o l R e g is te r W r ite D a ta R e g is te r R e a d D a ta R e g is te r CK Q S D a ta B it D Q CK Q S M U X I/O p in S y s te m W a k e -u p W a k e - u p S e le c t P A o n ly 通用输入 / 输出端口 D a ta B u s W r ite C o n tr o l R e g is te r C h ip R e s e t R e a d C o n tr o l R e g is te r W r ite D a ta R e g is te r R e a d D a ta R e g is te r T o A /D C o n v e rte r C o n tr o l B it D Q P u ll- H ig h R e g is te r S e le c t C KS Q V DD W eak P u ll- u p D a ta B it D Q C KS Q M U X A n a lo g In p u t S e le c to r A C S 4~A C S 0 A/D 输入 / 输出端口 A /D In p u t P o rt Rev. 1.00 89 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 编程注意事项 在编程中,最先要考虑的是端口的初始化。复位之后,所有的输入 / 输出数据 及端口控制寄存器都将被设为逻辑高。所有输入 / 输出引脚默认为输入状态, 而其电平则取决于其它相连接电路以及是否选择了上拉电阻。如果端口控制寄 存器某些引脚位被设定输出状态,这些输出引脚会有初始高电平输出,除非数 据寄存器端口在程序中被预先设定。设置哪些引脚是输入及哪些引脚是输出, 可通过设置正确的值到适当的端口控制寄存器,或使用指令“SET [m].i”及 “CLR [m].i”来设定端口控制寄存器中个别的位。注意,当使用这些位控制指 令时,系统即将产生一个读 - 修改 - 写的操作。单片机需要先读入整个端口上 的数据,修改个别的位,然后重新把这些数据写入到输出端口。 PA 口的每个引脚都带唤醒功能。单片机处于休眠或空闲模式时,有很多方法可 以唤醒单片机,其中之一就是通过 PA 任一引脚电平从高到低转换的方式,可 以设置 PA 口一个或多个引脚具有唤醒功能。 定时器模块 – TM 控制和测量时间在任何单片机中都是一个很重要的部分。每个单片机提供几个 定时器模块 ( 简称 TM),来实现和时间有关的功能。定时器模块是包括多种操 作的定时单元,提供的操作有:定时 / 事件计数器,捕捉输入,比较匹配输出, 单脉冲输出以及 PWM 输出等功能。每个定时器模块有两个或三个独立中断。 每个 TM 外加的输入输出引脚,扩大了定时器的灵活性,便于用户使用。 这里只介绍各种 TM 的共性,更多详细资料请参考简易型,标准型和增强型定 时器章节。 简介 该系列单片机包含 6 个 TM,取决于所选单片机的型号,分别命名为 TM0~TM5。 每个 TM 可被划分为一个特定的类型,即简易型 TM,标准型 TM 或增强型 TM。虽然性质相似,但不同 TM 特性复杂度不同。本章介绍简易型,标准型和 增强型 TM 的共性,更多详细资料分别见后面各章。三种类型 TM 的特性和区 别见下表。 功能 定时 / 计数器 捕捉输入 比较匹配输出 PWM 通道数 单脉冲输出 PWM 对齐方式 PWM 调节周期 & 占空比 CTM √ — √ 1 — 边沿对齐 占空比或周期 STM √ √ √ 1 1 边沿对齐 占空比或周期 ETM √ √ √ 2 1 边沿 & 中心对齐 占空比或周期 TM 功能概要 该系列每款单片机包括一定数目的定时器单元,其中有简易型,标准型和增强 型 TM,依次命名为 TM0~TM5 并见下表。 单片机 HT66F60A HT66F70A TM0 TM1 TM2 TM3 TM4 TM5 10-bit CTM 10-bit ETM 16-bit STM 10-bit CTM 16-bit STM 16-bit STM TM 名称 / 类型参考 Rev.1.00 90 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 TM 操作 不同类型的 TM 提供从简单的定时操作到 PWM 信号产生等多种功能。理解 TM 操作的关键是比较 TM 内独立运行的计数器的值与内部比较器的预置值。 当计数器的值与比较器的预置值相同时,则比较匹配,TM 中断信号产生,清 零计数器并改变 TM 输出引脚的状态。用户选择内部时钟或外部时钟来驱动内 部 TM 计数器。 TM 时钟源 驱动 TM 计数器的时钟源很多。通过设置 TM 控制寄存器的 TnCK2~TnCK0 位, 选择所需的时钟源。该时钟源来自系统时钟 fSYS 或内部高速时钟 fH 或 fSUB 时钟 源或外部 TCKn 引脚时钟的分频比。注意:设置 TnCK2~TnCK0 为 101,将选 择 TM 预设时钟输入,有效切断 TM 时钟源。TCKn 引脚时钟源用于允许外部 信号作为 TM 时钟源或用于事件计数。 TM 中断 简易型 TM 和标准型 TM 都拥有两个内部中断,分别是内部比较器 A 或比较器 P,当比较匹配发生时产生 TM 中断。增强型 TM 有三个内部比较器,即比较器 A 或比较器 B 或比较器 P,相应的有三个内部中断。当 TM 中断产生时,计数 器清零并改变 TM 输出引脚的状态。 TM 外部引脚 无论哪种类型的 TM,都有两种 TM 输入引脚 TCKn 和 TPnI。通过设置 TMnC0 寄存器中的 TnCK2~TnCK0 位,选择 TM 功能并将该引脚作为 TM 时钟源输入 脚。外部时钟源可通过该引脚来驱动内部 TM。外部 TM 输入脚也与其它功能 共用,但是,如果设置适当值给 TnCK2~TnCK0,该引脚会连接到内部 TM。 TM 引脚可选择上升沿有效或下降沿有效。TCKn 引脚也可用作 STM 和 ETM 单脉冲模式的外部触发引脚。 另一种 TM 输入引脚 TPnI 作为捕捉输入脚,其有效边沿有上升沿、下降沿和双 沿,通过设置 TMnC1 寄存器中的 TnIO1 和 TnIO0 位来选择有效边沿类型。 每个 TM 有多个输出引脚 TPn 和 TPnB。当 TM 工作在比较匹配输出模式且比 较匹配发生时,这些引脚会由 TM 控制切换到高电平或低电平或翻转。外部 TPn 输出引脚也被 TM 用来产生 PWM 输出波形。当 TM 输出引脚与其它功能 共用时,TM 输出功能需要通过寄存器先被设置。寄存器中的一个单独位用于 决定其相关引脚用于外部 TM 输出还是用于其它功能。每个单片机和不同类型 TM 中输出引脚的个数是不同的,详见下表。 单片机 CTM STM ETM 寄存器 HT66F60A HT66F70A TP0,TP0B,TCK0 TP3,TP3B,TCK3 TP1A,TP1IA,TCK1 TP1B,TP1BB,TP1IB TP2,TP2B,TP2I,TCK2 TP4,TP4B,TP4I,TCK4 TP5,TP5B,TP5I,TCK5 IFSi TM 输入 / 输出引脚 Rev. 1.00 91 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 TM 输入 / 输出引脚控制寄存器 通过设置一或两个与 TM 输入 / 输出引脚相关的寄存器的一位,选择作为 TM 输入 / 输出功能或其它共用功能。正确设置选择位时,相关引脚用作 TM 输入 / 输出。更多引脚共用功能选择详见引脚共用功能章节。 TCKn CTM (TMn) CCR output CCR inverted output TPn TPnB CTM 功能引脚控制框图 (n=0 或 3) TCKn STM (TMn) CCR capture input CCR output CCR inverted output TPnI TPn TPnB STM 功能引脚控制框图 (n=2,4,5) TCK1 ETM (TM1) CCRA capture input CCRA output TP1IA TP1A CCRB capture input CCRB output CCRB inverted output ETM 功能引脚控制框图 TP1IB TP1B TP1BB Rev.1.00 92 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 编程注意事项 TM 计数寄存器和捕捉 / 比较寄存器 CCRA 和 CCRB 寄存器,含有低字节和高 字节结构。高字节可直接访问,低字节则仅能通过一个内部 8-bit 的缓存器进行 访问。读写这些成对的寄存器需通过特殊的方式。值得注意的是 8-bit 缓存器的 存取数据及相关低字节的读写操作仅在其相应的高字节读取操作执行时发生。 TM Counter Register (Read only) TMxDL TMxDH 8-bit Buffer TMxAL TMxAH TM CCRA Register (Read/Write) TMxBL TMxBH TM CCRB Register (Read/Write) Data Bus 正如 CCRA 和 CCRB 寄存器按照下图方式执行且具体存取这些寄存器对的方式 如上所述,建议使用“MOV”指令,通过以下步骤访问 CCRA 和 CCRB 低字节, 命名为 TMxAL 和 TMxBL。若不采用以下步骤访问 CCRA 和 CCRB 将导致不 可预期的结果。 读写流程如下步骤所示: ● 写数据至 CCRB 或 CCRA ♦ 步骤 1. 写数据至低字节寄存器 TMxAL 或 TMxBL – 注意,此时数据仅写入 8-bit 缓存器。 ♦ 步骤 2. 写数据至高字节寄存器 TMxAH 或 TMxBH – 注意,此时数据直接写入高字节寄存器,同时锁存在 8-bit 缓存器中的数 据写入低字节寄存器。 ● 由计数器寄存器和 CCRB 或 CCRA 中读取数据 ♦ 步骤 1. 由高字节寄存器 TMxDH,TMxAH 或 TMxBH 读取数据 – 注意,此时高字节寄存器中的数据直接读取,同时由低字节寄存器读取 的数据锁存至 8-bit 缓存器中。 ♦ 步骤 2. 由低字节寄存器 TMxDL、TMxAL 或 TMxBL 读取数据 – 注意,此时读取 8-bit 缓存器中的数据。 Rev. 1.00 93 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 简易型 TM – CTM 虽然简易型 TM 是三种 TM 类型中最简单的形式,但仍然包括三种工作模式, 即比较匹配输出,定时 / 事件计数器和 PWM 输出模式。简易型 TM 也由外部 输入脚控制并驱动两个外部输出脚。两个外部输出脚信号可以相同也可以相反。 CTM 名称 TM 编号 HT66F60A HT66F70A 10-bit CTM TM0, TM3 TM 输入引脚 TCK0; TCK3 TM 输出引脚 TP0, TP0B; TP3, TP3B CCRP 3 - b it C o m p a r a to r P C o m p a ra to r P M a tc h T n P F In te rru p t fS Y S /4 fS Y S fH /1 6 fH /6 4 fS U B R e s e rv e d TC Kn 000 001 010 011 100 101 110 111 TnO N TnP A U TnC K 2~TnC K 0 b7~b9 1 0 - b it C o u n t- u p C o u n te r C o u n te r C le a r 0 1 b0~b9 TnC C LR 1 0 - b it C o m p a r a to r A C o m p a ra to r A M a tc h TnO C O u tp u t P o la r ity O u tp u t TPn C o n tro l C o n tro l C o m p le m e n ta r y TP nB TnM 1,TnM 0 T n IO 1 , T n IO 0 TnP O L T n A F In te rru p t CCRA 简易型 TM 方框图 (n=0 或 3) 简易型 TM 操作 简易型 TM 核心是一个由用户选择的内部或外部时钟源驱动的 10 位向上计数 器,它还包括两个内部比较器即比较器 A 和比较器 P。这两个比较器将计数器 的值与 CCRP 和 CCRA 寄存器中的值进行比较。CCRP 是 3 位的,与计数器的 高 3 位比较;而 CCRA 是 10 位的,与计数器的所有位比较。 通过应用程序改变 10 位计数器值的唯一方法是使 TnON 位发生上升沿跳变清除 计数器。此外,计数器溢出或比较匹配也会自动清除计数器。上述条件发生时, 通常情况会产生 TM 中断信号。简易型 TM 可工作在不同的模式,可由包括来 自输入脚的不同时钟源驱动,也可以控制输出脚。所有工作模式的设定都是通 过设置相关寄存器来实现的。 简易型 TM 寄存器介绍 简易型 TM 的所有操作由一组六个寄存器控制。包含一对只读寄存器用来存放 10 位计数器的值,一对读 / 写寄存器存放 10 位 CCRA 的值,剩下两个控制寄 存器设置不同的操作和控制模式以及 CCRP 的 3 个位。 Rev.1.00 94 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Name Bit 7 TMnC0 TnPAU TMnC1 TnM1 TMnDL D7 TMnDH — TMnAL D7 TMnAH — Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 TnCK2 TnCK1 TnCK0 TnON TnRP2 TnRP1 TnRP0 TnM0 TnIO1 TnIO0 TnOC TnPOL TnDPX TnCCLR D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 — — — — — D9 D8 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 — — — — — D9 D8 简易型 TM 寄存器列表 (n=0 或 3) TMnDL 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~0 7 6 5 4 3 D7 D6 D5 D4 D3 R R R R R 0 0 0 0 0 TMnDL:TMn 计数器低字节寄存器 bit 7~bit 0 TMn 10-bit 计数器 bit 7~bit 0 TMnDH 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 Name — — — — — R/W — — — — — POR — — — — — Bit 7~2 Bit 1~0 未定义,读为“0” TMnDH:TMn 计数器高字节寄存器 bit 1~bit 0 TMn 10-bit 计数器 bit 9~bit 8 TMnAL 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 Name D7 D6 D5 D4 D3 R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR 0 0 0 0 0 Bit 7~0 TMnAL:TMn CCRA 低字节寄存器 bit 7~bit 0 TMn 10-bit CCRA bit 7~bit 0 TMnAH 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 Name — — — — — R/W — — — — — POR — — — — — Bit 7~2 Bit 1~0 未定义,读为“0” TMnAH:TMn CCRA 高字节寄存器 bit 1~bit 0 TMn 10-bit CCRA bit 9~bit 8 2 D2 R 0 2 — — — 2 D2 R/W 0 2 — — — 1 D1 R 0 1 D9 R 0 1 D1 R/W 0 1 D9 R/W 0 0 D0 R 0 0 D8 R 0 0 D0 R/W 0 0 D8 R/W 0 Rev. 1.00 95 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 TMnC0 寄存器 Bit Name R/W POR 7 TnPAU R/W 0 6 TnCK2 R/W 0 5 TnCK1 R/W 0 4 TnCK0 R/W 0 3 TnON R/W 0 2 TnRP2 R/W 0 1 TnRP1 R/W 0 0 TnRP0 R/W 0 Bit 7 Bit 6~4 Bit 3 Bit 2~0 TnPAU:TMn 计数器暂停控制位 0:运行 1:暂停 通过设置此位为高可使计数器暂停,清零此位恢复正常计数器操作。当处于暂 停条件时,TM 保持上电状态并继续耗电。当此位由低到高转换时,计数器将保 留其剩余值,直到此位再次改变为低电平,从此值开始继续计数。 TnCK2~TnCK0:选择 TMn 计数时钟位 000:fSYS/4 001:fSYS 010:fH/16 011:fH/64 100:fSUB 101:保留位 110:TCKn 上升沿时钟 111:TCKn 下降沿时钟 此三位用于选择 TM 的时钟源。选择保留时钟输入将有效地除能内部计数器。 外部引脚时钟源能被选择在上升沿或下降沿有效。fSYS 是系统时钟,fH 和 fSUB 是 其它的内部时钟源,细节方面请参考振荡器章节。 TnON:TMn 计数器 On/Off 控制位 0:Off 1:On 此位控制 TM 的总开关功能。设置此位为高则使能计数器使其运行,清零此位 则除能 TM。清零此位将停止计数器并关闭 TM 减少耗电。当此位经由低到高转 换时,内部计数器将复位清零;当此位经由高到低转换时,内部计数器将保持 其剩余值。 若 TM 处于比较匹配输出模式时 ( 通过 TnOC 位指定 ),当 TnON 位经由低到高 的转换时,TM 输出脚将重置其初始值。 TnRP2~TnRP0:TMn CCRP 3-bit 寄存器,对应于 TMn 计数器 bit 9~bit 7 比较 器 P 匹配周期 000:1024 个 TMn 时钟周期 001:128 个 TMn 时钟周期 010:256 个 TMn 时钟周期 011:384 个 TMn 时钟周期 100:512 个 TMn 时钟周期 101:640 个 TMn 时钟周期 110:768 个 TMn 时钟周期 111:896 个 TMn 时钟周期 此三位设定内部 CCRP 3-bit 寄存器的值,然后与内部计数器的高三位进行比较。 如果 TnCCLR 位设定为 0 时,比较结果为 0 并清除内部计数器。TnCCLR 位设 为低,内部计数器在比较器 P 比较匹配发生时被重置;由于 CCRP 只与计数器 高三位比较,比较结果是 128 时钟周期的倍数。CCRP 被清零时,实际上会使 得计数器在最大值溢出。 Rev.1.00 96 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 TMnC1 寄存器 Bit Name R/W POR 7 TnM1 R/W 0 6 TnM0 R/W 0 5 TnIO1 R/W 0 4 TnIO0 R/W 0 3 TnOC R/W 0 2 1 0 TnPOL TnDPX TnCCLR R/W R/W R/W 0 0 0 Bit 7~6 Bit 5~4 Bit 3 TnM1~TnM0:选择 TMn 工作模式位 00:比较匹配输出模式 01:未定义模式 10:PWM 模式 11:定时 / 计数器模式 这两位设置 TM 需要的工作模式。为了确保操作可靠,TM 应在 TnM1 和 TnM0 位有任何改变前先关掉。在定时 / 计数器模式,TM 输出脚控制必须除能。 TnIO1~TnIO0:选择 TPn,TPnB 输出功能位 比较匹配输出模式 00:无变化 01:输出低 10:输出高 11:输出翻转 PWM 模式 00:强制无效状态 01:强制有效状态 10:PWM 输出 11:未定义 定时 / 计数器模式 未使用 此两位用于决定在一定条件达到时 TM 输出脚如何改变状态。这两位值的选择 决定 TM 运行在哪种模式下。 在比较匹配输出模式下,TnIO1 和 TnIO0 位决定当比较器 A 比较匹配输出发生 时 TM 输出脚如何改变状态。当比较器 A 比较匹配输出发生时 TM 输出脚能设 为切换高、切换低或翻转当前状态。若此两位同时为 0 时,这个输出将不会改 变。TM 输出脚的初始值通过 TMnC1 寄存器的 TnOC 位设置取得。注意,由 TnIO1 和 TnIO0 位得到的输出电平必须与通过 TnOC 位设置的初始值不同,否 则当比较匹配发生时,TM 输出脚将不会发生变化。在 TM 输出脚改变状态后, 通过 TnON 位由低到高电平的转换复位至初始值。 在 PWM 模式,TnIO1 和 TnIO0 用于决定比较匹配条件发生时怎样改变 TM 输 出脚的状态。PWM 输出功能通过这两位的变化进行更新。仅在 TMn 关闭时改 变 TnIO1 和 TnIO0 位的值是很有必要的。若在 TM 运行时改变 TnIO1 和 TnIO0 的值,PWM 输出的值是无法预料的。 TnOC:TPn,TPnB 输出控制位 比较匹配输出模式 0:初始低 1:初始高 PWM 模式 0:低有效 1:高有效 这是 TM 输出脚输出控制位。它取决于 TM 此时正运行于比较匹配输出模式还 是 PWM 模式。若 TM 处于定时 / 计数器模式,则其不受影响。在比较匹配输出 模式时,比较匹配发生前其决定 TM 输出脚的逻辑电平值。在 PWM 模式时, 其决定 PWM 信号是高有效还是低有效。 Rev. 1.00 97 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Bit 2 Bit 1 Bit 0 TnPOL:TPn,TPnB 输出极性控制位 0:同相 1:反相 此位控制 TPn 或 TPnB 输出脚的极性。此位为高时 TM 输出脚反相,为低时 TM 输出脚同相。若 TM 处于定时 / 计数器模式时其不受影响。 TnDPX:TMn PWM 周期 / 占空比控制位 0:CCRP - 周期;CCRA - 占空比 1:CCRP - 占空比;CCRA - 周期 此位决定 CCRA 与 CCRP 寄存器哪个被用于 PWM 波形的周期和占空比控制。 TnCCLR:选择 TMn 计数器清零条件位 0:TM0 比较器 P 匹配 1:TM0 比较器 A 匹配 此位用于选择清除计数器的方法。简易型 TM 包括两个比较器 - 比较器 A 和比 较器 P。这两个比较器每个都可以用作清除内部计数器。TnCCLR 位设为高, 计数器在比较器 A 比较匹配发生时被清除;此位设为低,计数器在比较器 P 比 较匹配发生或计数器溢出时被清除。计数器溢出清除的方法仅在 CCRP 被清除 为 0 时才能生效。TnCCLR 位在 PWM 模式时未使用。 简易型 TM 工作模式 简易型 TM 有三种工作模式,即比较匹配输出模式,PWM 模式或定时 / 计数器 模式。通过设置 TMnC1 寄存器的 TnM1 和 TnM0 位选择任意工作模式。 比较匹配输出模式 为 使 TM 工 作 在 此 模 式,TMnC1 寄 存 器 中 的 TnM1 和 TnM0 位 需 要 设 置 为 “00”。当工作在该模式,一旦计数器使能并开始计数,有三种方法来清零, 分别是:计数器溢出,比较器 A 比较匹配发生和比较器 P 比较匹配发生。当 TnCCLR 位为低,有两种方法清除计数器。一种是比较器 P 比较匹配发生,另 一种是 CCRP 所有位设置为零并使得计数器溢出。此时,比较器 A 和比较器 P 的请求标志位 TnAF 和 TnPF 将分别置起。 如果 TMnC1 寄存器的 TnCCLR 位设置为高,当比较器 A 比较匹配发生时计数 器被清零。此时,即使 CCRP 寄存器的值小于 CCRA 寄存器的值,仅 TnAF 中 断请求标志产生。所以当 TnCCLR 为高时,不产生 TnPF 中断请求标志。如果 CCRA 被清零,当计数达到最大值 3FFH 时,计数器溢出,而此时不产生 TnAF 请求标志。 正如该模式名所言,当比较匹配发生后,TM 输出脚状态改变。当比较器 A 比 较匹配发生后 TnAF 标志产生时,TM 输出脚状态改变。比较器 P 比较匹配发 生时产生的 TnPF 标志不影响 TM 输出脚。TM 输出脚状态改变方式由 TMnC1 寄 存 器 中 TnIO1 和 TnIO0 位 决 定。 当 比 较 器 A 比 较 匹 配 发 生 时,TnIO1 和 TnIO0 位决定 TM 输出脚输出高,低或翻转当前状态。TM 输出脚初始值,既 可以通过 TnON 位由低到高电平的变化设置,也可以由 TnOC 位设置。注意, 若 TnIO1 和 TnIO0 位同时为 0 时,引脚输出不变。 Rev.1.00 98 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Counter Value Counter overflow CCRP=0 CCRP > 0 TnCCLR = 0; TnM [1:0] = 00 Counter cleared by CCRP value 0x3FF CCRP CCRA CCRP > 0 Resume Pause Counter Restart Stop TnON TnPAU TnPOL CCRP Int. Flag TnPF CCRA Int. Flag TnAF Time TM O/P Pin Output pin set to initial Level Low if TnOC=0 Output Toggle with TnAF flag Here TnIO [1:0] = 11 Toggle Output select Output not affected by TnAF flag. Remains High until reset by TnON bit Output Inverts when TnPOL is high Output Pin Note TnIO [1:0] = 10 Reset to Initial value Active High Output select Output controlled by other pin-shared function 比较匹配输出模式 -- TnCCLR=0 注:1. TnCCLR=0,比较器 P 匹配将清除计数器 2. TM 输出脚仅由 TnAF 标志位控制 3. 在 TnON 上升沿 TM 输出脚复位至初始值 4. n=0 或 3 Rev. 1.00 99 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Counter Value 0x3FF CCRA CCRP TnCCLR = 1; TnM [1:0] = 00 CCRA > 0 Counter cleared by CCRA value CCRA = 0 Counter overflow Resume CCRA=0 Pause Stop Counter Restart TnON Time TnPAU TnPOL CCRA Int. Flag TnAF CCRP Int. Flag TnPF No TnAF flag generated on CCRA overflow TM O/P Pin TnPF not generated Output pin set to initial Level Low if TnOC=0 Output Toggle with TnAF flag Here TnIO [1:0] = 11 Toggle Output select Output does not change Output not affected by TnAF flag. Remains High until reset by TnON bit Output Pin Output Inverts when TnPOL is high Note TnIO [1:0] = 10 Active High Output select Reset to Initial value Output controlled by other pin-shared function 比较匹配输出模式 -- TnCCLR=1 注:1. TnCCLR=1,比较器 A 匹配将清除计数器 2. TM 输出脚仅由 TnAF 标志位控制 3. 在 TnON 上升沿 TM 输出脚复位至初始值 4. 当 TnCCLR=1 时,TnPF 标志位不会产生 5. n=0 或 3 Rev.1.00 100 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 定时 / 计数器模式 为使 TM 工作在此模式,TMnC1 寄存器中的 TnM1 和 TnM0 位需要设置为“11”。 定时 / 计数器模式与比较输出模式操作方式相同,并产生同样的中断请求标志。 不同的是,在定时 / 计数器模式下 TM 输出脚未使用。因此,比较匹配输出模 式中的描述和时序图可以适用于此功能。该模式中未使用的 TM 输出脚用作普 通 I/O 脚或其它功能。 PWM 输出模式 为 使 TM 工 作 在 此 模 式,TMnC1 寄 存 器 中 的 TnM1 和 TnM0 位 需 要 设 置 为 “10”。TM 的 PWM 功能在马达控制,加热控制,照明控制等方面十分有用。 给 TM 输出脚提供一个频率固定但占空比可调的信号,将产生一个有效值等于 DC 均方根的 AC 方波。 由于 PWM 波形的周期和占空比可调,其波形的选择就极其灵活。在 PWM 模 式中,TnCCLR 位不影响 PWM 操作。CCRA 和 CCRP 寄存器决定 PWM 波形, 一个用来清除内部计数器并控制 PWM 波形的频率,另一个用来控制占空比。 哪个寄存器控制频率或占空比取决于 TMnC1 寄存器的 TnDPX 位。所以 PWM 波形频率和占空比由 CCRA 和 CCRP 寄存器共同决定。 当比较器 A 或比较器 P 比较匹配发生时,将产生 CCRA 或 CCRP 中断标志。 TMnC1 寄存器中的 TnOC 位决定 PWM 波形的极性,TnIO1 和 TnIO0 位使能 PWM 输出或将 TM 输出脚置为逻辑高或逻辑低。TnPOL 位对 PWM 输出波形 的极性取反。 CTM,PWM 模式,边沿对齐模式,TnDPX=0 CCRP 001b 010b 011b 100b 101b 110b 111b 000b Period 128 256 384 512 640 768 896 1024 Duty CCRA 若 fSYS=16MHz,TM 时钟源选择 fSYS/4,CCRP=100b,CCRA=128, CTM PWM 输出频率 =(fSYS/4)/512=fSYS/2048=7.8125kHz,duty=128/512=25%。 若由 CCRA 寄存器定义的 Duty 值等于或大于 Period 值,PWM 输出占空比为 100%。 CTM,PWM 模式,边沿对齐模式,TnDPX=1 CCRP 001b 010b 011b 100b 101b 110b 111b 000b Period CCRA Duty 128 256 384 512 640 768 896 1024 PWM 的输出周期由 CCRA 寄存器的值与 TM 的时钟共同决定,PWM 的占空比 由 CCRP 寄存器的值决定。 Rev. 1.00 101 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Counter Value CCRP CCRA Counter cleared by CCRP TnDPX = 0; TnM [1:0] = 10 Counter Reset when TnON returns high Pause Resume Counter Stop if TnON bit low TnON Time TnPAU TnPOL CCRA Int. Flag TnAF CCRP Int. Flag TnPF TM O/P Pin (TnOC=1) TM O/P Pin (TnOC=0) PWM Duty Cycle set by CCRA PWM Period set by CCRP PWM 模式 -- TnDPX=0 PWM resumes operation Output controlled by other pin-shared function Output Inverts when TnPOL = 1 注:1. TnDPX=0,CCRP 清除计数器 2. 计数器清零并设置 PWM 周期 3. 当 TnIO1,TnIO0=00 或 01,PWM 功能不变 4. TnCCLR 位不影响 PWM 操作 5. n=0 或 3 Rev.1.00 102 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Counter Value CCRA CCRP Counter cleared by CCRA TnDPX = 1; TnM [1:0] = 10 Counter Reset when TnON returns high Pause Resume Counter Stop if TnON bit low TnON Time TnPAU TnPOL CCRP Int. Flag TnPF CCRA Int. Flag TnAF TM O/P Pin (TnOC=1) TM O/P Pin (TnOC=0) PWM Duty Cycle set by CCRP PWM Period set by CCRA PWM 模式 -- TnDPX=1 PWM resumes operation Output controlled by other pin-shared function Output Inverts when TnPOL = 1 注:1. TnDPX=1,CCRA 清除计数器 2. 计数器清零并设置 PWM 周期 3. 当 TnIO1,TnIO0=00 或 01,PWM 功能不变 4. TnCCLR 位不影响 PWM 操作 5. n=0 或 3 Rev. 1.00 103 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 标准型 TM – STM 标准型 TM 包括 5 种工作模式,即比较匹配输出,定时 / 事件计数器,捕捉输入, 单脉冲输出和 PWM 输出模式。标准型 TM 也由外部输入脚控制并驱动两个外 部输出脚。 CTM 名称 TM 编号 HT66F60A HT66F70A 16-bit STM TM2, TM4, TM5 TM 输入引脚 TCK2, TP2I; TCK4, TP4I; TCK5, TP5I TM 输出引脚 TP2, TP2B; TP4, TP4B; TP5, TP5B CCRP 8 - b it C o m p a r a to r P C o m p a ra to r P M a tc h T n P F In te rru p t fS Y S /4 000 fS Y S 001 fH /1 6 010 fH /6 4 011 fS U B 100 R e s e rv e d 101 110 TC Kn 111 TnO N TnP A U TnC K 2~TnC K 0 b8~b15 1 6 - b it C o u n t- u p C o u n te r b0~b15 C o u n te r C le a r 0 1 TnC C LR TnO C O u tp u t P o la r ity O u tp u t TPn C o n tro l C o n tro l C o m p le m e n ta r y TP nB TnM 1,TnM 0 T n IO 1 , T n IO 0 TnP O L 1 6 - b it C o m p a ra to r A C o m p a ra to r A M a tc h T n IO 1 , T n IO 0 T n A F In te rru p t CCRA E dge D e te c to r TP nl 标准型 TM 框图 (n=2, 4 或 5) 标准型 TM 操作 标准型 TM 是 16 位宽度。核心是一个由用户选择的内部或外部时钟源驱动的 16 位向上计数器,它还包括两个内部比较器即比较器 A 和比较器 P。这两个比 较器将计数器的值与 CCRP 和 CCRA 寄存器中的值进行比较。CCRP 是 8 位宽 度,与计数器的高 8 位比较;而 CCRA 是 16 位的,与计数器的所有位比较。 通过应用程序改变 16 位计数器值的唯一方法是使 TnON 位发生上升沿跳变清除 计数器。此外,计数器溢出或比较匹配也会自动清除计数器。上述条件发生时, 通常情况会产生 TM 中断信号。标准型 TM 可工作在不同的模式,可由包括来 自输入脚的不同时钟源驱动,也可以控制输出脚。所有工作模式的设定都是通 过设置相关寄存器来实现的。 Rev.1.00 104 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 标准型 TM 寄存器介绍 标准型 TM 的所有工作模式由一系列寄存器控制。一对只读寄存器用来存放 16 位计数器的值,一对读 / 写寄存器存放 16 位 CCRA 的值。剩下两个控制寄存器 设置工作模式,以及 CCRP 的 8 个位。 Name TMnC0 TMnC1 TMnDL TMnDH TMnAL TMnAH TMnRP Bit 7 TnPAU TnM1 D7 D15 D7 D15 D7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 TnCK2 TnCK1 TnCK0 TnON — TnM0 TnIO1 TnIO0 TnOC TnPOL D6 D5 D4 D3 D2 D14 D13 D12 D11 D10 D6 D5 D4 D3 D2 D14 D13 D12 D11 D10 D6 D5 D4 D3 D2 16-bit 标准型 TM 寄存器列表 (n=2,4 或 5) Bit 1 — TnDPX D1 D9 D1 D9 D1 Bit 0 — TnCCLR D0 D8 D0 D8 D0 TMnC0 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name TnPAU TnCK2 TnCK1 TnCK0 TnON — — — R/W R/W R/W R/W R/W R/W — — — POR 0 0 0 0 0 — — — Bit 7 Bit 6~4 Bit 3 Bit 2~0 TnPAU:TMn 计数器暂停控制位 0:运行 1:暂停 通过设置此位为高可使计数器暂停,清零此位恢复正常计数器操作。当处于暂 停条件时,TM 保持上电状态并继续耗电。当此位由低到高转换时,计数器将保 留其剩余值,直到此位再次改变为低电平,并从此值开始继续计数。 TnCK2,TnCK1,TnCK0:选择 TMn 计数时钟位 000:fSYS/4 001:fSYS 010:fH/16 011:fH/64 100:fSUB 101:保留位 110:TCKn 上升沿时钟 111:TCKn 下降沿时钟 此三位用于选择 TM 的时钟源。选择保留时钟输入将有效地除能内部计数器。 外部引脚时钟源能被选择在上升沿或下降沿有效。fSYS 是系统时钟,fH 和 fSUB 是 其它的内部时钟源,细节方面请参考振荡器章节。 TnON:TMn 计数器 On/Off 控制位 0:Off 1:On 此位控制 TM 的总开关功能。设置此位为高则使能计数器使其运行,清零此位 则除能 TM。清零此位将停止计数器并关闭 TM 减少耗电。当此位经由低到高转 换时,内部计数器将复位清零;当此位经由高到低转换时,内部计数器将保持 其剩余值。 若 TM 处于比较匹配输出模式时 ( 通过 TnOC 位指定 ),当 TnON 位经由低到高 的转换时,TM 输出脚将重置其初始值。 未定义,读为“0” Rev. 1.00 105 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 TMnC1 寄存器 Bit Name R/W POR 7 TnM1 R/W 0 6 TnM0 R/W 0 5 TnIO1 R/W 0 4 TnIO0 R/W 0 3 TnOC R/W 0 2 1 0 TnPOL TnDPX TnCCLR R/W R/W R/W 0 0 0 Bit 7~6 Bit 5~4 Bit 3 TnM1~TnM0:选择 TMn 工作模式位 00:比较匹配输出模式 01:捕捉输入模式 10:PWM 模式或单脉冲输出模式 11:定时 / 计数器模式 这两位设置 TM 需要的工作模式。为了确保操作可靠,TM 应在 TnM1 和 TnM0 位有任何改变前先关掉。在定时 / 计数器模式,TM 输出脚控制必须除能。 TnIO1~TnIO0:选择 TPn,TPnB 输出功能位 比较匹配输出模式 00:无变化 01:输出低 10:输出高 11:输出翻转 PWM 模式 / 单脉冲输出模式 00:强制无效状态 01:强制有效状态 10:PWM 输出 11:单脉冲输出 捕捉输入模式 00:在 TPnI 上升沿输入捕捉 01:在 TPnI 下降沿输入捕捉 10:在 TPnI 双沿输入捕捉 11:输入捕捉除能 定时 / 计数器模式 未使用 此两位用于决定在一定条件达到时 TM 输出脚如何改变状态。这两位值的选择 决定 TM 运行在哪种模式下。 在比较匹配输出模式下,TnIO1 和 TnIO0 位决定当从比较器 A 比较匹配输出发 生时 TM 输出脚如何改变状态。当从比较器 A 比较匹配输出发生时 TM 输出脚 能设为切换高、切换低或翻转当前状态。若此两位同时为 0 时,这个输出将不 会改变。TM 输出脚的初始值通过 TMnC1 寄存器的 TnOC 位设置取得。注意, 由 TnIO1 和 TnIO0 位得到的输出电平必须与通过 TnOC 位设置的初始值不同, 否则当比较匹配发生时,TM 输出脚将不会发生变化。在 TM 输出脚改变状态后, 通过 TnON 位由低到高电平的转换复位至初始值。 在 PWM 模式,TnIO1 和 TnIO0 用于决定比较匹配条件发生时怎样改变 TM 输 出脚的状态。PWM 输出功能通过这两位的变化进行更新。仅在 TM 关闭时改变 TnIO1 和 TnIO0 位的值是很有必要的。若在 TM 运行时改变 TnIO1 和 TnIO0 的 值,PWM 输出的值是无法预料的。 TnOC:TPn,TPnB 输出控制位 比较匹配输出模式 0:初始低 1:初始高 PWM 模式 / 单脉冲输出模式 0:低有效 1:高有效 这是 TM 输出脚输出控制位。它取决于 TM 此时正运行于比较匹配输出模式还 是 PWM 模式 / 单脉冲输出模式。若 TM 处于定时 / 计数器模式,则其不受影响。 在比较匹配输出模式时,比较匹配发生前其决定 TM 输出脚的逻辑电平值。在 PWM 模式时,其决定 PWM 信号是高有效还是低有效。 Rev.1.00 106 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Bit 2 Bit 1 Bit 0 TnPOL:TPn,TPnB 输出极性控制位 0:同相 1:反相 此位控制 TPn 或 TPnB 输出脚的极性。此位为高时 TM 输出脚反相,为低时 TM 输出脚同相。若 TM 处于定时 / 计数器模式时其不受影响。 TnDPX:TMn PWM 周期 / 占空比控制位 0:CCRP - 周期;CCRA - 占空比 1:CCRP - 占空比;CCRA - 周期 此位决定 CCRA 与 CCRP 寄存器哪个被用于 PWM 波形的周期和占空比控制。 TnCCLR:选择 TMn 计数器清零条件位 0:TMn 比较器 P 匹配 1:TMn 比较器 A 匹配 此位用于选择清除计数器的方法。标准型 TM 包括两个比较器 - 比较器 A 和比 较器 P。这两个比较器每个都可以用作清除内部计数器。TnCCLR 位设为高, 计数器在比较器 A 比较匹配发生时被清除;此位设为低,计数器在比较器 P 比 较匹配发生或计数器溢出时被清除。计数器溢出清除的方法仅在 CCRP 被清除 为 0 时才能生效。TnCCLR 位在 PWM,单脉冲或输入捕捉模式时未使用。 TMnDL 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 R/W R R R R R R R R POR 0 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7~0 TMnDL:TMn 计数器低字节寄存器 bit 7~bit 0 TM2 16-bit 计数器 bit 7~bit 0 TMnDH 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name D15 D14 D13 D12 D11 D10 D9 D8 R/W R R R R R R R R POR 0 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7~0 TMnDH:TMn 计数器高字节寄存器 bit 7~bit 0 TMn 16-bit 计数器 bit 15~bit 8 TMnAL 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~0 7 6 5 4 3 D7 D6 D5 D4 D3 R/W R/W R/W R/W R/W 0 0 0 0 0 TMnAL:TMn CCRA 低字节寄存器 bit 7~bit 0 TMn 16-bit CCRA bit 7~bit 0 2 D2 R/W 0 1 D1 R/W 0 0 D0 R/W 0 Rev. 1.00 107 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 TMnAH 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 Name D15 D14 D13 D12 D11 R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR 0 0 0 0 0 Bit 7~0 TMnAH:TMn CCRA 高字节寄存器 bit 7~bit 0 TMn 16-bit CCRA bit 15~bit 8 2 D10 R/W 0 1 D9 R/W 0 0 D8 R/W 0 TMnRP 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR 0 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7~0 TMnRP:TMn CCRP 高字节寄存器 bit 7~bit 0 TMn CCRP 8 位寄存器,与 TMn 计数器 bit 15~bit 8 比较。比较器 P 匹配周期 0:65536 个 TMn 时钟周期 1~255:256×(1~255) 个 TMn 时钟周期 此八位设定内部 CCRP 8-bit 寄存器的值,然后与内部计数器的高八位进行比较。 如果 TnCCLR 位设为 0 时,比较结果为 0 并清除内部计数器。TnCCLR 位设为低, CCRP 比较匹配结果将重置内部计数器。由于 CCRP 只与计数器高八位比较, 比较结果是 256 时钟周期的倍数。CCRP 被清零时,实际上会使得计数器在最 大值溢出。 标准型 TM 工作模式 标准型 TM 有五种工作模式,即比较匹配输出模式,PWM 输出模式,单脉 冲输出模式,捕捉输入模式或定时 / 计数器模式。通过设置 TMnC1 寄存器的 TnM1 和 TnM0 位选择任意模式。 比较匹配输出模式 为 使 TM 工 作 在 此 模 式,TMnC1 寄 存 器 中 的 TnM1 和 TnM0 位 需 要 设 置 为 “00”。当工作在该模式,一旦计数器使能并开始计数,有三种方法来清零, 分别是:计数器溢出,比较器 A 比较匹配发生和比较器 P 比较匹配发生。当 TnCCLR 位为低,有两种方法清除计数器。一种是比较器 P 比较匹配发生,另 一种是 CCRP 所有位设置为零并使得计数器溢出。此时,比较器 A 和比较器 P 的请求标志位 TnAF 和 TnPF 将分别置位。 如果 TMnC1 寄存器的 TnCCLR 位设置为高,当比较器 A 比较匹配发生时计 数器被清零。此时,即使 CCRP 寄存器的值小于 CCRA 寄存器的值,仅产生 TnAF 中断请求标志。所以当 TnCCLR 为高时,不会产生 TnPF 中断请求标志。 在比较匹配输出模式下,CCRA 不能设为“0”。 正如该模式名所言,当比较匹配发生后,TM 输出脚状态改变。当比较器 A 比 较匹配发生后 TnAF 标志产生时,TM 输出脚状态改变。比较器 P 比较匹配发 生时产生的 TnPF 标志不影响 TM 输出脚。TM 输出脚状态改变方式由 TMnC1 寄 存 器 中 TnIO1 和 TnIO0 位 决 定。 当 比 较 器 A 比 较 匹 配 发 生 时,TnIO1 和 TnIO0 位决定 TM 输出脚输出高,低或翻转当前状态。TM 输出脚初始值,既 可以通过 TnON 位由低到高电平的变化设置,也可以由 TnOC 位设置。注意, 若 TnIO1 和 TnIO0 位同时为 0 时,引脚输出不变。 Rev.1.00 108 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Counter Value 0xFFFF CCRP = 0 Counter overflow CCRP > 0 Counter cleared by CCRP value CCRP > 0 TnCCLR = 0; TnM[1:0] = 00 CCRP CCRA Pause Resume Stop Counter Reset Time TnON bit TnPAU bit TnPOL bit CCRP Int. Flag TnPF CCRA Int. Flag TnAF TM O/P Pin Output Pin set to Initial Level Low if TnOC = 0 Output Toggle with TnAF flag Now TnIO1, TnIO0 = 10 Active High Output Select Output not affected by TnAF flag. Remains High until reset by TnON bit Here TnIO1, TnIO0 = 11 Toggle Output Select 比较匹配输出模式 -- TnCCLR=0 注:1. TnCCLR=0,比较器 P 匹配将清除计数器 2. TM 输出脚仅由 TnAF 标志位控制 3. 在 TnON 上升沿 TM 输出脚复位至初始值 4. n=2,4 或 5 Output inverts Output Pin when TnPOL is high Reset to initial value Output controlled by other pin-shared function Rev. 1.00 109 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Counter Value 0xFFFF CCRA CCRP CCRA > 0 Counter cleared by CCRA value TnCCLR = 1; TnM[1:0] = 00 CCRA = 0 Counter overflows Pause Resume CCRA = 0 Stop Counter Reset Time TnON bit TnPAU bit TnPOL bit CCRA Int. Flag TnAF No TnAF flag generated on CCRA overflow CCRP Int. Flag TnPF TM O/P Pin TnPF not generated Output Pin set to Initial Level Low if TnOC = 0 Output Toggle with TnAF flag Here TnIO1, TnIO0 = 11 Toggle Output Select Output not affected by TnAF flag remains High until reset by TnON bit Now TnIO1, TnIO0 = 10 Active High Output Select Output controlled by other pin-shared function Output inverts when TnPOL is high Output Pin Reset to initial value 比较匹配输出模式 -- TnCCLR=1 注:1. TnCCLR=1,比较器 A 匹配将清除计数器 2. TM 输出脚仅由 TnAF 标志位控制 3. 在 TnON 上升沿 TM 输出脚复位至初始值 4. 当 TnCCLR=1 时,不会产生 TnPF 标志 5. n=2,4 或 5 Output does not change Rev.1.00 110 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 定时 / 计数器模式 为使 TM 工作在此模式,TMnC1 寄存器中的 TnM1 和 TnM0 位需要设置为“11”。 定时 / 计数器模式与比较输出模式操作方式相同,并产生同样的中断请求标志。 不同的是,在定时 / 计数器模式下 TM 输出脚未使用。因此,比较匹配输出模 式中的描述和时序图可以适用于此功能。该模式中未使用的 TM 输出脚用作普 通 I/O 脚或其它功能。 PWM 输出模式 为 使 TM 工 作 在 此 模 式,TMnC1 寄 存 器 中 的 TnM1 和 TnM0 位 需 要 设 置 为 “10”,且 TnIO1 和 TnIO0 位也需要设置为“10”。TM 的 PWM 功能在马达 控制,加热控制,照明控制等方面十分有用。给 TM 输出脚提供一个频率固定 但占空比可调的信号,将产生一个有效值等于 DC 均方根的 AC 方波。 由于 PWM 波形的周期和占空比可调,其波形的选择就极其灵活。在 PWM 模 式中,TnCCLR 位不影响 PWM 周期。CCRA 和 CCRP 寄存器决定 PWM 波形, 一个用来清除内部计数器并控制 PWM 波形的频率,另一个用来控制占空比。 哪个寄存器控制频率或占空比取决于 TMnC1 寄存器的 TnDPX 位。所以 PWM 波形由 CCRA 和 CCRP 寄存器共同决定。 当比较器 A 或比较器 P 比较匹配发生时,将产生 CCRA 或 CCRP 中断标志。 TMnC1 寄存器中的 TnOC 位决定 PWM 波形的极性,TnIO1 和 TnIO0 位使能 PWM 输出或将 TM 输出脚置为逻辑高或逻辑低。TnPOL 位对 PWM 输出波形 的极性取反。 16-bit STM,PWM 模式,边沿对齐模式,TnDPX=0 CCRP Period Duty 1~255 CCRP×256 CCRA 0 65536 若 fSYS=16MHz,TM 时钟源选择 fSYS/4,CCRP=2,CCRA=128, STM PWM 输 出 频 率 =(fSYS/4)/(2×256)=fSYS/2048=7.8125kHz,duty=128/(2×256) =25%。 若由 CCRA 寄存器定义的 Duty 值等于或大于 Period 值,PWM 输出占空比为 100%。 16-bit STM,PWM 模式,边沿对齐模式,TnDPX=1 CCRP Period Duty 1~255 CCRA CCRP×256 0 65536 PWM 的输出周期由 CCRA 寄存器的值与 TM 的时钟共同决定,PWM 的占空比 由 CCRP×256( 除了 CCRP 为“0”外 ) 的值决定。 Rev. 1.00 111 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Counter Value CCRP CCRA Counter cleared by CCRP TnDPX = 0; TnM [1:0] = 10 Counter Reset when TnON returns high Pause Resume Counter Stop if TnON bit low TnON Time TnPAU TnPOL CCRA Int. Flag TnAF CCRP Int. Flag TnPF TM O/P Pin (TnOC=1) TM O/P Pin (TnOC=0) PWM Duty Cycle set by CCRA PWM Period set by CCRP PWM resumes operation Output controlled by other pin-shared function Output Inverts when TnPOL = 1 PWM 模式 -- TnDPX=0 注:1. TnDPX=0,CCRP 清除计数器 2. 计数器清零并设置 PWM 周期 3. 当 TnIO[1:0]=00 或 01,PWM 功能不变 4. TnCCLR 位不影响 PWM 操作 5. n=2,4 或 5 Rev.1.00 112 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Counter Value CCRA CCRP Counter cleared by CCRA TnDPX = 1; TnM [1:0] = 10 Pause Resume Counter Reset when TnON returns high Counter Stop if TnON bit low TnON Time TnPAU TnPOL CCRP Int. Flag TnPF CCRA Int. Flag TnAF TM O/P Pin (TnOC=1) TM O/P Pin (TnOC=0) PWM Duty Cycle set by CCRP PWM Period set by CCRA PWM resumes operation Output controlled by other pin-shared function Output Inverts when TnPOL = 1 PWM 模式 -- TnDPX=1 注:1. TnDPX=1,CCRA 清除计数器 2. 计数器清零并设置 PWM 周期 3. 当 TnIO[1:0]=00 或 01,PWM 功能不变 4. TnCCLR 位不影响 PWM 操作 5. n=2,4 或 5 Rev. 1.00 113 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 单脉冲模式 为 使 TM 工 作 在 此 模 式,TMnC1 寄 存 器 中 的 TnM1 和 TnM0 位 需 要 设 置 为 “10”,同时 TnIO1 和 TnIO0 位需要设置为“11”。正如模式名所言,单脉冲 输出模式,在 TM 输出脚将产生一个脉冲输出。 脉冲输出可以通过应用程序控制 TnON 位由低到高的转变来触发。而处于单脉 冲模式时,TnON 位在 TCKn 脚自动由低转变为高,进而初始化单脉冲输出状 态。当 TnON 位转变为高电平时,计数器将开始运行,并产生脉冲前沿。当脉 冲有效时 TnON 位保持高电平。通过应用程序使 TnON 位清零或比较器 A 比较 匹配发生时,产生脉冲下降沿。 单脉冲产生示意图 Rev.1.00 114 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Counter Value CCRA CCRP Counter stopped by CCRA TnM [1:0] = 10 ; TnIO [1:0] = 11 Counter Reset when TnON returns high Resume Pause Counter Stops by software TnON TCKn pin TnPAU Software Cleared by Trigger CCRA match Auto. set by TCKn pin Software Trigger TCKn pin Trigger TnPOL CCRP Int. Flag TnPF CCRA Int. Flag TnAF No CCRP Interrupts generated Time Software Trigger Software Software Clear Trigger TM O/P Pin (TnOC=1) TM O/P Pin (TnOC=0) Pulse Width set by CCRA 单脉冲模式 Output Inverts when TnPOL = 1 注:1. 通过 CCRA 匹配停止计数器 2. CCRP 未使用 3. 通过 TCKn 脚或设置 TnON 位为高来触发脉冲 4. TCKn 脚有效沿会自动置位 TnON 5. 单脉冲模式中,TnIO[1:0] 需置位“11”,且不能更改。 6. n=2,4 或 5 然而,比较器 A 比较匹配发生时,会自动清除 TnON 位并产生单脉冲输出下降 沿。CCRA 的值通过这种方式控制脉冲宽度。比较器 A 比较匹配发生时,也会 产生 TM 中断。TnON 位在计数器重启时会发生由低到高的转变,此时计数器 才复位至零。在单脉冲模式中,CCRP 寄存器,TnCCLR 和 TnDPX 位未使用。 Rev. 1.00 115 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 捕捉输入模式 为 使 TM 工 作 在 此 模 式,TMnC1 寄 存 器 中 的 TnM1 和 TnM0 位 需 要 设 置 为 “01”。此模式使能外部信号捕捉并保存内部计数器当前值,因此被用于诸 如脉冲宽度测量的应用中。TPnI 脚上的外部信号,通过设置 TMnC1 寄存器的 TnIO1 和 TnIO0 位选择有效边沿类型,即上升沿,下降沿或双沿有效。计数器 在 TnON 位由低到高转变时启动并通过应用程序初始化。 当 TPnI 脚出现有效边沿转换时,计数器当前值被锁存到 CCRA 寄存器,并产 生 TM 中断。无论 TPnI 引脚有什么变化,计数器继续工作直到 TnON 位发生下 降沿跳变。当 CCRP 比较匹配发生时计数器复位至零;CCRP 的值通过这种方 式控制计数器的最大值。当比较器 P CCRP 比较匹配发生时,也会产生 TM 中断。 记录 CCRP 溢出中断信号的次数可以测量脉宽。通过设置 TnIO1 和 TnIO0 位选 择 TPnI 引脚为上升沿,下降沿或双沿有效。如果 TnIO1 和 TnIO0 位都设置为高, 无论 TPnI 引脚有什么变化,都不会产生捕捉动作,但计数器继续运行。 TnCCLR 和 TnDPX 位在此模式中未使用。 Counter Value CCRP YY XX TnON Counter cleared by CCRP TnM [1:0] = 01 Counter Counter Stop Reset Resume Pause Time TnPAU Active edge TM capture pin TPnI Active edge Active edge CCRA Int. Flag TnAF CCRP Int. Flag TnPF CCRA Value XX YY XX YY TnIO [1:0] Value 00 – Rising edge 01 – Falling edge 10 – Both edges 11 – Disable Capture 捕捉输入模式 注:1. TnM[1:0]=01 并通过 TnIO1 和 TnIO0 位设置有效边沿 2. TM 捕捉输入脚的有效边沿将计数器的值转移到 CCRA 中 3. TnCCLR 位未使用 4. 无输出功能 -- TnOC 和 TnPOL 位未使用 5. 计数器值由 CCRP 决定,在 CCRP 为“0”时,计数器计数值可达最大 6. n=2,4 或 5 Rev.1.00 116 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 增强型 TM – ETM 增强型 TM 包括 5 种工作模式,即比较匹配输出,定时 / 事件计数器,捕捉输入, 单脉冲输出和 PWM 输出模式。增强型 TM 也由外部输入脚控制并驱动三个外 部输出脚。 CTM 名称 TM 编号 TM 输入引脚 HT66F60A HT66F70A 10-bit ETM TM1 TCK1; TP1IA, TP1IB TM 输出引脚 TP1A; TP1B, TP1BB CCRP 3 - b it C o m p a r a to r P C o m p a ra to r P M a tc h T n P F In te rru p t fS Y S /4 000 fS Y S 001 fH /1 6 010 fH /6 4 011 fS U B 100 R e s e rv e d 101 TC Kn 110 TnO N 111 TnP A U TnC K 2~TnC K 0 b7~b9 TnA O C 1 0 - b it U p /D o w n C o u n te r b0~b9 C o u n te r C le a r 0 1 TnC C LR O u tp u t C o n tro l P o la r ity C o n tro l T P n A P in O u tp u t TP nA TnA M 1,TnA M 0 TnA P O L T n A IO 1 , T n A IO 0 1 0 - b it C o m p a ra to r A CCRA C o m p a ra to r A M a tc h TnA F In te rru p t T n A IO 1 , T n A IO 0 E dge D e te c to r TnB O C T P n IA 1 0 - b it C o m p a ra to r B CCRB C o m p a ra to r B M a tc h TnB F In te rru p t E dge D e te c to r O u tp u t C o n tro l P o la r ity C o n tro l TnB M 1,TnB M 0 TnB P O L T n B IO 1 , T n B IO 0 C o m p le m e n ta r y O u tp u t T P n IB TP nB TP nB B T n IO 1 , T n IO 0 增强型 TM 方框图 (n=1) Rev. 1.00 117 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 增强型 TM 操作 增强型 TM 核心是一个由用户选择的内部或外部时钟源驱动的 10 位向上 / 向下 计数器,它还包括三个内部比较器即比较器 A,比较器 B 和比较器 P。这三个 比较器将计数器的值与 CCRA,CCRB 和 CCRP 寄存器中的值进行比较。CCRP 是 3 位的,与计数器的高 3 位比较;而 CCRA 和 CCRB 是 10 位的,与计数器 的所有位比较。 通过应用程序改变 10 位计数器值的唯一方法是使 T1ON 位发生上升沿跳变清除 计数器。此外,计数器溢出或比较匹配也会自动清除计数器。上述条件发生时, 通常情况会产生 TM 中断信号。增强型 TM 可工作在不同的模式,可由包括来 自输入脚的不同时钟源驱动,也可以控制输出脚。所有工作模式的设定都是通 过设置相关寄存器来实现的。 增强型 TM 寄存器介绍 增强型 TM 的所有操作由一系列寄存器控制。一对只读寄存器用来存放 10 位计 数器的值,两对读 / 写寄存器存放 10 位 CCRA 和 CCRB 的值。剩下三个控制 寄存器用来设置不同的操作和控制模式,以及 CCRP 的 3 个位。 Name Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 TM1C0 T1PAU T1CK2 T1CK1 T1CK0 T1ON T1RP2 T1RP1 T1RP0 TM1C1 T1AM1 T1AM0 T1AIO1 T1AIO0 T1AOC T1APOL T1CDN T1CCLR TM1C2 T1BM1 T1BM0 T1BIO1 T1BIO0 T1BOC T1BPOL T1PWM1 T1PWM0 TM1DL D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 TM1DH — — — — — — D9 D8 TM1AL D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 TM1AH — — — — — — D9 D8 TM1BL D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 TM1BH — — — — — — D9 D8 10-bit 增强型 TM 寄存器列表 Rev.1.00 118 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 TM1C0 寄存器 Bit Name R/W POR 7 T1PAU R/W 0 6 T1CK2 R/W 0 5 T1CK1 R/W 0 4 T1CK0 R/W 0 3 T1ON R/W 0 2 T1RP2 R/W 0 1 T1RP1 R/W 0 0 T1RP0 R/W 0 Bit 7 Bit 6~4 Bit 3 Bit 2~0 T1PAU:TM1 计数器暂停控制位 0:运行 1:暂停 通过设置此位为高可使计数器暂停,清零此位恢复正常计数器操作。当处于暂 停条件时,TM 保持上电状态并继续耗电。当此位由低到高转变时,计数器将保 留其剩余值,直到此位再次改变为低电平,并从此值开始继续计数。 T1CK2~T1CK0:选择 TM1 计数时钟位 000:fSYS/4 001:fSYS 010:fH/16 011:fH/64 100:fSUB 101:保留位 110:TCK1 上升沿时钟 111:TCK1 下降沿时钟 此三位用于选择 TM 的时钟源。选择保留时钟输入将有效地除能内部计数器。 外部引脚时钟源能被选择在上升沿或下降沿有效。fSYS 是系统时钟,fH 和 fSUB 是 其它的内部时钟源,细节方面请参考振荡器章节。 T1ON:TM1 计数器 On/Off 控制位 0:Off 1:On 此位控制 TM 的总开关功能。设置此位为高则使能计数器使其运行,清零此位 则除能 TM。清零此位将停止计数器并关闭 TM 减少耗电。当此位经由低到高转 换时,内部计数器将复位清零;当此位经由高到低转换时,内部计数器将保持 其剩余值。 若 TM 处于比较匹配输出模式时 ( 通过 T1OC 位指定 ),当 T1ON 位经由低到高 的转变时,TM 输出脚将重置其初始值。 T1RP2~T1RP0:TM1 CCRP 3-bit 寄存器,对应于 TM1 计数器 bit 9~bit 7 比较 器 P 匹配周期 000:1024 个 TM1 时钟周期 001:128 个 TM1 时钟周期 010:256 个 TM1 时钟周期 011:384 个 TM1 时钟周期 100:512 个 TM1 时钟周期 101:640 个 TM1 时钟周期 110:768 个 TM1 时钟周期 111:896 个 TM1 时钟周期 此三位设定内部 CCRP 3-bit 寄存器的值,然后与内部计数器的高三位进行比较。 如果 T1CCLR 位设定为 0 时,比较结果为 0 并清除内部计数器。T1CCLR 位设 为低,内部计数器在比较器 P 比较匹配发生时被重置;由于 CCRP 只与计数器 高三位比较,比较结果是 128 时钟周期的倍数。CCRP 被清零时,实际上会使 得计数器在最大值溢出。 Rev. 1.00 119 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 TM1C1 寄存器 Bit Name R/W POR 7 6 5 4 3 2 1 0 T1AM1 T1AM0 T1AIO1 T1AIO0 T1AOC T1APOL T1CDN T1CCLR R/W R/W R/W R/W R/W R/W R R/W 0 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7~6 Bit 5~4 T1AM1~T1AM0:选择 TM1 CCRA 工作模式位 00:比较匹配输出模式 01:捕捉输入模式 10:PWM 模式或单脉冲输出模式 11:定时 / 计数器模式 这 两 位 设 置 TM 需 要 的 工 作 模 式。 为 了 确 保 操 作 可 靠,TM 应 在 T1AM1 和 T1AM0 位有任何改变前先关掉。在定时 / 计数器模式,TM 输出脚控制必须除 能。 T1AIO1~T1AIO0:选择 TP1A 输出功能位 比较匹配输出模式 00:无变化 01:输出低 10:输出高 11:输出翻转 PWM 模式 / 单脉冲输出模式 00:强制无效状态 01:强制有效状态 10:PWM 输出 11:单脉冲输出 捕捉输入模式 00:在 TP1IA 上升沿输入捕捉 01:在 TP1IA 下降沿输入捕捉 10:在 TP1IA 双沿输入捕捉 11:输入捕捉除能 定时 / 计数器模式 未使用 此两位用于决定在一定条件达到时 TM 输出脚如何改变状态。这两位值的选择 决定 TM 运行在哪种模式下。 在比较匹配输出模式下,T1AIO1 和 T1AIO0 位决定当从比较器 A 比较匹配输出 发生时 TM 输出脚如何改变状态。当从比较器 A 比较匹配输出发生时 TM 输出 脚能设为切换高、切换低或翻转当前状态。若此两位同时为零时,这个输出将 不会改变。TM 输出脚的初始值通过 TM1C1 寄存器的 T1AOC 位设置取得。注 意,由 T1AIO1 和 T1AIO0 位得到的输出电平必须与通过 T1AOC 位设置的初始 值不同,否则当比较匹配发生时,TM 输出脚将不会发生变化。在 TM 输出脚改 变状态后,通过 T1ON 位由低到高电平的转换复位至初始值。 在 PWM 模式,T1AIO1 和 T1AIO0 用于决定比较匹配条件发生时怎样改变 TM 输出脚的状态。PWM 输出功能通过这两位的变化进行更新。仅在 TM1 关闭时 改变 T1AIO1 和 T1AIO0 位的值是很有必要的。若在 TM 运行时改变 T1AIO1 和 T1AIO0 的值,PWM 输出的值是无法预料的。 Rev.1.00 120 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 T1AOC:TP1A 输出控制位 比较匹配输出模式 0:初始低 1:初始高 PWM 模式 / 单脉冲输出模式 0:低有效 1:高有效 这是 TM 输出脚输出控制位。它取决于 TM 此时正运行于比较匹配输出模式还 是 PWM 模式 / 单脉冲输出模式。若 TM 处于定时 / 计数器模式,则其不受影响。 在比较匹配输出模式时,比较匹配发生前其决定 TM 输出脚的逻辑电平值。在 PWM 模式时,其决定 PWM 信号是高有效还是低有效。 T1APOL:TP1A 输出极性控制位 0:同相 1:反相 此位控制 TP1A 输出脚的极性。此位为高时 TM 输出脚反相,为低时 TM 输出 脚同相。若 TM 处于定时 / 计数器模式时其不受影响。 T1CDN:TM1 计数器向上 / 向下计数标志位 0:向上计数 1:向下计数 T1CCLR:选择 TM1 计数器清零条件位 0:TM1 比较器 P 匹配 1:TM1 比较器 A 匹配 此位用于选择清除计数器的方法。增强型 TM 包括三个比较器 -- 比较器 P、比 较器 A 和比较器 B,其中比较器 P 和比较器 A 都可以用作清除内部计数器。 T1CCLR 位设为高,计数器在比较器 A 比较匹配发生时被清除;此位设为低, 计数器在比较器 P 比较匹配发生或计数器溢出时被清除。计数器溢出清除的方 法仅在 CCRP 被清除为 0 时才能生效。T1CCLR 位在单脉冲或输入捕捉模式时 未使用。 Rev. 1.00 121 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 TM1C2 寄存器 Bit Name R/W POR 7 6 5 4 3 2 1 0 T1BM1 T1BM0 T1BIO1 T1BIO0 T1BOC T1BPOL T1PWM1 T1PWM0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R R/W 0 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7~6 Bit 5~4 Bit 3 T1BM1~T1BM0:选择 TM1 CCRB 工作模式位 00:比较匹配输出模式 01:捕捉输入模式 10:PWM 模式或单脉冲输出模式 11:定时 / 计数器模式 这 两 位 设 置 TM 需 要 的 工 作 模 式。 为 了 确 保 操 作 可 靠,TM 应 在 T1BM1 和 T1BM0 位有任何改变前先关掉。在定时 / 计数器模式,TM 输出脚控制必须除能。 T1BIO1~T1BIO0:选择 TP1B,TP1BB 输出功能位 比较匹配输出模式 00:无变化 01:输出低 10:输出高 11:输出翻转 PWM 模式 / 单脉冲输出模式 00:强制无效状态 01:强制有效状态 10:PWM 输出 11:单脉冲输出 捕捉输入模式 00:在 TP1IB 上升沿输入捕捉 01:在 TP1IB 下降沿输入捕捉 10:在 TP1IB 双沿输入捕捉 11:输入捕捉除能 定时 / 计数器模式 未使用 此两位用于决定在一定条件达到时 TM 输出脚如何改变状态。这两位值的选择 决定 TM 运行在哪种模式下。 在比较匹配输出模式下,T1BIO1 和 T1BIO0 位决定当比较器 B 比较匹配输出发 生时 TM 输出脚如何改变状态。当比较器 B 比较匹配输出发生时 TM 输出脚能 设为切换高、切换低或翻转当前状态。若此两位同时为 0 时,这个输出将不会 改变。TM 输出脚的初始值通过 TM1C2 寄存器的 T1BOC 位设置取得。注意, 由 T1BIO1 和 T1BIO0 位得到的输出电平必须与通过 T1BOC 位设置的初始值不 同,否则当比较匹配发生时,TM 输出脚将不会发生变化。在 TM 输出脚改变状 态后,通过 T1ON 位由低到高电平的转换复位至初始值。 在 PWM 模式,T1BIO1 和 T1BIO0 用于决定比较匹配条件发生时怎样改变 TM 输出脚的状态。PWM 输出功能通过这两位的变化进行更新。仅在 TM 关闭时 改变 T1BIO1 和 T1BIO0 位的值是很有必要的。若在 TM 运行时改变 T1BIO1 和 T1BIO0 的值,PWM 输出的值是无法预料的。 T1BOC:TP1B,TP1BB 输出控制位 比较匹配输出模式 0:初始低 1:初始高 PWM 模式 / 单脉冲输出模式 0:低有效 1:高有效 这是 TM 输出脚输出控制位。它取决于 TM 此时正运行于比较匹配输出模式还 是 PWM 模式 / 单脉冲输出模式。若 TM 处于定时 / 计数器模式,则其不受影响。 在比较匹配输出模式时,比较匹配发生前其决定 TM 输出脚的逻辑电平值。在 PWM 模式时,其决定 PWM 信号是高有效还是低有效。 Rev.1.00 122 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Bit 2 Bit 1~0 T1BPOL:TP1B,TP1BB 输出极性控制位 0:同相 1:反相 此位控制 TP1B,TP1BB 输出脚的极性。此位为高时 TM 输出脚反相,为低时 TM 输出脚同相。若 TM 处于定时 / 计数器模式时其不受影响。 T1PWM1~T1PWM0:选择 PWM 模式位 00:边沿对齐 01:中心对齐,向上计数比较匹配 10:中心对齐,向下计数比较匹配 11:中心对齐,向上 / 下计数比较匹配 TM1DL 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 R/W R R R R R R R R POR 0 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7~0 TM1DL:TM1 计数器低字节寄存器 bit 7~bit 0 TM1 10-bit 计数器 bit 7~bit 0 TM1DH 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name — — — — — — D9 D8 R/W — — — — — — R R POR — — — — — — 0 0 Bit 7~2 Bit 1~0 未定义,读为“0” TM1DH:TM1 计数器高字节寄存器 bit 1~bit 0 TM1 10-bit 计数器 bit 9~bit 8 TM1AL 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~0 7 6 5 4 3 D7 D6 D5 D4 D3 R/W R/W R/W R/W R/W 0 0 0 0 0 TM1AL:TM1 CCRA 低字节寄存器 bit 7~bit 0 TM1 10-bit CCRA bit 7~bit 0 2 D2 R/W 0 1 D1 R/W 0 0 D0 R/W 0 TM1AH 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name — — — — — — D9 D8 R/W — — — — — — R/W R/W POR — — — — — — 0 0 Bit 7~2 Bit 1~0 未定义,读为“0” TM1AH:TM1 CCRA 高字节寄存器 bit 1~bit 0 TM1 10-bit CCRA bit 9~bit 8 Rev. 1.00 123 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 TM1BL 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~0 7 6 5 4 3 D7 D6 D5 D4 D3 R/W R/W R/W R/W R/W 0 0 0 0 0 TM1BL:TM1 CCRB 低字节寄存器 bit 7~bit 0 TM1 10-bit CCRB bit 7~bit 0 2 D2 R/W 0 1 D1 R/W 0 0 D0 R/W 0 TM1BH 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name — — — — — — D9 D8 R/W — — — — — — R/W R/W POR — — — — — — 0 0 Bit 7~2 Bit 1~0 未定义,读为“0” TM1BH:TM1 CCRB 高字节寄存器 bit 1~bit 0 TM1 10-bit CCRB bit 9~bit 8 增强型 TM 工作模式 增强型 TM 有五种工作模式,即比较匹配输出模式,PWM 输出模式,单脉 冲输出模式,捕捉输入模式或定时 / 计数器模式。通过设置 TMnC1 寄存器的 TnAM1 和 TnAM0 位和 TMnC2 寄存器的 TnBM1 和 TnBM0 位选择任意模式。 ETM 工作模式 CCRA 比较 CCRA 定时 CCRA PWM CCRA 单脉 CCRA 输入 匹配输出模式 / 计数器模式 输出模式 冲输出模式 捕捉模式 CCRB 比较匹配输出模式 √ — — — — CCRB 定时 / 计数器模式 — √ — — — CCRB PWM 输出模式 — — √ — — CCRB 单脉冲输出模式 — — — √ — CCRB 输入捕捉模式 — — — — √ “√”:允许,“—”:不允许 Rev.1.00 124 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 比较匹配输出模式 为使 TM 工作在此模式,TMnC1 寄存器的 TnAM1,TnAM0 位和 TMnC2 寄存 器的 TnBM1,TnBM0 位需要全部清零。当工作在该模式,一旦计数器使能并 开始计数,有三种方法来清零,分别是:计数器溢出,比较器 A 比较匹配发生 和比较器 P 比较匹配发生。当 TnCCLR 位为低,有两种方法清除计数器。一种 是比较器 P 比较匹配发生,另一种是 CCRP 所有位设置为零并使得计数器溢出。 此时,比较器 A 和比较器 P 的请求标志位 TnAF 和 TnPF 将分别置起。 如果 TMnC1 寄存器的 TnCCLR 位设置为高,当比较器 A 比较匹配发生时计数 器被清零。此时,即使 CCRP 寄存器的值小于 CCRA 寄存器的值,仅 TnAF 中 断请求标志产生。所以当 TnCCLR 为高时,不会产生 TnPF 中断请求标志。 正如该模式名所言,当比较匹配发生后,TM 输出脚状态改变。当比较器 A 或 比较器 B 比较匹配发生后 TnAF 或 TnBF 中断请求标志产生时,TM 输出脚状 态改变。比较器 P 比较匹配发生时产生的 TnPF 标志不影响 TM 输出脚。TM 输 出 脚 状 态 改 变 方 式 由 ETM CCRA 的 TMnC1 寄 存 器 中 TnAIO1 和 TnAIO0 位,ETM CCRB 的 TMnC2 寄 存 器 中 的 TnBIO1 和 TnBIO0 位 决 定。 当 比 较 器 A 或比较器 B 比较匹配发生时,TnAIO1,TnAIO0 位 ( 对于 TPnA 引脚 ) 和 TnBIO1,TnBIO0 位 ( 对于 TP1B,TP1BB 引脚 ) 决定 TM 输出脚输出高,低 或翻转当前状态。TM 输出脚初始值,既可以通过 TnON 位由低到高电平的变 化设置,也可以由 TnAOC 或 TnBOC 位设置。注意,若 TnAIO1,TnAIO0 和 TnBIO1,TnBIO0 位同时为 0 时,引脚输出不变。 Rev. 1.00 125 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Counter Value Counter overflow CCRP=0 TnCCLR = 0; TnAM [1:0] = 00 CCRP > 0 Counter cleared by CCRP value 0x3FF CCRP CCRA CCRP > 0 Resume Pause Counter Restart Stop TnON TnPAU TnAPOL CCRP Int. Flag TnPF CCRA Int. Flag TnAF Time TPnA O/P Pin Output pin set to initial Level Low if TnAOC=0 Output Toggle with TnAF flag Here TnAIO [1:0] = 11 Toggle Output select Output not affected by TnAF flag. Remains High until reset by TnON bit Output Inverts when TnAPOL is high Note TnAIO [1:0] = 10 Active High Output select Output Pin Reset to Initial value Output controlled by other pin-shared function ETM CCRA 比较匹配输出模式 -- TnCCLR=0 注:1. TnCCLR=0,比较器 P 匹配将清除计数器 2. TPnA 输出脚仅由 TnAF 标志位控制 3. 在 TnON 上升沿 TM 输出脚复位至初始值 4. n=1 Rev.1.00 126 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Counter Value Counter overflow TnCCLR = 0; TnBM [1:0] = 00 CCRP=0 CCRP > 0 Counter cleared by CCRP value 0x3FF CCRP CCRP > 0 Resume Counter Restart CCRB Pause Stop TnON TnPAU TnBPOL CCRP Int. Flag TnPF CCRB Int. Flag TnBF Time TPnB O/P Pin Output pin set to initial Level Low if TnBOC=0 Output Toggle with TnBF flag Here TnBIO [1:0] = 11 Toggle Output select Output not affected by TnBF flag. Remains High until reset by TnON bit Output Inverts when TnBPOL is high Output Pin Note TnBIO [1:0] = 10 Reset to Initial value Active High Output select Output controlled by other pin-shared function ETM CCRB 比较匹配输出模式 -- TnCCLR=0 注:1. TnCCLR=0,比较器 P 匹配将清除计数器 2. TPnB 输出脚仅由 TnBF 标志位控制 3. 在 TnON 上升沿 TM 输出脚复位至初始值 4. n=1 Rev. 1.00 127 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Counter Value 0x3FF CCRA CCRP TnCCLR = 1; TnAM [1:0] = 00 CCRA > 0 Counter cleared by CCRA value CCRA = 0 Counter overflow Resume CCRA=0 Pause Stop Counter Restart TnON Time TnPAU TnAPOL CCRA Int. Flag TnAF No TnAF flag generated on CCRA overflow CCRP Int. Flag TnPF TPnA O/P Pin TnPF not generated Output pin set to initial Level Low if TnAOC=0 Output Toggle with TnAF flag Here TnAIO [1:0] = 11 Toggle Output select Output does not change Output not affected by TnAF flag. Remains High until reset by TnON bit Output Pin Output Inverts when TnAPOL is high Note TnAIO [1:0] = 10 Active High Output select Reset to Initial value Output controlled by other pin-shared function ETM CCRA 比较匹配输出模式 -- TnCCRL=1 注:1. TnCCLR=1,比较器 A 匹配将清除计数器 2. TPnA 输出脚仅由 TnAF 标志位控制 3. 在 TnON 上升沿 TPnA 输出脚复位至初始值 4. 当 TnCCLR=1 时,不会产生 TnPF 标志 5. n=1 Rev.1.00 128 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Counter Value 0x3FF CCRA CCRB TnCCLR = 1; TnBM [1:0] = 00 CCRA > 0 Counter cleared by CCRA value CCRA = 0 Counter overflow Resume CCRA=0 Pause Stop Counter Restart TnON Time TnPAU TnBPOL CCRA Int. Flag TnAF CCRB Int. Flag TnBF No TnAF flag generated on CCRA overflow TPnB O/P Pin Output pin set to initial Level Low if TnBOC=0 Output Toggle with TnBF flag Here TnBIO [1:0] = 11 Toggle Output select Output not affected by TnBF flag. Remains High until reset by TnON bit Note TnBIO [1:0] = 10 Active High Output select Output Inverts Output Pin when TnBPOL is high Reset to Initial value Output controlled by other pin-shared function ETM CCRB 比较匹配输出模式 -- TnCCRL=1 注:1. TnCCLR=1,比较器 A 匹配将清除计数器 2. TPnB 输出脚仅由 TnBF 标志位控制 3. 在 TnON 上升沿 TPnB 输出脚复位至初始值 4. 当 TnCCLR=1 时,不会产生 TnPF 标志 5. n=1 Rev. 1.00 129 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 定时 / 计数器模式 为使 TM 工作在此模式,TMnC1 寄存器的 TnAM1,TnAM0 位和 TMnC2 寄存 器的 TnBM1,TnBM0 位需要全部设为高。定时 / 计数器模式与比较输出模式 操作方式相同,并产生同样的中断请求标志。不同的是,在定时 / 计数器模式 下 TM 输出脚未使用。因此,比较匹配输出模式中的描述和时序图可以适用于 此功能。该模式中未使用的 TM 输出脚用作普通 I/O 脚或其它功能。 PWM 输出模式 为使 TM 工作在此模式,TnAM1,TnAM0 和 TnBM1,TnBM0 位需要分别设置 为“10”,且 TnAIO1,TnAIO0 和 TnBIO1,TnBIO0 位也需要分别设置为“10”。 TM 的 PWM 功能在马达控制,加热控制,照明控制等方面十分有用。给 TM 输出脚提供一个频率固定但占空比可调的信号,将产生一个有效值等于 DC 均 方根的 AC 方波。 由于 PWM 波形的周期和占空比可调,其波形的选择就极其灵活。在 PWM 模 式中,TnCCLR 位决定 PWM 周期控制方式。当 TnCCLR 设为高,CCRA 寄存 器控制 PWM 周期。在这种情况下,CCRB 寄存器设置 PWM 的占空比 ( 针对 TPnB 和 TPnBB 输出脚 )。CCRP 寄存器和 TPnA 输出脚未使用。PWM 输出只 在 TPnB 和 TPnBB 输出脚产生。当 TnCCLR 清零时,PWM 周期通过 CCRP 三 位中八个值之一设置,并且是 128 的倍数。此时,CCRA 和 CCRB 寄存器设置 不同占空比,在 TPnA,TPnB 和 TPnBB 引脚输出两个 PWM 波形。 TnPWM1 和 TnPWM0 位决定 PWM 的对齐方式,即边沿或中心对齐方式。在 边沿对齐方式中,当计数器清零时,产生 PWM 前沿信号。与此同时电流发生 跳变,这在高功耗应用中会出现问题。在中心对齐方式中,PWM 波形中心持 续产生有效信号,因此可以减少电流跳变引起的功耗问题。 当比较器 A,比较器 B 或比较器 P 比较匹配发生时,CCRA,CCRB 和 CCRP 中断标志位分别产生。TMnC1 寄存器的 TnAOC 位和 TMnC2 寄存器的 TnBOC 位 选 择 PWM 波 形 的 极 性,TnAIO1,TnAIO0 和 TnBIO1,TnBIO0 位 使 能 PWM 输出或迫使 TM 输出脚为高电平或低电平。TnAPOL 和 TnBPOL 位用来 取反 PWM 输出波形的极性。 Rev.1.00 130 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 ETM,PWM 模式,边沿对齐模式,TnCCLR=0 CCRP 001b 010b 011b 100b 101b 110b 111b 000b Period 128 256 384 512 640 768 896 1024 A Duty CCRA B Duty CCRB 若 fSYS=12MHz,TM 时钟源选择 fSYS/4,CCRP=100b,CCRA=128,CCRB=256, TPnA PWM 输出频率 =(fSYS/4)/512=fSYS/2048=5.8594kHz,duty=128/512=25% TPnB 或 TPnBB PWM 输出频率 =(fSYS/4)/512=fSYS/2048=5.8594kHz,duty=256/512 =50%。 若由 CCRA 或 CCRB 寄存器定义的 Duty 值等于或大于 Period 值,PWM 输出 占空比为 100%。 ETM,PWM 模式,边沿对齐模式,TnCCLR=1 CCRA 1 2 3 ...... 511 512 Period 1 2 3 ...... 511 512 B Duty CCRB ...... 1021 1022 1023 ...... 1021 1022 1023 ETM,PWM 模式,中心对齐模式,TnCCLR=0 CCRP Period A Duty B Duty 001b 256 010b 512 011b 768 100b 101b 1024 1280 (CCRA×2) – 1 (CCRB×2) – 1 110b 1536 111b 1792 000b 2046 ETM,PWM 模式,中心对齐模式,TnCCLR=1 CCRA 1 2 3 511 512 Period 2 4 6 1022 1024 B Duty (CCRB×2) – 1 1021 2042 1022 2044 1023 2046 Rev. 1.00 131 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Counter Value CCRP CCRA CCRB Counter Cleared by CCRP TnON TnCCLR = 0; TnAM [1:0] = 10, TnBM [1:0] = 10; TnPWM [1:0] = 00 Resume Pause Stop Counter Restart Time TnPAU TnAPOL CCRA Int. Flag TnAF CCRB Int. Flag TnBF CCRP Int. Flag TnPF TPnA Pin (TnAOC=1) TPnB Pin (TnBOC=1) TPnB Pin (TnBOC=0) Duty Cycle set by CCRB Duty Cycle set by CCRA Duty Cycle set by CCRA Duty Cycle set by CCRA Output Inverts when TnAPOL is high Output controlled by Output Pin other pin-shared function Reset to Initial value PWM Period set by CCRP ETM PWM 模式 -- 边沿对齐 注:1. TnCCLR=0,CCRP 清除计数器并决定 PWM 周期 2. 当 TnAIO[1:0]( 或 TnBIO[1:0]=00 或 01,PWM 功能不变 3. CCRA 控制 TPnA PWM 占空比,CCRB 控制 TPnB PWM 占空比 4. n=1 Rev.1.00 132 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Counter Value CCRA Counter Cleared by CCRA CCRB TnCCLR = 1; TnBM [1:0] = 10; TnPWM [1:0] = 00 Pause Resume Stop Counter Restart Time TnON TnPAU TnBPOL CCRA Int. Flag TnAF CCRB Int. Flag TnBF TPnB Pin (TnBOC=1) TPnB Pin (TnBOC=0) Duty Cycle set by CCRB PWM Period set by CCRA Output controlled by other pin-shared function Output Pin Reset to Initial value ETM PWM 模式 -- 边沿对齐 注:1. TnCCLR=1,CCRA 清除计数器并决定 PWM 周期 2. 当 TnBIO[1:0]=00 或 01,PWM 功能不变 3. CCRA 控制 TPnB PWM 周期,CCRB 控制 TPnB PWM 占空比 4. 此时,TM 引脚控制寄存器不能使能 TPnA 作为 TM 输出引脚 5. n=1 Output Inverts when TnBPOL is high Rev. 1.00 133 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Counter Value CCRP CCRA CCRB TnON TnPAU TnCCLR = 0; TnAM [1:0] = 10, TnBM [1:0] = 10; TnPWM [1:0] = 11 Resume Pause Counter Stop Restart Time TnAPOL CCRA Int. Flag TnAF CCRB Int. Flag TnBF CCRP Int. Flag TnPF TPnA Pin (TnAOC=1) TPnB Pin (TnBOC=1) TPnB Pin (TnBOC=0) Duty Cycle set by CCRA Duty Cycle set by CCRB PWM Period set by CCRP ETM PWM 模式 -- 中心对齐 注:1. TnCCLR=0,CCRP 清除计数器并决定 PWM 周期 2. TnPWM[1:0]=11,PWM 为中心对齐 3. 当 TnAIO[1:0]( 或 TnBIO[1:0])=00 或 01,PWM 功能不变 4. CCRA 控制 TPnA PWM 占空比,CCRB 控制 TPnB PWM 占空比 5. 计数器值递减至“0”时 CCRP 将产生中断请求 6. n=1 Output Inverts when TnAPOL is high Output controlled by Output Pin Other pin-shared function Reset to Initial value Rev.1.00 134 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Counter Value CCRA CCRB TnCCLR = 1; TnBM [1:0] = 10; TnPWM [1:0] = 11 Resume Pause Counter Stop Restart Time TnON TnPAU TnBPOL CCRA Int. Flag TnAF CCRB Int. Flag TnBF CCRP Int. Flag TnPF TPnB Pin (TnBOC=1) TPnB Pin (TnBOC=0) Duty Cycle set by CCRB PWM Period set by CCRA ETM PWM 模式 -- 中心对齐 注:1. TnCCLR=1,CCRA 清除计数器并决定 PWM 周期 2. TnPWM[1:0]=11,PWM 为中心对齐 3. 当 TnBIO[1:0]=00 或 01 时,PWM 功能不变 4. CCRA 控制 TPnB PWM 周期,CCRB 控制 TPnB PWM 占空比 5. 计数器值递减至“0”时 CCRP 将产生中断请求 6. n=1 Output controlled by other pin-shared Output Inverts when TnBPOL is high function Output Pin Reset to Initial value Rev. 1.00 135 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 单脉冲输出模式 为使 TM 工作在此模式,TnAM1,TnAM0 和 TnBM1,TnBM0 位需要分别设置 为“10”,并且相应的 TnAIO1,TnAIO0 和 TnBIO1,TnBIO0 需要分别设置为 “11”。正如模式名所言,单脉冲输出模式,在 TM 输出脚将产生一个脉冲输出。 通过应用程序控制 TnON 位由低到高的转变来触发 TPnA 脉冲前沿输出。通过 应用程序产生比较器 B 的比较匹配来触发 TPnB 脉冲前沿输出。而处于单脉冲 模式时,TnON 位可由 TCKn 脚自动由低转变为高,进而依次初始化 TPnA 的 单脉冲输出。当 TnON 位转变为高电平时,计数器将开始运行,并产生 TPnA 脉冲前沿。当脉冲有效时 TnON 位保持高电平。通过应用程序使 TnON 位清零 或比较器 A 比较匹配发生时,产生 TPnA 和 TPnB 或 TPnBB 的脉冲下降沿。 而比较器 A 比较匹配发生时,会自动清除 TnON 位并产生 TPnA 和 TPnB 或 TPnBB 单脉冲输出下降沿。CCRA 的值通过这种方式控制 TPnA 的脉冲宽度, CCRA-CCRB 的值控制 TPnB 和 TPnBB 的脉冲宽度。比较器 A 和比较器 B 比 较匹配发生时,也会产生 TM 中断。TnON 位在计数器重启时会发生由低到高 的转变,此时计数器才复位至零。在单脉冲模式中,CCRP 寄存器和 TnCCLR 位未使用。 Counter Value CCRA CCRB 0 S/W Command SET“TnON” or TCKn Pin Transition CCRA Leading Edge TnON bit 0à1 Time CCRA Trailing Edge TnON bit 1à0 S/W Command CLR“TnON” or CCRA Compare Match TPnA Output Pin Pulse Width = CCRA Value TPnB Output Pin TPnBB Output Pin Pulse Width = (CCRA-CCRB) Value CCRB Compare Match TnON = 1 TnON bit 1à0 CCRB Leading Edge CCRB Trailing Edge 单脉冲产生示意图 S/W Command CLR“TnON” or CCRA Compare Match Rev.1.00 136 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Counter Value CCRA CCRB Counter stopped by CCRA TnAM [1:0] = 10, TnBM [1:0] = 10; TnAIO [1:0] = 11, TnBIO [1:0] = 11 Resume Pause Counter Stops by software Counter Reset when TnON returns high TnON TCKn pin TnPAU Software Cleared by Trigger CCRA match Auto. set by TCKn pin Software Trigger TCKn pin Trigger Software Trigger Software Software Trigger Clear TnAPOL TnBPOL CCRB Int. Flag TnBF CCRA Int. Flag TnAF TPnA Pin (TnAOC=1) TPnA Pin (TnAOC=0) TPnB Pin (TnBOC=1) TPnB Pin (TnBOC=0) Pulse Width set by CCRA Pulse Width set by (CCRA-CCRB) Output Inverts when TnAPOL=1 Output Inverts when TnBPOL=1 ETM -- 单脉冲模式 注:1. 通过 CCRA 匹配停止计数器 2. CCRP 未使用 3. 通过 TCKn 脚或设置 TnON 位为高来触发脉冲 4. TCKn 脚有效沿会自动置位 TnON 5. 单脉冲模式中,TnAIO[1:0] 和 TnBIO[1:0] 需置位“11”,且不能更改。 6. n=1 Time Rev. 1.00 137 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 捕捉输入模式 为 使 TM 工 作 在 此 模 式,TMnC1 寄 存 器 的 TnAM1,TnAM0 位 和 TMnC2 寄 存器的 TnBM1,TnBM0 位需要分别设置为“01”。此模式使能外部信号捕捉 并保存内部计数器当前值,因此被用于诸如脉冲宽度测量的应用中。TPnIA 和 TPnIB 引脚上的外部信号,通过设置 TMnC1 寄存器的 TnAIO1,TnAIO0 位和 TMnC2 寄存器的 TnBIO1,TnBIO0 位选择有效边沿类型,即上升沿,下降沿 或双沿有效。计数器在 TnON 位由低到高转变时启动并通过应用程序初始化。 当 TPnIA 和 TPnIB 引脚出现有效边沿转换时,计数器当前值被锁存到 CCRA 和 CCRB 寄存器,并产生 TM 中断。无论 TPnIA 和 TPnIB 引脚发生什么变化, 计数器继续工作直到 TnON 位发生下降沿跳变。当 CCRP 比较匹配发生时计数 器复位至零;CCRP 的值通过这种方式控制计数器的最大值。当比较器 P CCRP 比较匹配发生时,也会产生 TM 中断。记录 CCRP 溢出中断信号的值可以测 量长脉宽。通过设置 TnAIO1,TnAIO0 位和 TnBIO1,TnBIO0 位选择 TPnIA 和 TPnIB 引 脚 为 上 升 沿, 下 降 沿 或 双 沿 有 效。 如 果 TnAIO1,TnAIO0 位 和 TnBIO1,TnBIO0 位都设为高,无论 TPnIA 和 TPnIB 引脚发生什么变化 , 不会 产生捕捉操作,但计数器继续运行。 当 TPnIA 和 TPnIB 引脚与其它功能共用,TM 工作在输入捕捉模式时需多加注 意。这是因为如果引脚被设为输出,那么该引脚上的任何电平转变都可能执行 输入捕捉操作。TnCCLR,TnAOC,TnBOC,TnAPOL 和 TnBPOL 位在此模式 中未使用。 Rev.1.00 138 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Counter Value CCRP YY XX Counter cleared by CCRP TnON TnPAU Active edge TM capture pin TPnIA CCRA Int. Flag TnAF CCRP Int. Flag TnPF CCRA Value Active edge Active edge XX YY XX TnAM [1:0] = 01 Counter Counter Stop Reset Resume Pause Time YY TnAIO [1:0] Value 00 – Rising edge 01 – Falling edge 10 – Both edges 11 – Disable Capture ETM CCRA 捕捉输入模式 注:1. TnAM[1:0]=01 并通过 TnAIO[1:0] 位设置有效边沿 2. TM 捕捉输入脚的有效边沿将计数器的值转移到 CCRA 中 3. TnCCLR 位未使用 4. 无输出功能 -TnAOC 和 TnAPOL 位未使用 5. 计数器值由 CCRP 决定,在 CCRP 为“0”时,计数器计数值可达最大 6. n=1 Rev. 1.00 139 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Counter Value CCRP YY XX Count er overflow TnBM1, TnBM0 = 01 Sto p Co un ter Re set Pause Resume TnON bit TnPAU bit TM Capture Pin TPnIB CCRB Int. Flag TnBF Active edge CCRP Int. Flag TnPF Active edge Active edges CCRB Value TnBIO1, TnBIO0 Value XX YY XX 00 - Rising edge 01 - Falling edge 10 - Both edges YY 11 - Disable Capture Tim e ETM CCRB 捕捉输入模式 注:1. TnBM[1:0]=01 并通过 TnBIO[1:0] 位设置有效边沿 2. TM 捕捉输入脚的有效边沿将计数器的值转移到 CCRB 中 3. TnCCLR 位未使用 4. 无输出功能 – TnBOC 和 TnBPOL 位未使用 5. 计数器值由 CCRP 决定,在 CCRP 为“0”时,计数器计数值可达最大 6. n=1 Rev.1.00 140 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 A/D 转换器 对于大多数电子系统而言,处理现实世界的模拟信号是共同的需求。为了完全 由单片机来处理这些信号,首先需要通过 A/D 转换器将模拟信号转换成数字信 号。将 A/D 转换器电路集成入单片机,可有效的减少外部器件,随之而来,具 有降低成本和减少器件空间需求的优势。 A/D 简介 此单片机都包含一个多通道的 A/D 转换器,它们可以直接接入外部模拟信号 (来自传感器或其它控制信号)并直接将这些信号转换成 12 位的数字量。 单片机 输入通道数 A/D 通道选择位 输入引脚 HT66F60A HT66F70A 12 ACS4~ACS0 AN0~AN11 下图显示了 A/D 转换器内部结构和相关的寄存器。 fS Y S V DD P in - s h a r e d s e le c tio n b its P H 0 /A N 0 , P A 1 /A N 1 , P H 1 /A N 2 , P A 3 /A N 3 , P A 4 /A N 4 ~ P A 7 /A N 7 , P E 6 /A N 8 ~ P E 7 /A N 9 , P F 0 /A N 1 0 ~ P F 1 /A N 1 1 V BG A D C K 2~A D C K 0 A /D ¸2N (N = 0 ~ 6 ) C lo c k AD O FF B it A /D C o n v e rte r P H 0 /V R E F VR EFS B it A /D R e fe r e n c e V o lta g e ADRL ADRH A /D D a ta R e g is te r s V SS AD R FS b it VBG EN A C S 4~A C S 0 S TA R T E O C B A D O FF A/D 转换器结构 A/D 转换寄存器介绍 A/D 转换器的所有工作由六个寄存器控制。一对只读寄存器来存放 12 位 ADC 数据的值。剩下两个控制寄存器设置 A/D 转换器的操作和控制功能。 寄存器 名称 ADRL(ADRFS=0) ADRL(ADRFS=1) ADRH(ADRFS=0) ADRH(ADRFS=1) ADCR0 ADCR1 位 7 6 5 4 3 D3 D2 D1 D0 — D7 D6 D5 D4 D3 D11 D10 D9 D8 D7 — — — — D11 START EOCB ADOFF ACS4 ACS3 — VBGEN ADRFS VREFS — A/D 转换寄存器列表 2 1 0 — — — D2 D1 D0 D6 D5 D4 D10 D9 D8 ACS2 ACS1 ACS0 ADCK2 ADCK1 ADCK0 Rev. 1.00 141 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 A/D 转换器数据寄存器 – ADRL,ADRH 对于具有 12 位 A/D 转换器的芯片,需要两个数据寄存器存放转换结果,一 个高字节寄存器 ADRH 和一个低字节寄存器 ADRL。在 A/D 转换完毕后,单 片机可以直接读取这些寄存器以获得转换结果。由于寄存器只使用了 16 位中 的 12 位,其数据存储格式由 ADCR0 寄存器的 ADRFS 位控制,如下表所示。 D0~D11 是 A/D 换转数据结果位。未使用的位读为“0”。 ADRH ADRL ADRFS 7 6 54 3 2 1 0 7 6 5 4 3 2 1 0 0 D11 D10 D9 D8 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 D11 D10 D9 D8 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 A/D 数据寄存器 A/D 转换控制寄存器 – ADCR0, ADCR1, PAS0~PAS3, PES3, PFS0, PHS0 寄存器 ADCR0 和 ADCR1 用来控制 A/D 转换器的功能和操作。这些 8 位的寄 存器定义包括选择连接至内部 A/D 转换器的模拟通道,数字化数据格式,A/D 时钟源,并控制和监视 A/D 转换器的开始和转换结束状态。寄存器 ADCR0 的 ACS4~ACS0 位定义 ADC 输入通道编号。由于每个单片机只包含一个实际的模 数转换电路,因此这 12 个模拟输入中的每一个都需要分别被发送到转换器。 ACS4~ACS0 位的功能决定选择哪个模拟输入通道或内部 1.25V 电路是否被连 接到内部 A/D 转换器。 引脚共用功能控制寄存器 PAS0~PAS3,PES3,PFS0 和 PHS0 包含对应的引脚 共用功能选择位,用来定义端口 PA,PE,PF 和 PH 中哪些引脚作为 A/D 转换 器的模拟输入,哪些不作为 A/D 转换输入。对应的位可以被设置为 A/D 输入功 能或 I/O 口或其他共用功能。当引脚作为 A/D 输入时,其原来的 I/O 或其它引 脚共用功能消失,此外,其内部上拉电阻也将自动断开。 Rev.1.00 142 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 ADCR0 寄存器 Bit Name R/W POR 7 START R/W 0 6 EOCB R 1 5 ADOFF R/W 1 4 ACS4 R/W 0 3 ACS3 R/W 0 2 ACS2 R/W 0 1 ACS1 R/W 0 0 ACS0 R/W 0 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4~0 START:启动 A/D 转换位 0 → 1 → 0:启动 0 → 1:重置 A/D 转换,并且设置 EOCB 为“1” 此位用于初始化 A/D 转换过程。通常此位为低,但如果设为高再被清零,将初 始化 A/D 转换过程。当此位为高,将重置 A/D 转换器。 EOCB:A/D 转换结束标志 0:A/D 转换结束 1:A/D 转换中 此位用于表明 A/D 转换过程的完成。当转换正在进行时,此位为高。 ADOFF:ADC 模块电源开 / 关控制位 0:ADC 模块电源开 1:ADC 模块电源关 此位控制 A/D 内部功能的电源。该位被清零将使能 A/D 转换器。如果该位设为 高将关闭 A/D 转换器以降低功耗。由于 A/D 转换器在不执行转换动作时都会产 生一定的功耗,所以这在电源敏感的电池应用中需要多加注意。 注:1. 建议在进入空闲 / 休眠模式前,设置 ADOFF=1 以减少功耗。 2. ADOFF=1 将关闭 ADC 模块的电源。 ACS4~ACS0:选择 A/D 通道 00000:AN0 00001:AN1 00010:AN2 00011:AN3 00100:AN4 00101:AN5 00110:AN6 00111:AN7 01000:AN8 01001:AN9 01010:AN10 01011:AN11 011xx:未定义 1xxxx:内部能隙电压 这五位是 A/D 通道选择控制位。由于只包含一个内部 A/D 转换电路,因此通过 这些位将 12 个 A/D 输入连接到转换器。如果 ACS4 设为高,内部 1.25V 电路将 被连接到内部 A/D 转换器。 Rev. 1.00 143 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 ADCR1 寄存器 Bit Name R/W POR 7 6 5 4 3 2 1 0 — VBGEN ADRFS VREFS — ADCK2 ADCK1 ADCK0 — R/W R/W R/W — R/W R/W R/W — 1 1 0 — 0 0 0 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2~0 未定义,读为“0” VBGEN:内部能隙电压控制位 0:除能 1:使能 此位控制连接到 A/D 转换器的内部充电泵电路开 / 关功能。当此位设为高, 充 电 泵 电 压 1.25V 连 接 至 A/D 转 换 器。 如 果 1.25V 未 连 接 至 A/D 转 换 器 且 LVR/LVD 除能,充电泵参考电压电路自动关闭以减少功耗。当 1.25V 打开连接 至 A/D 转换器,在 A/D 转换动作执行前,充电泵电路稳定需一段时间 tBG。 ADRFS:ADC 数据格式控制位 0:ADC 数据高字节是 ADRH 的 bit 7~bit 0,低字节是 ADRL 的 bit 7~bit 4 1:ADC 数据高字节是 ADRH 的 bit 3~bit 0,低字节是 ADRL 的 bit 7~bit 0 此位控制存放在两个 A/D 数据寄存器中的 12 位 A/D 转换结果的格式。细节方 面请参考 A/D 数据寄存器章节。 VREFS:选择 ADC 参考电压 0:内部 ADC 电源 1:VREF 引脚 此位用于选择 A/D 转换器的参考电压。如果该位设为高,A/D 转换器参考电 压来源于外部 VREF 引脚。如果该位设为低,内部参考电压来源于电源电压 VDD。 未定义,读为“0” ADCK2,ADCK1,ADCK0:选择 ADC 时钟源 000:fSYS 001:fSYS/2 010:fSYS/4 011:fSYS/8 100:fSYS/16 101:fSYS/32 110:fSYS/64 111:未定义 这三位用于选择 A/D 转换器的时钟源。 Rev.1.00 144 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 A/D 操作 ADCR0 寄 存 器 中 的 START 位, 用 于 打 开 和 复 位 A/D 转 换 器。 当 单 片 机 设 定此位从逻辑低到逻辑高,然后再到逻辑低,就会开始一个模数转换周期。 当 START 位从逻辑低到逻辑高,但不再回到逻辑低时,ADCR0 寄存器中的 EOCB 位置“1”,复位模数转换器。START 位用于控制内部模数换转器的开 启动作。 ADCR0 寄存器中的 EOCB 位用于表明模数转换过程的完成。在转换周期结束 后,EOCB 位会被单片机自动地置为“0”。此外,也会置位中断控制寄存器内 相应的 A/D 中断请求标志位,如果中断使能,就会产生对应的内部中断信号。 A/D 内部中断信号将引导程序到相应的 A/D 内部中断入口。如果 A/D 内部中断 被禁止,可以让单片机轮询 ADCR0 寄存器中的 EOCB 位,检查此位是否被清 除,以作为另一种侦测 A/D 转换周期结束的方法。 A/D 转换器的时钟源为系统时钟 fSYS 分频,而分频系数由 ADCR1 寄存器中的 ADCK2~ADCK0 位决定。 虽然 A/D 时钟源是由系统时钟 fSYS,ADCK2~ADCK0 位决定,但可选择的最大 A/D 时钟源则有一些限制。允许的 A/D 时钟周期 tADCK 的最小值为 0.5µs,当系 统时钟速度等于或超过 4MHz 时就必须小心。如果系统时钟速度为 4MHz 时, ADCK2~ADCK0 位不能设为“000”。必须保证设定的 A/D 转换时钟周期不小 于时钟周期的最小值,否则将会产生不准确的 A/D 转换值。使用者可以参考下 面的表格,被标上星号 * 的数值是不允许的,因为它们的 A/D 转换时钟周期小 于规定的最小值。 A/D 时钟周期 (tADCK) fSYS ADCK2, ADCK1, ADCK0 =000 (fSYS) ADCK2, ADCK1, ADCK0 =001 (fSYS/2) ADCK2, ADCK1, ADCK0 =010 (fSYS/4) ADCK2, ADCK1, ADCK0 =011 (fSYS/8) ADCK2, ADCK1, ADCK0 =100 (fSYS/16) ADCK2, ADCK1, ADCK0 =101 (fSYS/32) ADCK2, ADCK1, ADCK0 =110 (fSYS/64) ADCK2, ADCK1, ADCK0 =111 1MHz 1μs 2μs 4μs 8μs 16μs 32μs 64μs 未定义 2MHz 500ns 1μs 2μs 4μs 8μs 16μs 32μs 未定义 4MHz 250ns* 500ns 1μs 2μs 4μs 8μs 16μs 未定义 8MHz 125ns* 250ns* 500ns 1μs 2μs 4μs 8μs 未定义 12MHz 83ns* 167ns* 333ns* 667ns 1.33μs 2.67μs 5.33μs 未定义 A/D 时钟周期范例 ADCR0 寄 存 器 的 ADOFF 位 用 于 控 制 A/D 转 换 电 路 电 源 的 开 / 关。 该 位 必 须清零以开启 A/D 转换器电源。即使通过清除 ACERH 和 ACERL 寄存器的 ACE11~ACE0 位,选择无引脚作为 A/D 输入,如果 ADOFF 设为“0”,那么 仍然会产生功耗。因此当未使用 A/D 转换器功能时,在功耗敏感的应用中建议 设置 ADOFF 为高以减少功耗。 A/D 转换器参考电压来自正电源电压 VDD 或外部参考源引脚 VREF,可通 过 VREFS 和 PH0S3~PH0S0 位来选择。由于 VREF 引脚与其它功能共用,当 VREFS 设为高且 PH0S3~PH0S0 设为“0011”,选择 VREF 引脚功能且其它引 脚功能将自动除能。 Rev. 1.00 145 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 A/D 输入引脚 所有的 A/D 模拟输入引脚都与端口 PA,PE,PF 和 PH 及其它功能共用。使用 PAS0~PAS3,PES3,PFS0 和 PHS0 寄存器中的选择位,可以将它们设置为 A/D 转换器模拟输入脚或具有其它功能。如果对应的引脚作为 A/D 转换输入,则原 引脚功能除能。通过这种方式,引脚的功能可由程序来控制,灵活地切换引脚 功能。如果将引脚设为 A/D 输入,则通过寄存器编程设置的所有上拉电阻会自 动断开。请注意,PAC,PEC,PFC 或 PHC 端口控制寄存器不需要为使能 A/D 输入而先设定为输入模式,当 A/D 功能选择位使能 A/D 输入时,端口控制寄存 器的状态将被重置。 A/D 转 换 器 有 自 己 的 参 考 电 压 引 脚 VREF, 而 通 过 设 置 ADCR1 寄 存 器 的 VREFS 位,参考电压也可以选择来自电源电压引脚。模拟输入值一定不能超过 VREF 值。 P H 0 /A N P F 1 /A N 1 1 1 .2 5 V A C S 4,A C S 2~A C S 0 In p u t V o lta g e B u ffe r VBG EN 1 2 - b it A D C V REF VR EFS VDD P H 0 /V R E F A/D 输入结构 B andgap R e fe re n c e V o lta g e A/D 转换步骤 下面概述实现 A/D 转换过程的各个步骤。 ● 步骤 1 通过 ADCR1 寄存器中的 ADCK2~ADCK0 位,选择所需的 A/D 转换时钟。 ● 步骤 2 清零 ADCR0 寄存器中的 ADOFF 位使能 A/D。 ● 步骤 3 通过 ADCR0 寄存器中的 ACS4~ACS0 位,选择连接至内部 A/D 转换器的通道。 ● 步骤 4 通过引脚共用功能选择寄存器中的对应位,选择哪些引脚规划为 A/D 输入引 脚。 ● 步骤 5 如果要使用中断,则中断控制寄存器需要正确地设置,以确保 A/D 转换功 能是激活的。总中断控制位 EMI 需要置位为“1”, 以及 A/D 转换器中断位 ADE 也需要置位为“1”。 ● 步骤 6 现在可以通过设定 ADCR0 寄存器中的 START 位从“0”到“1”再回到“0”, 开始模数转换的过程。注意,该位需初始化为“0”。 Rev.1.00 146 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 ● 步骤 7 可以轮询 ADCR0 寄存器中的 EOCB 位,检查模数转换过程是否完成。当此 位成为逻辑低时,表示转换过程已经完成。转换完成后,可读取 A/D 数据寄 存器 ADRL 和 ADRH 获得转换后的值。另一种方法是,若中断使能且堆栈未 满,则程序等待 A/D 中断发生。 注:若使用轮询 ADCR0 寄存器中 EOCB 位的状态的方法来检查转换过程是 否结束时,则中断使能的步骤可以省略。 下列时序图表示模数转换过程中不同阶段的图形与时序。由应用程序控制开始 A/D 转换过程后,单片机的内部硬件就会开始进行转换,在这个过程中,程序 可以继续其它功能。A/D 转换时间为 16tADCK,tADCK 为 A/D 时钟周期。 AD O FF A D C M o d u le O N o ff STAR T tO N 2 S T on A /D s a m p lin g tim e tA D S A /D s a m p lin g tim e tA D S o ff on EO CB A C S 4~A C S 0 0011B 0010B 0000B 0001B P o w e r-o n R eset S ta rt o f A /D c o n v e r s io n S ta rt o f A /D c o n v e r s io n S ta rt o f A /D c o n v e r s io n R e s e t A /D c o n v e rte r 1 : D e fin e p o r t c o n fig u r a tio n 2 : S e le c t a n a lo g c h a n n e l R e s e t A /D c o n v e rte r E n d o f A /D c o n v e r s io n R e s e t A /D c o n v e rte r E n d o f A /D c o n v e r s io n tA D C tA D C A /D c o n v e r s io n tim e A /D c o n v e r s io n tim e A/D 转换时序图 编程注意事项 在编程时,如果 A/D 转换器未使用,通过设置 ADCR0 寄存器中的 ADOFF 为 高,关闭 A/D 内部电路以减少电源功耗。此时,不考虑输入脚的模拟电压,内 部 A/D 转换器电路不产生功耗。如果 A/D 转换器输入脚用作普通 I/O 脚,必须 特别注意,输入电压为无效逻辑电平也可能增加功耗。 A/D 转换功能 单片机含有一组 12 位的 A/D 转换器,它们转换的最大值可达 FFFH。由于模拟 输入最大值等于 VDD 或 VREF 的电压值,因此每一位可表示 VDD 或 VREF/4096 的 模拟输入值。 1 LSB=(VDD 或 VREF)÷ 4096 通过下面的等式可估算 A/D 转换器输入电压值: A/D 输入电压 =A/D 数字输出值 ×(VDD 或 VREF) ÷ 4096 下图显示 A/D 转换器模拟输入值和数字输出值之间理想的转换功能。除了数字 化数值 0,其后的数字化数值会在精确点之前的 0.5 LSB 处改变,而数字化数 值的最大值将在 VDD 或 VREF 之前的 1.5 LSB 处改变。 Rev. 1.00 147 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 理想的 A/D 转换功能 A/D 转换应用范例 下面两个范例程序用来说明怎样使用 A/D 转换。第一个范例是轮询 ADCR0 寄 存器中的 EOCB 位来判断 A/D 转换是否完成;第二个范例则使用中断的方式判 断。 范例 : 使用查询 EOCB 的方式来检测转换结束 clr ADE mov a,03H mov ADCR1,a clr ADOFF mov a,03h mov PHS0,a mov a,00h mov ADCR0,a : start_conversion: clr START set START clr START polling_EOC: sz EOCB jmp polling_EOC mov a,ADRL mov ADRL_buffer,a mov a,ADRH mov ADRH_buffer,a : : jmp start_conversion ; disable ADC interrupt ; select fSYS/8 as A/D clock and switch off 1.25V ; setup PHS0 to configure pin AN0 ; enable and connect AN0 channel to A/D converter ; high pulse on start bit to initiate conversion ; reset A/D ; start A/D ; poll the ADCR0 register EOCB bit to detect end ; of A/D conversion ; continue polling ; read low byte conversion result value ; save result to user defined register ; read high byte conversion result value ; save result to user defined register ; start next A/D conversion Rev.1.00 148 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 范例 : 使用中断的方式来检测转换结束 clr ADE mov a,03H mov ADCR1,a clr ADOFF mov a,03h mov PHS0,a mov a,00h mov ADCR0,a Start_conversion: clr START set START clr START clr ADF set ADE set EMI : : ADC_ISR: mov acc_stack,a mov a,STATUS mov status_stack,a : : mov a,ADRL mov adrl_buffer,a mov a,ADRH mov adrh_buffer,a : : EXIT_INT_ISR: mov a,status_stack mov STATUS,a mov a, acc_stack reti ; disable ADC interrupt ; select fSYS/8 as A/D clock and switch off 1.25V ; setup PHS0 to configure pins AN0 ; enable and connect AN0 channel to A/D converter ; high pulse on start bit to initiate conversion ; reset A/D ; start A/D ; clear ADC interrupt request flag ; enable ADC interrupt ; enable global interrupt ; ADC interrupt service routine ; save ACC to user defined memory ; save STATUS to user defined memory ; read low byte conversion result value ; save result to user defined register ; read high byte conversion result value ; save result to user defined register ; restore STATUS from user defined memory ; restore ACC from user defined memory Rev. 1.00 149 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 比较器 该系列芯片中含有两个独立的模拟比较器。它们具有暂停、极性选择、迟滞等 功能,可通过寄存器进行灵活配置。比较器的引脚与普通 I/O 引脚共享,当比 较器功能未使用时,此引脚可做普通引脚使用而不浪费 I/O 资源。 C nP O L C nO U T C n+ C nX C nP in - s h a r e d fu n c tio n s e le c t c o n tr o l 比较器 比较器操作 此系列单片机包含两个比较器功能,用于比较两个模拟电压,基于它们的差值 上提供一个输出。控制寄存器 CP0C 和 CP1C 可分别控制相应的内部比较器。 比较器的输出可由各自寄存器的一位记录,并且在共用的 I/O 口上输出。此外, 比较器功能有输出极性,迟滞功能和暂停控制。 当比较器使能时,连接到与比较器共用的输入引脚的上拉电阻将自动失效。当 比较器输入接近其切换电压时,由于输入信号上升或下降速度较慢,比较器输 出端可能会产生一些伪输出信号。通过选择迟滞功能提供少量正反馈给比较器 可使此种情况的发生率降至最低。理想情况下正负输入信号在同一个电压点时 比较器将发生开关动作,但是不可避免的输入失调电压会导致情况不确定。若 迟滞功能使能,也可增加切换偏差值。 比较器寄存器 比较器工作相关的寄存器共有两个,分别对应两个比较器。两个比较器中对应 的位有特殊的功能,两个寄存器列表如下。 寄存器 Bit 名称 7 6 5 4 3 2 1 0 CP0C — C0EN C0POL C0OUT — — — C0HYEN CP1C — C1EN C1POL C1OUT — — — C1HYEN 比较器寄存器列表 Rev.1.00 150 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 CP0C 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name — C0EN C0POL C0OUT — — — C0HYEN R/W — R/W R/W R — — — R/W POR — 0 0 0 — — — 1 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3~1 Bit 0 未使用,读为“0” C0EN:比较器开 / 关控制位 0:关闭 1:开启 此位为比较器开 / 关控制位。为“0”时,比较器关闭,即使其引脚上加有模拟 电压也不会产生功耗。对功耗要求严格的应用中,当比较器未使用或单片机进 入休眠或空闲模式之前,此位应清零。 C0POL:比较器输出极性位 0:输出同相 1:输出反相 此位决定比较器极性。为“0”时,C0OUT 位与比较器输出条件同相;为“1”时, C0OUT 位与比较器输出条件反相。 C0OUT:比较器输出位 C0POL=0 0: C0+ < C01: C0+ > C0C0POL=1 0: C0+ > C01: C0+ < C0此位为比较器输出位。此位的极性由比较器输入电压和 C0POL 位的状态决定。 未使用,读为“0” C0HYEN:迟滞控制位 0:关闭 1:开启 此位为迟滞控制位。为“1”时,比较器有一定量迟滞,具体见比较器电气特性 表。滞后产生的正反馈将减少比较器门槛附近的伪开关效应的影响。 Rev. 1.00 151 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 CP1C 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name — C1EN C1POL C1OUT — — — C1HYEN R/W — R/W R/W R — — — R/W POR — 0 0 0 — — — 1 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3~1 Bit 0 未使用,读为“0” C1EN:比较器开 / 关控制位 0:关闭 1:开启 此位为比较器开 / 关控制位。为“0”时,比较器关闭,即使其引脚上加有模拟 电压也不会产生功耗。对功耗要求严格的应用中,当比较器未使用或单片机进 入休眠或空闲模式之前,此位应清零。 C1POL:比较器输出极性位 0:输出同相 1:输出反相 此位决定比较器极性。为“0”时,C1OUT 位与比较器输出条件同相;为“1”时, C1OUT 位与比较器输出条件反相。 C1OUT:比较器输出位 C1POL=0 0: C1+ < C11: C1+ > C1C1POL=1 0: C1+ > C11: C1+ < C1此位为比较器输出位。此位的极性由比较器输入电压和 C1POL 位的状态决定。 未使用,读为“0” C1HYEN:迟滞控制位 0:关闭 1:开启 此位为迟滞控制位。为“1”时,比较器有一定量迟滞,具体见比较器电气特性 表。滞后产生的正反馈将减少比较器门槛附近的伪开关效应的影响。 比较器中断 每个比较器都有自己的中断功能。当任何一个状态改变时,其对应的中断标志 将会置位,若应答中断使能位被置位,系统将跳转至相应的中断向量中执行。 注意,发生状态改变的是 C0OUT 或 C1OUT 位而不是产生中断的输出脚。单片 机处于休眠或空闲模式且比较器使能时,若为外部输入线导致比较器输出状态 发生的改变,则由此产生的中断标志也可产生一个唤醒动作。若除能唤醒功能, 进入休眠或空闲模式前中断标志应先置为高。 编程注意事项 若比较器使能,当单片机进入休眠或空闲模式时其仍保持有效并会有一定的耗 电,用户可考虑在进入休眠或空闲模式前先关闭比较器。 由于比较器引脚与普通输入 / 输出脚共用,若比较器功能使能时,这些引脚的 输入 / 输出寄存器将读为“0”(端口控制寄存器读为“1”)或读为端口数据 寄存器的值(端口控制寄存器读为“0”)。 Rev.1.00 152 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 串行接口模块 – SIM 该单片机内有一个串行接口模块,包括两种易与外部设备通信的串行接口:四 线 SPI 或两线 I2C 接口。这两种接口具有相当简单的通信协议,单片机可以通 过这些接口与传感器、闪存或 EEPROM 内存等硬件设备通信。SIM 接口的引 脚与其它的 I/O 引脚共用,所以要先通过相关的引脚共用功能选择位选择使用 SIM 功能引脚。因为这两种接口共用引脚和寄存器,所以要通过一个 SIMC0 寄 存器中的 SIM2~SIM0 位来选择哪一种通信接口。若 SIM 功能使能,可通过上 拉电阻控制寄存器选择与输入 / 输出口共用的 SIM 脚的上拉电阻。 SPI 接口 SPI 接口常用于与外部设备如传感器、闪存或 EEPROM 内存等通信。四线 SPI 接口最初是由摩托罗拉公司研制,是一个有相当简单的通信协议的串行数据接 口,这个协议可以简化与外部硬件的编程要求。 SPI 通信模式为全双工模式,且能以主 / 从模式的工作方式进行通信,单片机既 可以做为主机,也可以做为从机。虽然 SPI 接口理论上允许一个主机控制多个 从机,但此处的 SPI 中只有一个片选信号引脚 SCS。若主机需要控制多个从机, 可使用输入 / 输出引脚选择从机。 SPI 接口操作 SPI 接口是一个全双工串行数据传输器。SPI 接口的四线为:SDI、SDO、SCK 和 SCS。SDI 和 SDO 是数据的输入和输出线。SCK 是串行时钟线,SCS 是从 机的选择线。SPI 的接口引脚与普通 I/O 口和 I2C 的功能脚共用。通过设定复用 功能引脚选择寄存器 PAS2、PAS3 及 PBS2 和 SIMC0/SIMC2 寄存器的对应位, 来使能 SPI 接口。SPI 选项设定好后,还可以通过 SIMC0 寄存器中的 SIMEN 位来除能或使能。连接到 SPI 接口的单片机以从主 / 从模式进行通信,且主机 完成所有的数据传输初始化,并控制时钟信号。由于单片机只有一个 SCS 引 脚,所以只能拥有一个从机设备。可通过软件控制 SCS 引脚使能与除能,设置 CSEN 位为“1”使能 SCS 功能,设置 CSEN 位为“0”SCS 引脚将处于浮空状态。 SPI 主 / 从机连接方式 该系列单片机的 SPI 功能具有以下特点: ● 全双工同步数据传输 ● 主从模式 ● 最低有效位先传或最高有效位先传的数据传输模式 ● 传输完成标志位 ● 时钟源上升沿或下降沿有效 SPI 接 口 状 态 受 很 多 因 素 的 影 响, 如 单 片 机 处 于 主 机 或 从 机 的 工 作 模 式 和 CSEN,SIMEN 位的状态。 Rev. 1.00 153 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 D a ta B u s S IM D T x /R x S h ift R e g is te r S D I P in S D O P in C K E G b it C K P O L B b it S C K P in fS Y S fS U B T M 0 C C R P m a tc h fre q u e n c y /2 S C S P in C S E N b it C lo c k E d g e /P o la r ity C o n tro l C lo c k S o u r c e S e le c t B usy S ta tu s SPI 方框图 W C O L F la g T R F F la g SPI 寄存器 有三个内部寄存器用于控制 SPI 接口的所有操作,其中有一个数据寄存器 SIMD、两个控制寄存器 SIMC0 和 SIMC2。注意,SIMC1 寄存器仅用于 I2C 接口。 寄存器 名称 SIMC0 SIMD SIMC2 7 SIM2 D7 D7 Bit 6 5 4 3 2 1 0 SIM1 SIM0 — SIMDEB1 SIMDEB0 SIMEN — D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 D6 CKPOLB CKEG MLS CSEN WCOL TRF SIM 寄存器列表 SIMD 用于存储发送和接收的数据。这个寄存器由 SPI 和 I2C 功能所共用。在 单片机尚未将数据写入到 SPI 总线中时,要传输的数据应先存在 SIMD 中。SPI 总线接收到数据之后,单片机就可以从 SIMD 数据寄存器中读取。所有通过 SPI 传输或接收的数据都必须通过 SIMD 实现。 SIMD 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR × × × × × × × × “×”为未知 单片机中也有两个控制 SPI 接口功能的寄存器,SIMC0 和 SIMC2。应注意的是 SIMC2 与 I2C 接口功能中的的寄存器 SIMA 是同一个寄存器。SPI 功能不会用 到寄存器 SIMC1,SIMC1 只适用于 I2C 中。寄存器 SIMC0 用于控制使能 / 除能 功能和设置数据传输的时钟频率。虽然 SIMC0 与 SPI 功能关,但是也用于控制 外部时钟分频。寄存器 SIMC2 用于其它的控制功能如 LSB/MSB 选择,写冲突 标志位等。 Rev.1.00 154 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 SIMC0 寄存器 Bit Name R/W POR 7 SIM2 R/W 1 6 SIM1 R/W 1 5 SIM0 R/W 1 4 3 2 1 0 — SIMDEB1 SIMDEB0 SIMEN — — R/W R/W R/W — — 0 0 0 — Bit 7~5 Bit 4 Bit 3~2 Bit 1 Bit 0 SIM2~SIM0:SIM 工作模式控制位 000:SPI 主机模式;SPI 时钟为 fSYS/4 001:SPI 主机模式;SPI 时钟为 fSYS/16 010:SPI 主机模式;SPI 时钟为 fSYS/64 011:SPI 主机模式;SPI 时钟为 fSUB 100:SPI 主机模式;SPI 时钟为 TM0 CCRP 匹配频率 /2 101:SPI 从机模式 110:I2C 从机模式 111:未使用模式 这几位用于设置 SIM 功能的工作模式,用于选择 SPI 的主从模式和 SPI 的主 机时钟频率及 I2C 或 SPI 功能。SPI 时钟源可来自于系统时钟也可以选择来自 TM0。若选择的是作为 SPI 从机,则其时钟源从外部主机而得。 未使用,读为“0” SIMDEB1~SIMDEB0:I2C 去抖时间选择位 00:无去抖时间 01:2 个系统时钟去抖时间 1x:4 个系统时钟去抖时间 SIMEN:SIM 控制位 0:除能 1:使能 此 位 为 SIM 接 口 的 开 / 关 控 制 位。 此 位 为“0” 时,SIM 接 口 除 能,SDI、 SDO、SCK 和 SCS 或 SDA 和 SCL 脚将失去 SPI 或 I2C 功能,SIM 工作电流减 小到最小值。此位为“1”时,SIM 接口使能。若 SIM 经由 SIM2~SIM0 位设置 为工作在 SPI 接口,当 SIMEN 位由低到高转变时,SPI 控制寄存器中的设置不 会发生变化,其首先应在应用程序中初始化。若 SIM 经由 SIM2~SIM0 位设置 为工作在 I2C 接口,当 SIMEN 位由低到高转变时,I2C 控制寄存器中的设置, 如 HXT 和 TXAK,将不会发生变化,其首先应在应用程序中初始化,此时相关 I2C 标志,如 HCF、HAAS、HBB、SRW 和 RXAK,将被设置为其默认状态。 未使用,读为“0” Rev. 1.00 155 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 SIMC2 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name D7 D6 CKPOLB CKEG MLS CSEN WCOL TRF R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR 0 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7~6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 未定义位 用户可通过软件程序对这两位进行读写。 CKPOLB:时钟线的基础状态位 0:当时钟无效时,SCK 口为高电平 1:当时钟无效时,SCK 口为低电平 此位决定了时钟线的基础状态,当时钟无效时,若此位为高,SCK 为低电平, 若此位为低,SCK 为高电平。 CKEG:SPI 的 SCK 有效时钟边沿类型位 CKPOLB=0 0:SCK 为高电平且在 SCK 上升沿抓取数据 1:SCK 为高电平且在 SCK 下降沿抓取数据 CKPOLB=1 0:SCK 为低电平且在 SCK 下降沿抓取数据 1:SCK 为低电平且在 SCK 上升沿抓取数据 CKEG 和 CKPOLB 位用于设置 SPI 总线上时钟信号输入和输出方式。在执行数 据传输前,这两位必须被设置,否则将产生错误的时钟边沿信号。CKPOLB 位 决定时钟线的基本状态,若时钟无效且此位为高,则 SCK 为低电平,若时钟 无效且此位为低,则 SCK 为高电平。CKEG 位决定有效时钟边沿类型,取决于 CKPOLB 的状态。 MLS:SPI 数据移位命令位 0:LSB 1:MSB 数据移位选择位,用于选择数据传输时高位优先传输还是低位优先传输。此位 设置为高时高位优先传输,为低时低位优先传输。 CSEN:SPI SCS 引脚控制位 0:除能 1:使能 CSEN 位用于 SCS 引脚的使能 / 除能控制。此位为低时,SCS 除能并作为普通 I/O 口或其他功能。此位为高时,SCS 使能并作为选择脚。 WCOL:SPI 写冲突标志位 0:无冲突 1:冲突 WCOL 标志位用于监测数据冲突的发生。此位为高时,数据在传输时被写入 SIMD 寄存器。若数据正在被传输时,此操作无效。此位可被应用程序清零。 TRF:SPI 发送 / 接收结束标志位 0:数据正在发送 1:数据发送结束 TRF 位为发送 / 接收结束标志位,当 SPI 数据传输结束时,此位自动置为高, 但须通过应用程序设置为“0”。此位也可用于产生中断。 Rev.1.00 156 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 SPI 通信 将 SIMEN 设置为高,使能 SPI 功能之后,单片机处于主机模式,当数据写入 到寄存器 SIMD 的同时传输 / 接收开始进行。数据传输完成时,TRF 位将自动 被置位但清除只能通过应用程序完成。单片机处于从机模式时,收到主机发来 的信号之后,会传输 SIMD 中的数据,而且在 SDI 引脚上的数据也会被移位 到 SIMD 寄存器中。主机应在输出时钟信号之前先输出一个 SCS 信号以使能 从机,从机的数据传输功能也应在与 SCS 信号相关的适当时候准备就绪,这由 CKPOLB 和 CKEG 位决定。所附时序图表明了在 CKPOLB 和 CKEG 位各种设 置情况下从机数据与 SCS 信号的关系。 即使在单片机处于空闲模式,SPI 功能仍将继续执行。 SPI 主机模式时序 SPI 从机模式时序 -- CKEG=0 Rev. 1.00 157 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 SPI 从机模式时序 -- CKEG=1 Rev.1.00 SPI 传输控制流程图 158 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 I2C 接口 I2C 可以和传感器,EEPROM 内存等外部硬件接口进行通信。最初是由飞利浦 公司研制,是适用于同步串行数据传输的双线式低速串行接口。I2C 接口具有两 线通信,非常简单的通信协议和在同一总线上和多个设备进行通信的能力的优 点,使之在很多的应用场合中大受欢迎。 I2C 主从总线连接图 I2C 接口操作 I2C 串行接口是一个双线的接口,有一条串行数据线 SDA 和一条串行时钟线 SCL。由于可能有多个设备在同一条总线上相互连接,所以这些设备的输出都 是开漏型输出。因此应在这些输出口上都应加上拉电阻。应注意的是:I2C 总线 上的每个设备都没有选择线,但分别与唯一的地址一一对应,用于 I2C 通信。 如果有两个设备通过双向的 I2C 总线进行通信,那么就存在一个主机和一个从 机。主机和从机都可以用于传输和接收数据,但只有主机才可以控制总线动作。 那些处于从机模式的设备,要在 I2C 总线上传输数据只有两种方式,一是从机 发送模式,二是从机接收模式。 SIMDEB1 和 SIMDEB0 位决定 I2C 接口的去抖时间。这个功能可以使用内部时 钟在外部时钟上增加一个去抖间隔,会减小时钟线上毛刺发生的可能性,以避 免单片机发生误动作。如果选择了这个功能,去抖时间可以选择 2 个或 4 个系 统时钟。为了达到需要的 I2C 数据传输速度,系统时钟 fSYS 和 I2C 去抖时间之间 存在一定的关系。I2C 标准模式或者快速模式下,用户需注意所选的系统时钟频 率与标准匹配去抖时间的设置,其具体关系如下表所示。 I2C 去抖时间选择 无去抖时间 2 个系统时钟去抖时间 4 个系统时钟去抖时间 I2C 标准模式 (100kHz) fSYS>2MHz fSYS>4MHz fSYS>8MHz I2C 快速模式 (400kHz) fSYS>5MHz fSYS>10MHz fSYS>20MHz I2C 最小 fSYS 频率 Rev. 1.00 159 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 I2C 寄存器 I2C 总 线 的 三 个 控 制 寄 存 器 是 SIMC0 和 SIMC1,SIMA 及 一 个 数 据 寄 存 器 SIMD。SIMD 寄存器,SPI 章节中已有介绍,用于存储正在传输和接收的数据, 当单片机将数据写入 I2C 总线之前,实际将被传输的数据存放在寄存器 SIMD 中。从 I2C 总线接收到数据之后,单片机就可以从寄存器 SIMD 中得到这个 数据。I2C 总线上的所有传输或接收到的数据都必须通过 SIMD。应注意的是 SIMA 也有另外一个名字,SIMC2,使用 SPI 功能时会用到。I2C 接口会用到寄 存器 SIMC0 中的 SIMEN 位和 SIM0~SIM2 位。 寄存器 名称 SIMC0 SIMC1 SIMD SIMA 7 SIM2 HCF D7 IICA6 6 SIM1 HAAS D6 IICA5 Bit 5 4 3 2 1 0 SIM0 — SIMDEB1 SIMDEB0 SIMEN — HBB HTX TXAK SRW IAMWU RXAK D5 D4 D3 D2 D1 D0 IICA4 IICA3 IICA2 IICA1 IICA0 D0 I2C 寄存器列表 Rev.1.00 160 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 SIMC0 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name SIM2 SIM1 SIM0 — SIMDEB1 SIMDEB0 SIMEN — R/W R/W R/W R/W — R/W R/W R/W — POR 1 1 1 — 0 0 0 — Bit 7~5 Bit 4 Bit 3~2 Bit 1 Bit 0 SIM2~SIM0:SIM 工作模式控制位 000:SPI 主机模式;SPI 时钟为 fSYS/4 001:SPI 主机模式;SPI 时钟为 fSYS/16 010:SPI 主机模式;SPI 时钟为 fSYS/64 011:SPI 主机模式;SPI 时钟为 fSUB 100: SPI 主机模式;SPI 时钟为 TM0 CCRP 匹配频率 /2 101:SPI 从机模式 110:I2C 从机模式 111:未使用模式 这几位用于设置 SIM 功能的工作模式,用于选择 SPI 的主从模式和 SPI 的主 机时钟频率及 I2C 或 SPI 功能。SPI 时钟源可来自于系统时钟也可以选择来自 TM0。若选择的是作为 SPI 从机,则其时钟源从外部主机而得。 未使用,读为“0” SIMDEB1~SIMDEB0:I2C 去抖时间选择位 00:无去抖时间 01:2 个系统时钟去抖时间 1x:4 个系统时钟去抖时间 SIMEN:SIM 控制位 0:除能 1:使能 此 位 为 SIM 接 口 的 开 / 关 控 制 位。 此 位 为“0” 时,SIM 接 口 除 能,SDI、 SDO、SCK 和 SCS 或 SDA 和 SCL 脚将失去 SPI 或 I2C 功能,SIM 工作电流减 小到最小值。此位为“1”时,SIM 接口使能。若 SIM 经由 SIM2~SIM0 位设置 为工作在 SPI 接口,当 SIMEN 位由低到高转变时,SPI 控制寄存器中的设置不 会发生变化,其首先应在应用程序中初始化。若 SIM 经由 SIM2~SIM0 位设置 为工作在 I2C 接口,当 SIMEN 位由低到高转变时,I2C 控制寄存器中的设置, 如 HXT 和 TXAK,将不会发生变化,其首先应在应用程序中初始化,此时相关 I2C 标志,如 HCF、HAAS、HBB、SRW 和 RXAK,将被设置为其默认状态。 未使用,读为“0” Rev. 1.00 161 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 SIMC1 寄存器 Bit Name R/W POR 7 6 5 HCF HAAS HBB R R R 1 0 0 4 HTX R/W 0 3 TXAK R/W 0 2 SRW R 0 1 IAMWU R/W 0 0 RXAK R 1 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 HCF:I2C 总线数据传输结束标志位 0:数据正在被传输 1:8 位数据传输完成 数据正在传输时该位为低。当 8 位数据传输完成时,此位为高并产生一个中断。 HAAS:I2C 地址匹配标志位 0:地址不匹配 1:地址匹配 此标志位用于决定从机地址是否与主机发送地址相同。若地址匹配此位为高, 否则此位为低。 HBB:I2C 总线忙标志位 0:I2C 总线闲 1:I2C 总线忙 当检测到 START 信号时 I2C 忙,此位变为高电平。当检测到 STOP 信号时 I2C 总线停止,该位变为低电平。 HTX:从机处于发送或接收模式标志位 0:从机处于接收模式 1:从机处于发送模式 TXAK:I2C 总线发送确认标志位 0:从机发送确认标志 1:从机没有发送确认标志 单片机接收 8 位数据之后会将该位在第九个时钟传到总线上。如果单片机想要 接收更多的数据,则应在接收数据之前将此位设置为“0”。 SRW:I2C 从机读 / 写位 0:从机应处于接收模式 1:从机应处于发送模式 SRW 位是从机读写位。决定主机是否希望传输或接收来自 I2C 总线的数据。当 传输地址和从机的地址相同时,HAAS 位会被设置为高,主机将检测 SRW 位来 决定进入发送模式还是接收模式。如果 SRW 位为高时,主机会请求从总线上读 数据,此时设备处于传输模式。当 SRW 位为“0”时,主机往总线上写数据, 设备处于接收模式以读取该数据。 IAMWU:I2C 地址匹配唤醒控制位 0:除能 1:使能 此位应设置为“1”使能 I2C 地址匹配以使系统从休眠或空闲模式中唤醒。若进 入休眠或空闲模式前 IAMWU 已经设置以使能 I2C 地址匹配唤醒功能,在系统 唤醒后须软件清除此位以确保单片机正确地运行。 RXAK:I2C 总线接收确认标志位 0:从机接收到确认标志 1:从机没有接收到确认标志 RXAK 位是接收确认标志位。如果 RXAK 位被重设为“0”即 8 位数据传输之 后,设备在第九个时钟有接受到一个正确的确认位。如果单片机处于发送状态, 发送方会检查 RXAK 位来判断接收方是否愿意继续接收下一个字节。因此直到 RXAK 为“1”时,传输方停止发送数据。这时,传输方将释放 SDA 线,主机 发出停止信号。 Rev.1.00 162 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 SIMD 用于存储发送和接收的数据。这个寄存器由 SPI 和 I2C 功能所共用。在单 片机尚未将数据写入到 SPI 总线中时,要传输的数据应存在 SIMD 中。SPI 总 线接收到数据之后,单片机就可以从 SIMD 数据寄存器中读取。所有通过 SPI 传输或接收的数据都必须通过 SIMD 实现。 SIMD 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR × × × × × × × × “×”为未知 SIMA 寄存器 Bit Name R/W POR Bit 7~1 Bit 0 7 6 5 4 3 2 1 0 IICA6 IICA5 IICA4 IICA3 IICA2 IICA1 IICA0 — R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W — × × × × × × × — “×”为未知 IICA6~IICA0:I2C 从机地址位 IICA6~IICA0 是从机地址对应的 6~0 位。此寄存器也在 SPI 接口功能中使用, 但其名称改为 SIMC2。SIMA 寄存器用于存放 7 位从机地址,寄存器 SIMA 中 的第 7~1 位是单片机的从机地址,位 0 未定义。如果接至 I2C 的主机发送处的 地址和寄存器 SIMA 中存储的地址相符,那么就选中了这个从机。应注意的是 寄存器 SIMA 和 SPI 接口使用的寄存器 SIMC2 是同一个寄存器。 无定义 此位可通过软件程序进行读写。 D a ta B u s I2 C D a ta R e g is te r (S IM D ) S la v e A d d r e s s R e g is te r (S IM A ) S C L P in S D A P in D ebounce C ir c u itr y S IM D E B 1 & S IM D E B 0 H T X B it D ir e c tio n C o n tr o l A d d re s s C o m p a ra to r A d d re s s M a tc h H A A S B it D a ta in L S B M D a ta O u t M S B S h ift R e g is te r U X E n a b le /D is a b le A c k n o w le d g e R e a d /w r ite S la v e T r a n s m it/R e c e iv e C o n tr o l U n it 8 - b it D a ta C o m p le te D e te c t S ta rt o r S to p I2C 方框图 S R W B it H C F B it H B B B it I2C In te rru p t Rev. 1.00 163 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 I2C 总线通信 I2C 总线上的通信需要四步完成,一个起始信号,一个从机地址发送,一个数据 传输,还有一个停止信号。当起始信号被写入 I2C 总线时,总线上的所有从机 都会接收到这个起始信号并且被通知总线上会即将有数据到达。数据的前 7 位 是从机地址,高位在前,低位在后。如果发出的地址和从机地址匹配,SIMC1 寄存器的 HAAS 位会被置位,同时产生 I2C 中断。进入中断服务程序后,系统 要检测 HAAS 位,以判断 I2C 总线中断是来自从机地址匹配,还是来自 8 位数 据传递完毕。在数据传递中,注意的是,在 7 位从机地址被发送后,接下来的 一位,即第 8 位,是读 / 写控制位,该位的值会反映到 SRW 位中。从机通过检 测 SRW 位以确定主控制器是要进入发送模式还是接收模式。在 I2C 总线开始传 送数据前,需要先初始化 I2C 总线,初始化 I2C 总线步骤如下: ● 步骤 1 设置 SIMC0 寄存器中 SIM2~SIM0 和 SIMEN 位为“1”,以使能 I2C 总线 ● 步骤 2 向 I2C 总线地址寄存器 SIMA 写入从机地址。 ● 步骤 3 设置 SIME 位和中断控制寄存器中的 SIM 多功能中断使能位,以使能 SIM 中 断和多功能中断。 I2C 总线初始化流程图 I2C 总线起始信号 起始信号只能由连接 I2C 总线主机产生,而不是由只做从机的 MCU 产生。总线 上的所有从机都可以侦测到起始信号。如果有从机侦测到起始信号,则表明 I2C 总线处于忙碌状态,并会置位 HBB。起始信号是指在 SCL 为高电平时,SDA 线上发生从高到低的电平变化。 Rev.1.00 164 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 从机地址 总线上的所有从机都会侦测由主机发出的起始信号。发送起始信号后,紧接着 主机会发送从机地址以选择要进行数据传输的从机。所有在 I2C 总线上的从机 接收到 7 位地址数据后,都会将其与各自内部的地址进行比较。如果从机从主 机上接收到的地址与自身内部的地址相匹配,则会产生一个 I2C 总线中断信号。 地址位接下来的一位为读 / 写状态位 ( 即第 8 位 ),将被保存到 SIMC1 寄存器 的 SRW 位,随后发出一个低电平应答信号(即第 9 位)。当单片机从机的地 址匹配时,会将状态标志位 HAAS 置位。 I2C 总线有两个中断源,当程序运行至中断服务子程序时,通过检测 HAAS 位 以确定 I2C 总线中断是来自从机地址匹配,还是来自 8 位数据传递完毕。当是 从机地址匹配发生中断时,则从机或是用于发送模式并将数据写进 SIMD 寄存 器,或是用于接收模式并从 SIMD 寄存器中读取空值以释放 SCL 线。 I2C 总线读 / 写信号 SIMC1 寄存器的 SRW 位用来表示主机是要从 I2C 总线上读取数据还是要将数 据写到 I2C 总线上。从机则通过检测该位以确定自己是作为发送方还是接收方。 当 SRW 置“1”,表示主机要从 I2C 总线上读取数据,从机则作为发送方,将 数据写到 I2C 总线;当 SRW 清“0”,表示主机要写数据到 I2C 总线上,从机 则做为接收方,从 I2C 总线上读取数据。 I2C 总线从机地址确认信号 主机发送呼叫地址后,当 I2C 总线上的任何从机内部地址与其匹配时,会发送 一个应答信号。此应答信号会通知主机有从机已经接收到了呼叫地址。如果主 机没有收到应答信号,则主机必须发送停止 (STOP) 信号以结束通信。当 HAAS 为高时,表示从机接收到的地址与自己内部地址匹配,则从机需检查 SRW 位, 以确定自己是作为发送方还是作为接收方。如果 SRW 位为高,从机须设置成 发送方,这样会置位 SIMC1 寄存器的 HTX 位。如果 SRW 位为低,从机须设 置成接收方,这样会清零 SIMC1 寄存器的 HTX 位。 I2C 总线数据和确认信号 在从机确认接收到从地址后,会进行 8 位宽度的数据传输。这个数据传输顺序 是的高位在前,低位在后。接收方在接收到 8 位数据后必须发出一个应答信号 (“0”) 以继续接收下一个数据。如果发送方没接收到应答信号,发送方将释放 SDA 线,同时,主机将发出 STOP 信号以释放 I2C 总线。所传送的数据存储在 SIMD 寄存器中。如果设置成发送方,从机必须先将欲传输的数据写到 SIMD 寄存器中;如果设置成接收方,从机必须从 SIMD 寄存器读取数据。 当 接 收 器 想 要 继 续 接 收 下 一 个 数 据 时, 必 须 在 第 9 个 时 钟 发 出 应 答 信 号 (TXAK)。被设为发送方的从机将检测寄存器 SIMC1 中的 RXAK 位以判断是否 传输下一个字节的数据,如果单片机不传输下一个字节,那么它将释放 SDA 线 并等待接收主机的停止信号。 Rev. 1.00 165 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 注:* 当从机地址匹配时,单片机必须选择设置为发送模式还是接收模式。若设置为发送模 式,需写数据至 SIMD 寄存器;若设置为接收模式,需立即从 SIMD 寄存器中虚读数据 以释放 SCL 线。 I2C 通信时序图 Rev.1.00 I2C 总线 ISR 流程图 166 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 I2C 溢出控制 溢出功能可减少 I2C 接收错误的时钟源而引起的锁死问题。如果连接到 I2C 总 线的时钟源经过一会儿时间还未接收到,则在一定的溢出周期后,I2C 电路和 寄存器将复位。溢出计数器在 I2C 总线“起始”和“地址匹配”条件下开始计 数,且在 SCL 下降沿清零。在下一个 SCL 下降沿到来之前,如果超时时间大 于 I2CTOC 寄存器指定的溢出周期,则溢出发生。当 I2C“停止”条件发生时溢 出功能终止。 S ta rt SCL S la v e A d d r e s s SRW ACK SDA 1 0 1 1 0 1 0 1 0 I2 C t im e - o u t c o u n te r s ta rt S to p SCL 1 0 0 1 0 1 0 0 SDA I2 C tim e - o u t c o u n te r r e s e t o n S C L n e g a tiv e tr a n s itio n I2C 溢出 当 I2C 溢出计数器溢出时,计数器停止且 I2CTOEN 位清零且 I2CTF 位置为“1”, 标志着溢出发生。溢出时将产生一个中断且共用 I2C 中断向量。当 I2C 溢出发 生时,I2C 内部电路和寄存器都会复位,如下表所示: 寄存器 SIMD, SIMA, SIMC0 SIMC1 I2C 溢出发生后 无变化 复位到 POR 条件 I2CTOF 标志位由应用程序清零。共有 64 个溢出周期,可通过 I2CTOC 寄存器 的 I2CTOS 位进行选择。溢出周期可通过公式计算:((1~64)×(32/fSUB))。由此可 得溢出周期范围为 1ms~64ms。 I2CTOC 寄存器 Bit Name R/W POR 7 6 5 4 3 2 1 0 I2CTOEN I2CTOF I2CTOS5 I2CTOS4 I2CTOS3 I2CTOS2 I2CTOS1 I2CTOS0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 0 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7 Bit 6 Bit 5~0 I2CTOEN:I2C 溢出控制位 0:除能 1:使能 I2CTOF:I2C 溢出标志位 0:溢出未发生 1:溢出发生 I2CTOS5~I2CTOS0:I2C 溢出时间选择位 I2C 溢出时钟源是 fSUB/32 I2C 溢出时间计算公式:(I2CTOS[5:0]+1)×(32/fSUB) Rev. 1.00 167 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 外围时钟输出 外围时钟输出功能使单片机能够为外部硬件提供和单片机时钟同步的时钟信 号。 外围时钟操作 外围时钟输出引脚 PCK 与输入 / 输出脚共用,可以通过相关的共用引脚功能选 择位来选择。外围时钟功能由 TBC2 寄存器的 TB2EN 位控制。外围时钟输出的 时钟源来自系统时钟 fSYS,指令时钟,高速振荡器 fH 或 fSUB,可通过 PSC1 寄存 器的 CLKS11 和 CLKS10 位选择。TBC2 寄存器的 TB2EN 位是总的开 / 关控制 位,当该位为高时使能外围时钟,为低时除能外围时钟。系统时钟所需要的分 频比由 TBC2 寄存器中的 TB22,TB21 和 TB20 位来选择。如果当系统进入休 眠模式外围时钟源关闭,将除能外围时钟输出功能。 fSUB fH fSYS fSYS/4 fP CLKS1[1:0 ] fP/20 ~ fP/27 Prescaler TB2EN 外围时钟输出 TB2[2:0 ] PCK 外围时钟寄存器 有两个内部寄存器用于控制外围时钟输出的所有操作,分别是 PSC1 和 TBC2。 寄存器 名称 7 6 PSC1 — — TBC2 TB2EN — Bit 5 4 3 — — — — — — PCK 寄存器列表 2 1 0 — CLKS11 CLKS10 TB22 TB21 TB20 PSC1 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 Name — — — — — R/W — — — — — POR — — — — — Bit 7~2 Bit 1~0 未使用,读为“0” PCKP1,PCKP0:外围时钟选择位 00:fSYS 01:fSYS/4 10:fSUB 11:fH 2 1 0 — CLKS11 CLKS10 — R/W R/W — 0 0 Rev.1.00 168 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 TBC2 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 Name TB2EN — — — — R/W R/W — — — — POR 0 — — — — Bit 7 Bit 6~3 Bit 1~0 TB2EN:外围时钟功能使能控制位 0:除能 1:使能 未使用,读为“0” TB22, TB21, TB20:外围时钟输出分频选择位 000:fP 001:fP/2 010:fP/4 011:fP/8 100:fP/16 101:fP/32 110:fP/64 111:fP/128 2 TB22 R/W 0 1 TB21 R/W 0 0 TB20 R/W 0 SPIA 串行接口模块 – SPIA 单片机内含一个独立的 SPIA 功能。重要的是,不要将这个独立的 SPI 功能与 SIM 模块中的 SPI 功能混淆,其具体描述详见规格书的另一章节。这个独立的 SPI 功能命名为 SPIA 来区别 SIM 模块的 SPI 功能。 SPI 接 口 常 用 于 与 外 部 设 备 如 传 感 器、 闪 存 或 EEPROM 内 存 等 通 信。 四 线 SPIA 接口最初是由摩托罗拉公司研制,是一个有相当简单的通信协议的串行数 据接口,这个协议可以简化与外部硬件的编程要求。 SPIA 通信模式为全双工模式,且能以主 / 从模式的工作方式进行通信,单片机 既可以做为主机,也可以做为从机。虽然 SPIA 接口理论上允许一个主机控制 多个从机,但此处的 SPIA 中只有一个片选信号引脚 SCSA。若主机需要控制多 个从机,可使用输入 / 输出引脚选择从机。 SPIA 接口操作 SPI 接 口 是 一 个 全 双 工 串 行 同 步 数 据 传 输 器。SPI 接 口 的 四 线 为:SDIA、 SDOA、SCKA 和 SCSA。SDIA 和 SDOA 是数据的输入和输出线。SCKA 是串 行时钟线,SCSA 是从机的选择线。SPIA 的接口引脚与其他功能共用引脚。通 过设定引脚共用功能选择寄存器的对应位,来选择 SPIA 接口引脚。SPIA 接口 可以通过 SPIAC0 寄存器中的 SPIAEN 位来除能或使能。连接到 SPIA 接口的单 片机以从主 / 从模式进行通信,且主机完成所有的数据传输初始化,并控制时 钟信号。由于单片机只有一个 SCSA 引脚,所以只能拥有一个从机设备。可通 过软件控制 SCSA 引脚使能与除能,设置 SACSEN 位为“1”使能 SCSA 功能, 设置 SACSEN 位为“0”,SCSA 引脚将作为普通 I/O 口使用。 S P IA M a s te r SCKA S P IA S la v e SCKA SDO A S D IA S D IA SDO A SCSA SCSA SPIA 主 / 从机连接方式 Rev. 1.00 169 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 D a ta B u s S P IA D T x /R x S h ift R e g is te r S P IA P in S D O A P in S A C K E G b it S A C K P O L b it S C K A P in fS Y S fS U B T P 0 C C R P m a tc h fre q u e n c y /2 S C S A P in C lo c k E d g e /P o la r ity C o n tro l C lo c k S o u r c e S e le c t B usy S ta tu s S A W C O L F la g S A T R F F la g S A C S E N b it SPIA 方框图 该系列单片机的 SPIA 功能具有以下特点: ● 全双工同步数据传输 ● 主从模式 ● 最低有效位先传或最高有效位先传的数据传输模式 ● 传输完成标志位 ● 时钟源上升沿或下降沿有效 SPI 接 口 状 态 受 很 多 因 素 的 影 响, 如 单 片 机 处 于 主 机 或 从 机 的 工 作 模 式 和 SACSEN 和 SPIAEN 位的状态。 SPIA 寄存器 有三个寄存器用于控制 SPIA 接口的所有操作,其中有一个数据寄存器 SPIAD 和两个控制寄存器 SPIAC0 和 SPIAC1。 寄存器 名称 7 6 5 Bit 4 3 2 1 0 SPIAC0 SASPI2 SASPI1 SASPI0 — — — SPIAEN — SPIAC1 — — SACKPOL SACKEG SAMLS SACSEN SAWCOL SATRF SPIAD D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 SPIA 寄存器列表 SPIAD 寄存器用于存储发送和接收的数据。在单片机尚未将数据写入到 SPIA 总线中时,要传输的数据应先存在 SPIAD 中。SPIA 总线接收到数据之后,单 片机就可以从 SPIAD 数据寄存器中读取。所有通过 SPIA 传输或接收的数据都 必须通过 SPIAD 实现。 SPIAD 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR × × × × × × × × “×”为未知 Rev.1.00 170 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 单片机中也有两个控制 SPIA 接口功能的寄存器,SPIAC0 和 SPIAC1。寄存器 SPIAC0 用于控制使能 / 除能功能和设置数据传输的时钟频率。寄存器 SPIAC1 用于其它的控制功能如 LSB/MSB 选择,写冲突标志位等。 SPIAC0 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name SASPI2 SASPI1 SASPI0 — — — SPIAEN — R/W R/W R/W R/W — — — R/W — POR 1 1 1 — — — 0 — Bit 7~5 Bit 4~2 Bit 1 Bit 0 SASPI2~SASPI0:SPIA 主机 / 从机时钟选择位 000:SPIA 主机模式,时钟为 fSYS/4 001:SPIA 主机模式,时钟为 fSYS/16 010:SPIA 主机模式,时钟为 fSYS/64 011:SPIA 主机模式,SPI 时钟为 fSUB 100:SPIA 主机模式,TP0 CCRP 匹配频率 /2(PFD) 101:SPIA 从机模式 110:未使用模式 111:未使用模式 这几位用于设置 SIM 功能的工作模式,用于选择 SPI 的主从模式和 SPI 的主 机时钟频率及 I2C 或 SPI 功能。SPI 时钟源可来自于系统时钟也可以选择来自 TM0。若选择的是作为 SPI 从机,则其时钟源从外部主机而得。 未使用,读为“0” SPIAEN:SPIA 控制位 0:除能 1:使能 此位为 SPIA 接口的开 / 关控制位。此位为“0”时,SPIA 接口除能,SDIA、 SDOA、SCKA 和 SCSA 脚将失去 SPIA 功能,SPIA 工作电流减小到最小值。此 位为“1”时,SPIA 接口使能。 未使用,读为“0” Rev. 1.00 171 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 SPIAC1 寄存器 Bit 7 Name — R/W — POR — 6 5 4 3 2 1 0 — SACKPOL SACKEG SAMLS SACSEN SAWCOL SATRF — R/W R/W R/W R/W R/W R/W — 0 0 0 0 0 0 Bit 7~6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 未使用,读为“0” SACKPOL:时钟线的基础状态位 0:当时钟无效时,SCKA 口为高电平 1:当时钟无效时,SCKA 口为低电平 此位决定了时钟线的基础状态,当时钟无效时,若此位为高,SCKA 为低电平, 若此位为低,SCKA 为高电平。 SACKEG:SPIA 的 SCKA 有效时钟边沿类型位 SACKPOL=0 0:SCKA 为高电平且在 SCKA 上升沿抓取数据 1:SCKA 为高电平且在 SCKA 下降沿抓取数据 SACKPOL=1 0:SCKA 为低电平且在 SCKA 下降沿抓取数据 1:SCKA 为低电平且在 SCKA 上升沿抓取数据 SACKEG 和 SACKPOL 位用于设置 SPIA 总线上时钟信号输入和输出方式。 在执行数据传输前,这两位必须被设置,否则将产生错误的时钟边沿信号。 SACKPOL 位决定时钟线的基本状态,若时钟无效且此位为高,则 SCKA 为低 电平,若时钟无效且此位为低,则 SCKA 为高电平。SACKEG 位决定有效时钟 边沿类型,取决于 SACKPOL 的状态。 SAMLS:SPIA 数据移位命令位 0:LSB 1:MSB 数据移位选择位,用于选择数据传输时高位优先传输还是低位优先传输。此位 设置为高时高位优先传输,为低时低位优先传输。 SACSEN:SPIA SCSA 引脚控制位 0:除能 1:使能 SACSEN 位用于 SCSA 引脚的使能 / 除能控制。此位为低时,SCSA 除能并作为 普通 I/O 口使用。此位为高时,SCSA 使能并作为选择脚。 SAWCOL:SPIA 写冲突标志位 0:无冲突 1:冲突 SAWCOL 标志位用于监测数据冲突的发生。此位为高时,数据在传输时被写入 SPIAD 寄存器。若数据正在被传输时,此操作无效。此位可被应用程序清零。 SATRF:SPIA 发送 / 接收结束标志位 0:数据正在发送 1:数据发送结束 SATRF 位为发送 / 接收结束标志位,当 SPIA 数据传输结束时,此位自动置为高, 但须通过应用程序设置为“0”。此位也可用于产生中断。 Rev.1.00 172 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 SPI 通信 将 SPIAEN 设置为高,使能 SPIA 功能之后,单片机处于主机模式,当数据写 入到寄存器 SPIAD 的同时传输 / 接收开始进行。数据传输完成时,SATRF 位将 自动被置位但清除只能通过应用程序完成。单片机处于从机模式时,收到主机 发来的信号之后,会传输 SPIAD 中的数据,而且在 SDIA 引脚上的数据也会被 移位到 SPIAD 寄存器中。 主机应在输出时钟信号之前先输出一个 SCSA 信号以使能从机,从机的数据 传输功能也应在与 SCSA 信号相关的适当时候准备就绪,这由 SACKPOL 和 SACKEG 位决定。所附时序图表明了在 SACKPOL 和 SACKEG 位各种设置情 况下从机数据与 SCSA 信号的关系。 即使在单片机处于空闲模式,SPIA 功能仍将继续执行。 S P IA tra n s fe r M a s te r m a s te r o r s la v e ? S A S P I[2 :0 ]= 0 0 0 , 0 0 1 ,0 1 0 ,0 1 1 o r 1 0 0 S la v e S A S P I[2 :0 ]= 1 0 1 C le a r S A W C O L A W r ite D a ta in to S P IA D Y S W C O L=1? N C o n fig u r e S A C K P O L B , S A C K E G ,S A C S E N and S A M LS S P IA E N = 1 N T r a n s m is s io n c o m p le te d ? (S A T R F = 1 ? ) Y R e a d D a ta fro m S P IA D A C le a r S A T R F SPIA 传输控制流程图 T ra n s fe r N F in is h e d ? Y END Rev. 1.00 173 2013-03-20 SPIA master mode SCSA HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 SPIAEN = 1, SACSEN= 0 ( external pull- high ) SPIAEN = 1, SACSEN= 1 SCKA (SACKPOL=1, SACKEG = 0 ) SCKA (SACKPOL=0, SACKEG =0 ) SCKA ( SACKPOL= 1, SACKEG =1) SCKA ( SACKPOL = 0,SACKEG =1) SDOA ( SACKEG =0) SDOA (SACKEG =1) D 7/D 0 D 6/D 1 D 5/D 2 D 4/D 3 D 3/D 4 D 2/D 5 D 1/D 6 D 0/D 7 D 7/D 0 D 6/D 1 D 5/D 2 D 4/D 3 D 3/D 4 D 2/D 5 D 1/D 6 D 0/D 7 SDIA Data capture Write to SPIAD SPIA slave mode SCSA ( SACKEG = 0 ) SCKA (SACKPOL= 1 ) SCKA (SACKPOL = 0 ) SDOA D 7/D 0 D 6/D 1 D 5/D 2 D 4/D 3 D 3/D 4 D 2/D 5 D 1/D 6 D 0/D 7 SDIA Data capture Write to SPIAD ( SDOA not change until first SCKA edge ) SPIA slave mode SCSA ( SACKEG =1) SCKA (SACKPOL= 1) SCKA (SACKPOL= 0 ) SDOA D 7/D 0 D 6/D 1 D 5/D 2 D 4/D 3 D 3/D 4 D 2/D 5 D 1/D 6 D 0/D 7 SDIA Data capture Write to SPIAD ( SDOA change as soon as writing occur ; SDOA = floating if SCSA = 1) Note : For SPIA slave mode , if SPIAEN = 1 and SACSEN = 0 , SPIA is always enabled and ignore the SCSA level. 注:对于 SPIA 从机模式,如果 SPIAEN=1 且 SACSEN=0,SPIA 一直使能且忽略 SCSA 电平。 SPIA 主机 / 从机模式时序图 Rev.1.00 174 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 SPIA 使能 / 除能 设置 SACSEN=1、SCSA=0 将使能 SPIA 总线,然后等待写数据到 SPIAD 寄存 器 (TXRX 缓存器 )。单片机处于主机模式,数据写入 SPIAD 寄存器 (TXRX 缓 存器 ) 后,自动开始数据传输或接收操作。数据传输完成时,SATRF 位将被置 位。单片机处于从机模式,SCKA 引脚上收到脉冲信号之后,会传输 TXRX 中 的数据,或 SDIA 引脚上的数据也会被移入。 设置 SCKA、SDIA、SDOA、SCSA 为普通 I/O 口或其他引脚共用功能可除能 SPIA。 SPIA 操作 四线制 SPIA 接口可完成所有主 / 从模式通信工作。 在 SPIAC1 寄存器中,SACSEN 位控制 SPIA 接口的所有功能。设置此位为高, SCSA 信号线有效将使能 SPIA 接口。设置此位为低,SCSA 引脚作为普通 I/O 口或其他引脚共用功能将除能 SPIA 接口。如果 SPIAC0 寄存器中的 SACSEN 和 SPIAEN 位设置为高,使得 SDIA 信号线处于浮空状态且 SDOA 信号线为 高电平。主机模式中,如果 SCKA 信号线为高还是低取决于 SPIAC1 寄存器的 时钟极性选择位 SACKPOL。从机模式中,SCKA 信号线处于浮空状态。如果 SPIAEN 位设置为低,SPIA 接口被除能,且 SCSA、SDIA、SDOA 和 SCKA 将 作为普通 I/O 口或其他引脚共用功能。主机模式中,主机将一直产生时钟信号。 当数据被写入 SPIAD 寄存器后,主机完成所有的时钟和数据传输初始化。从机 模式中,由外部主机发出数据传送 / 接收时钟信号。下面介绍主从模式中数据 传输步骤。 主机模式: ● 步骤 1 设置 SPIAC0 控制寄存器中的 SASPI2~SASPI0 位,选择时钟源和主机模式。 ● 步骤 2 设置 SACSEN 和 SAMLS 位,选择高位或低位数据优先传送,这必须与从机 设备一致。 ● 步骤 3 设置 SPIAC0 控制寄存器中的 SPIAEN 位,使能 SPIA 接口功能。 ● 步骤 4 对于写操作:写数据到 SPIAD 寄存器,实际上,数据被存储在 TXRX 缓存器 中。再使用 SCKA 和 SCSA 信号线将数据输出。跳至步骤 5。对于读操作: 使用 SDIA 信号线将 TXRX 缓存器中的数据移出,并全部锁存至 SPIAD 寄存 器。 ● 步骤 5 检测 SAWCOL 位,若此位为高,则发生数据冲突并跳回至步骤 4;若为低, 则继续执行下面的步骤。 ● 步骤 6 检测 SATRF 位或等待 SPIA 串行总线中断发生。 ● 步骤 7 从 SPIAD 寄存器中读数据。 ● 步骤 8 清除 SATRF。 ● 步骤 9 跳回至步骤 4。 Rev. 1.00 175 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 从机模式: ● 步骤 1 设置 SPIAC0 控制寄存器中的 SASPI2~SASPI0 位,选择 SPIA 从机模式。 ● 步骤 2 设置 SACSEN 和 SAMLS 位,选择高位或低位数据优先传送,这必须与主机 设备一致。 ● 步骤 3 设置 SPIAC0 控制寄存器中的 SPIAEN 位,使能 SPIA 接口功能。 ● 步骤 4 对于写操作:写数据到 SPIAD 寄存器,实际上,数据被存储在 TXRX 缓存器 中。等待主机时钟信号 SCKA 和 SCSA 信号。跳至步骤 5。对于读操作:使 用 SDIA 信号线将 TXRX 缓存器中的数据移出,并全部锁存至 SPIAD 寄存器。 ● 步骤 5 检测 SAWCOL 位,若此位为高,则发生数据冲突并跳回至步骤 4;若为低, 则继续执行下面的步骤。 ● 步骤 6 检测 SATRF 位或等待 SPIA 串行总线中断发生。 ● 步骤 7 从 SPIAD 寄存器中读数据。 ● 步骤 8 清除 SATRF。 ● 步骤 9 跳回至步骤 4。 错误侦测 SPIAC1 寄存器中的 SAWCOL 位用于数据传输期间监测数据冲突的发生。此位 由 SPIA 串行接口设置为高,而由应用程序来清除为零。在数据传输期间,如 果写数据到 SPIAD 寄存器,此时数据冲突发生且不允许数据继续被写入。 Rev.1.00 176 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 中断 中断是单片机一个重要功能。当外部事件或内部功能如定时器模块或 A/D 转 换器有效,并且产生中断时,系统会暂时中止当前的程序而转到执行相对应 的中断服务程序。此单片机提供多个外部中断和内部中断功能,外部中断由 INT0~INT3 和 PINT 引脚动作产生,而内部中断由各种内部功能,如定时器模 块、比较器、时基、LVD、EEPROM、SIM 和 A/D 转换器等产生。 中断寄存器 中断控制基本上是在一定单片机条件发生时设置请求标志位,应用程序中中断 使能位的设置是通过位于专用数据存储器中的一系列寄存器控制的。寄存器的 数量由所选单片机的型号决定,但总的分为三类。第一类是 INTC0~INTC3 寄 存器,用于设置基本的中断;第二类是 MFI0~MFI4 寄存器,用于设置多功能 中断;最后一种有 INTEG 寄存器,用于设置外部中断边沿触发类型。 寄存器中含有中断控制位和中断请求标志位。中断控制位用于使能或除能各种 中断,中断请求标志位用于存放当前中断请求的状态。它们都按照特定的模式 命名,前面表示中断类型的缩写,紧接着的字母“E”代表使能 / 除能位,“F” 代表请求标志位。 功能 使能位 请求标志 注释 总中断 EMI — — INTn 脚 INTnE INTnF n=0~3 比较器 CPnE CPnF n=0~1 A/D 转换器 ADE ADF — 时基 TBnE TBnF n=0~1 多功能 MFnE MFnF n=0~4 SIM SIME SIMF — LVD LVE LVF — EEPROM DEE DEF — PINT 脚 XPE XPF — SPIA SPIAE SPIAF — TnPE TnPF n=0~5 TM TnAE TnAF n=0~5 TnBE TnBF n=1 中断寄存器位命名模式 Rev. 1.00 177 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 中断寄存器内容 Bit Name 7 6 5 4 3 2 1 0 INTEG INT3S1 INT3S0 INT2S1 INT2S0 INT1S1 INT1S0 INT0S1 INT0S0 INTC0 — CP0F INT1F INT0F CP0E INT1E INT0E EMI INTC1 ADF MF1F MF0F CP1F ADE MF1E MF0E CP1E INTC2 MF3F TB1F TB0F MF2F MF3E TB1E TB0E MF2E INTC3 — MF4F INT3F INT2F — MF4E INT3E INT2E MFI0 T2AF T2PF T0AF T0PF T2AE T2PE T0AE T0PE MFI1 — T1BF T1AF T1PF — T1BE T1AE T1PE MFI2 SIMF T3AF T3PF XPF SIME T3AE T3PE XPE MFI3 — SPIAF DEF LVF — SPIAE DEE LVE MFI4 T5AF T5PF T4AF T4PF T5AE T5PE T4AE T4PE INTEG 寄存器 Bit Name R/W POR 7 6 5 4 3 2 1 0 INT3S1 INT3S0 INT2S1 INT2S0 INT1S1 INT1S0 INT0S1 INT0S0 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 0 0 0 0 0 0 0 0 Bit 7~6 Bit5~4 Bit 3~2 Bit 1~0 INT3S1,INT3S0:INT3 脚中断边沿控制位 00:除能 01:上升沿 10:下降沿 11:双沿 INT2S1,INT2S0:INT2 脚中断边沿控制位 00:除能 01:上升沿 10:下降沿 11:双沿 INT1S1,INT1S0:INT1 脚中断边沿控制位 00:除能 01:上升沿 10:下降沿 11:双沿 INT0S1,INT0S0:INT0 脚中断边沿控制位 00:除能 01:上升沿 10:下降沿 11:双沿 Rev.1.00 178 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 INTC0 寄存器 Bit 7 6 5 4 Name — CP0F INT1F INT0F R/W — R/W R/W R/W POR — 0 0 0 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 未使用,读为“0” CP0F:比较器 0 中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 INT1F:INT1 中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 INT0F:INT0 中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 CP0E:比较器 0 中断控制位 0:除能 1:使能 INT1E:INT1 中断控制位 0:除能 1:使能 INT0E:INT0 中断控制位 0:除能 1:使能 EMI:总中断控制位 0:除能 1:使能 3 CP0E R/W 0 2 INT1E R/W 0 1 INT0E R/W 0 0 EMI R/W 0 Rev. 1.00 179 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 INTC1 寄存器 Bit Name R/W POR 7 ADF R/W 0 6 MF1F R/W 0 5 MF0F R/W 0 4 CP1F R/W 0 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 ADF:A/D 转换器中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 MF1F:多功能中断 1 请求标志位 0:无请求 1:中断请求 MF0F:多功能中断 0 请求标志位 0:无请求 1:中断请求 CP1F:比较器 1 中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 ADE:A/D 转换器中断控制位 0:除能 1:使能 MF1E:多功能中断 1 控制位 0:除能 1:使能 MF0E:多功能中断控 0 制位 0:除能 1:使能 CP1E:比较器 1 中断控制位 0:除能 1:使能 3 ADE R/W 0 2 MF1E R/W 0 1 MF0E R/W 0 0 CP1E R/W 0 Rev.1.00 180 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 INTC2 寄存器 Bit Name R/W POR 7 MF3F R/W 0 6 TB1F R/W 0 5 TB0F R/W 0 4 MF2F R/W 0 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 MF3F:多功能中断 3 请求标志位 0:无请求 1:中断请求 TB1F:时基 1 中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 TB0F:时基 0 中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 MF2F:多功能中断 2 请求标志位 0:无请求 1:中断请求 MF3E:多功能中断 3 控制位 0:除能 1:使能 TB1E:时基 1 中断控制位 0:除能 1:使能 TB0E:时基 0 中断控制位 0:除能 1:使能 MF2E:多功能中断 2 控制位 0:除能 1:使能 3 MF3E R/W 0 2 TB1E R/W 0 1 TB0E R/W 0 0 MF2E R/W 0 Rev. 1.00 181 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 INTC3 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name — MF4F INT3F INT2F — MF4E INT3E INT2E R/W — R/W R/W R/W — R/W R/W R/W POR — 0 0 0 — 0 0 0 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 未使用,读为“0” MF4F:多功能中断 4 请求标志位 0:无请求 1:中断请求 INT3F:INT3 中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 INT2F:INT2 中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 未使用,读为“0” MF4E:多功能中断 4 控制位 0:除能 1:使能 INT3E:INT3 中断控制位 0:除能 1:使能 INT2E:INT2 中断控制位 0:除能 1:使能 Rev.1.00 182 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 MFI0 寄存器 Bit Name R/W POR 7 T2AF R/W 0 6 T2PF R/W 0 5 T0AF R/W 0 4 T0PF R/W 0 3 T2AE R/W 0 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 T2AF:TM2 比较器 A 匹配中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 T2PF:TM2 比较器 P 匹配中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 T0AF:TM0 比较器 A 匹配中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 T0PF:TM0 比较器 P 匹配中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 T2AE:TM2 比较器 A 匹配中断控制位 0:除能 1:使能 T2PE:TM2 比较器 P 匹配中断控制位 0:除能 1:使能 T0AE:TM0 比较器 A 匹配中断控制位 0:除能 1:使能 T0PE:TM0 比较器 P 匹配中断控制位 0:除能 1:使能 2 T2PE R/W 0 1 T0AE R/W 0 0 T0PE R/W 0 Rev. 1.00 183 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 MFI1 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 Name — T1BF T1AF T1PF — R/W — R/W R/W R/W — POR — 0 0 0 — Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 未使用,读为“0” T1BF:TM1 比较器 B 匹配中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 T1AF:TM1 比较器 A 匹配中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 T1PF:TM1 比较器 P 匹配中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 未使用,读为“0” T1BE:TM1 比较器 B 匹配中断控制位 0:除能 1:使能 T1AE:TM1 比较器 A 匹配中断控制位 0:除能 1:使能 T1PE:TM1 比较器 P 匹配中断控制位 0:除能 1:使能 2 T1BE R/W 0 1 T1AE R/W 0 0 T1PE R/W 0 Rev.1.00 184 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 MFI2 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 Name SIMF T3AF T3PF XPF SIME R/W R/W R/W R/W R/W R/W POR 0 0 0 0 0 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 SIMF:SIM 中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 T3AF:TM3 比较器 A 匹配中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 T3PF:TM3 比较器 P 匹配中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 XPF:外围中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 SIME:SIM 中断控制位 0:除能 1:使能 T3AE:TM3 比较器 A 匹配中断控制位 0:除能 1:使能 T3PE:TM3 比较器 P 匹配中断控制位 0:除能 1:使能 XPE:外围中断控制位 0:除能 1:使能 2 T3AE R/W 0 1 T3PE R/W 0 0 XPE R/W 0 Rev. 1.00 185 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 MFI3 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 Name — SPIAF DEF LVF — R/W — R/W R/W R/W — POR — 0 0 0 — Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 未使用,读为“0” SPIAF:SPIA 中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 DEF:数据 EEPROM 中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 LVF:LVD 中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 未使用,读为“0” SPIAE:SPIA 中断控制位 0:除能 1:使能 DEE:数据 EEPROM 中断控制位 0:除能 1:使能 LVE:LVD 中断控制位 0:除能 1:使能 2 1 SPIAE DEE R/W R/W 0 0 0 LVE R/W 0 Rev.1.00 186 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 MFI4 寄存器 Bit Name R/W POR 7 T5AF R/W 0 6 T5PF R/W 0 5 T4AF R/W 0 4 T4PF R/W 0 3 T5AE R/W 0 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 T5AF:TM5 比较器 A 匹配中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 T5PF:TM5 比较器 P 匹配中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 T4AF:TM4 比较器 A 匹配中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 T4PF:TM4 比较器 P 匹配中断请求标志位 0:无请求 1:中断请求 T5AE:TM5 比较器 A 匹配中断控制位 0:除能 1:使能 T5PE:TM5 比较器 P 匹配中断控制位 0:除能 1:使能 T4AE:TM4 比较器 A 匹配中断控制位 0:除能 1:使能 T4PE:TM4 比较器 P 匹配中断控制位 0:除能 1:使能 2 T5PE R/W 0 1 T4AE R/W 0 0 T4PE R/W 0 Rev. 1.00 187 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 中断操作 Legend xxF Request Flag, no auto reset in ISR xxF Request Flag, auto reset in ISR xxE Enable Bits TM2 P TM2 A TM0 P TM0 A T2PF T2AF T0PF T0AF T2PE T2AE T0PE T0AE TM1 P TM1 A TM1 B T1PF T1AF T1BF T1PE T1AE T1BE SIM TM3 P TM3 A PINT Pin SIMF T3PF T3AF XPF SIME T3PE T3AE XPE LVD LVF EEPROM DEF SPIA SPIAF LVE DEE SPIAE TM4 P T4PF T4PE TM4 A T4AF T4AE TM5 P T5PF T5PE TM5 A T5AF T5AE Interrupts contained within Multi-Function Interrupts EMI auto disabled in ISR Interrupt Request Name Flags INT0 Pin INT0F Enable Bits INT0E Master Enable EMI Vector Priority 04H High INT1 Pin INT1F INT1E EMI 08H Comparator 0 CP0F CP0E EMI 0CH Comparator 1 CP1F CP1E EMI 10H M. Funct. 0 MF0F MF0E EMI 14H M. Funct. 1 MF1F MF1E EMI 18H A/D ADF ADE EMI 1CH M. Funct. 2 MF2F MF2E EMI 20H Time Base 0 TB0F TB0E EMI 24H Time Base 1 TB1F TB1E EMI 28H M. Funct. 3 MF3F MF3E EMI 2CH INT2 Pin INT2F INT2E EMI 30H INT3 Pin INT3F INT3E EMI 34H M. Funct. 4 MF4F MF4E EMI 38H Low 中断结构 Rev.1.00 188 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 外部中断 通过 INT0~INT3 引脚上的信号变化可控制外部中断。当触发沿选择位设置好触 发类型,INT0~INT3 引脚的状态发生变化,外部中断请求标志 INT0F~INT3F 被 置位时外部中断请求产生。若要跳转到相应中断向量地址,总中断控制位 EMI 和相应中断使能位 INT0E~INT3E 需先被置位。此外,必须使用 INTEG 寄存器 使能外部中断功能并选择触发沿类型。外部中断引脚和普通 I/O 口共用,如果 相应寄存器中的中断使能位被置位,此引脚将被作为外部中断脚使用。此时该 引脚必须通过设置控制寄存器,将该引脚设置为输入口。当中断使能,堆栈未 满并且外部中断脚状态改变,将调用外部中断向量子程序。当响应外部中断服 务子程序时,中断请求标志位 INT0F~INT3F 会自动复位且 EMI 位会被清零以 除能其它中断。注意,即使此引脚被用作外部中断输入,上拉电阻仍保持有效。 寄存器 INTEG 被用来选择有效的边沿类型,来触发外部中断。可以选择上升沿 还是下降沿或双沿触发都产生外部中断。注意 INTEG 也可以用来除能外部中断 功能。 比较器中断 比较器中断由两个内部比较器控制。当比较器输出状态改变,比较器中断请求 标志 CP0F 或 CP1F 被置位,比较器中断请求产生。若要跳转到相应中断向量地 址,总中断控制位 EMI 和比较器中断使能位 CP0E 和 CP1E 需先被置位。当中 断使能,堆栈未满并且比较器输入产生一个比较器输出变化时,将调用比较器 中断向量子程序。当响应中断服务子程序时,外部中断请求标志位会自动复位 且 EMI 位会被清零以除能其它中断。 多功能中断 此系列单片机中有多达五种多功能中断,与其它中断不同,它没有独立源,但 由其它现有的中断源构成,即 TM 中断,SIM 中断,外围中断,LVD 中断和 EEPROM 中断。 当多功能中断中任何一种中断请求标志 MF0F~MF4F 被置位,多功能中断请求 产生。当中断使能,堆栈未满,包括在多功能中断中的任意一个中断发生时, 将调用多功能中断向量中的一个子程序。当响应中断服务子程序时,相关的多 功能请求标志位会自动复位且 EMI 位会自动清零以除能其它中断。 但必须注意的是,在中断响应时,虽然多功能中断标志会自动复位,但多功能 中断源的请求标志位,即 TM 中断,EEPROM 中断和 LVD 中断的请求标志位 不会自动复位,必须由应用程序清零。 A/D 转换器中断 A/D 转换器中断由 A/D 转换动作的结束来控制。当 A/D 转换器中断请求标志被 置位,即 A/D 转换过程完成时,中断请求发生。当总中断使能位 EMI 和 A/D 中断使能位 ADE 被置位,允许程序跳转到各自的中断向量地址。当中断使能, 堆栈未满且 A/D 转换动作结束时,将调用它们各自的中断向量子程序。当响应 中断服务子程序时,相应的中断请求标志位 ADF 会自动清零。EMI 位也会被 清零以除能其它中断。 Rev. 1.00 189 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 时基中断 时基中断提供一个固定周期的中断信号,由各自的定时器功能产生溢出信号控 制。当各自的中断请求标志 TBnF 被置位时,中断请求发生。当总中断使能位 EMI 和时基使能位 TBnE 被置位,允许程序跳转到各自的中断向量地址。当中 断使能,堆栈未满且时基溢出时,将调用它们各自的中断向量子程序。当响应 中断服务子程序时,相应的中断请求标志位 TBnF 会自动复位且 EMI 位会被清 零以除能其它中断。 时基中断的目的是提供一个固定周期的中断信号。其时钟源 fTB 来自内部时钟源 fSUB,fSYS/4,fSYS 或 fH。fTB 输入时钟首先经过分频器,分频率由程序设置 TBC0 和 TBC1 寄存器相关位获取合适的分频值以提供更长的时基中断周期。相应的 控制时基中断周期的时钟源可通过 PSC0 寄存器的 CLKS01 和 CLKS00 位选择。 fSUB fH fSYS fSYS/4 fTB fP/28 ~ fP/215 Prescaler CLKS0[1:0 ] TB0EN TB1EN TB0[2:0 ] Time Base 0 Interrupt Time Base 1 Interrupt 时基中断 TB1[2:0 ] PSC0 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 Name — — — — — — R/W — — — — — — POR — — — — — — Bit 7~2 Bit 1~0 未使用,读为“0” CLKS01~CLKS00:时基时钟源选择位 00:fSYS 01:fSYS/4 10:fSUB 11:fH 1 0 CLKS01 CLKS00 R/W R/W 0 0 Rev.1.00 190 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 TBC0 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name TB0ON — — — — TB02 TB01 TB00 R/W R/W — — — — R/W R/W R/W POR 0 — — — — 0 0 0 Bit 7 Bit 6~3 Bit 2~0 TB0ON:时基 0 使能 / 除能控制位 0:除能 1:使能 未使用,读为“0” TB02~TB00:选择时基 0 溢出周期位 000:28/fTB 001:29/fTB 010:210/fTB 011:211/fTB 100:212/fTB 101:213/fTB 110:214/fTB 111:215/fTB TBC1 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name TB1ON — — — — TB12 TB11 TB10 R/W R/W — — — — R/W R/W R/W POR 0 — — — — 0 0 0 Bit 7 Bit 6~3 Bit 2~0 TB1ON:时基 1 使能 / 除能控制位 0:除能 1:使能 未使用,读为“0” TB12~TB10:选择时基 1 溢出周期位 000:28/fTB 001:29/fTB 010:210/fTB 011:211/fTB 100:212/fTB 101:213/fTB 110:214/fTB 111:215/fTB 串行接口模块中断 串行接口模块中断,即 SIM 中断,属于多功能中断。当一个字节数据已由 SIM 接口接收或发送完,中断请求标志 SIMF 被置位,SIM 中断请求产生。若要程 序跳转到相应中断向量地址,总中断控制位 EMI、串行接口中断使能位 SIME 和多功能中断使能位需先被置位。当中断使能,堆栈未满且一个字节数据已被 传送或接收完毕时,可跳转至相关多功能中断向量子程序中执行。当串行接口 中断响应,EMI 将被自动清零以除能其它中断,多功能中断请求标志也可自动 清除,但 SIMF 标志需在应用程序中手动清除。 Rev. 1.00 191 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 SPIA 接口中断 SPIA 接口中断,属于多功能中断。当一个字节数据已由 SPIA 接口接收或发送 完,中断请求标志 SPIAF 被置位,SPIA 中断请求产生。若要程序跳转到相应 中断向量地址,总中断控制位 EMI、SPIA 接口中断使能位 SPIAE 和多功能中 断使能位需先被置位。当中断使能,堆栈未满且一个字节数据已被传送或接收 完毕时,可跳转至相关多功能中断向量子程序中执行。当 SPIA 接口中断响应, EMI 将被自动清零以除能其它中断,多功能中断请求标志也可自动清除,但 SPIAF 标志需在应用程序中手动清除。 外部设备中断 外部设备中断和外部中断工作方式类似,属于多功能中断。当 PINT 引脚出现 一个下降沿跳变,此时外部中断请求标志位 XPF 被置位,外部设备发生中断。 要使程序跳转至相应中断向量地址,总中断控制位 EMI、外部设备中断使能位 XPE 和相应多功能中断使能位必须先被置位。当中断使能,堆栈未满且外部设 备中断脚出现一个下降沿跳变,单片机将调用位于多功能中断向量相应子程序。 当响应外部设备中断服务子程序时,EMI 位会被清零以除能其它中断,多功能 中断请求标志位也将自动清除。 XPF 标志位不会自动复位,由应用程序清零。外部设备中断引脚与其它引脚共 用,需正确地设置以使能外部设备中断脚。 EEPROM 中断 EEPROM 中断也属于多功能中断。当写周期结束,EEPROM 中断请求标志 DEF 被置位,EEPROM 中断请求产生。若要程序跳转到相应中断向量地址,总 中断控制位 EMI、EEPROM 中断使能位 DEE 和相应多功能中断使能位需先被 置位。当中断使能,堆栈未满且 EEPROM 写周期结束时,可跳转至相关多功能 中断向量子程序中执行。当 EEPROM 中断响应,EMI 将被自动清零以除能其 它中断,多功能中断请求标志也可自动清除,但 DEF 标志需在应用程序中手动 清除。 LVD 中断 LVD 中断也属于多功能中断。当低电压检测功能检测到一个低电压时,LVD 中 断请求标志 LVF 被置位,LVD 中断请求产生。若要程序跳转到相应中断向量地 址,总中断控制位 EMI、低电压中断使能位 LVE 和相应多功能中断使能位需先 被置位。当中断使能,堆栈未满且低电压条件发生时,可跳转至相关多功能中 断向量子程序中执行。当低电压中断响应,EMI 将被自动清零以除能其它中断, 多功能中断请求标志也可自动清除,但 LVF 标志需在应用程序中手动清除。 TM 中断 简易型 TM 有两个中断,增强型 TM 有三个中断。所有的 TM 中断也属于多功 能中断。简易型和标准型 TM 各有两个中断请求标志位 TnPF、TnAF 及两个使 能位 TnPE、TnAE。增强型 TM 有三个中断请求标志 TnPF、TnAF、TnBF 及三 个使能位 TnPE、TnAE、TnBE。当 TM 比较器 P、A、B 匹配情况发生时,任 意 TM 中断请求标志被置位,TM 中断请求产生。 若要程序跳转到相应中断向量地址,总中断控制位 EMI、相应 TM 中断使能位 和相关多功能中断使能位 MFnE 需先被置位。当中断使能,堆栈未满且 TM 比 较器匹配情况发生时,可跳转至相关多功能中断向量子程序中执行。当 TM 中 断响应,EMI 将被自动清零以除能其它中断,相关 MFnF 标志也可自动清除, 但 TM 中断请求标志需在应用程序中手动清除。 Rev.1.00 192 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 中断唤醒功能 每个中断都具有将处于休眠或空闲模式的单片机唤醒的能力。当中断请求标志 由低到高转换时唤醒动作产生,其与中断是否使能无关。因此,尽管单片机处 于休眠或空闲模式且系统振荡器停止工作,如有外部中断脚上产生外部边沿跳 变,低电压或比较器输入改变都可能导致其相应的中断标志被置位,由此产生 中断,因此必须注意避免伪唤醒情况的发生。若中断唤醒功能被除能,单片机 进入休眠或空闲模式前相应中断请求标志应被置起。中断唤醒功能不受中断使 能位的影响。 编程注意事项 通过禁止相关中断使能位,可以屏蔽中断请求,然而,一旦中断请求标志位被 设定,它们会被保留在中断控制寄存器内,直到相应的中断服务子程序执行或 请求标志位被软件指令清除。 多功能中断中所含中断相应程序执行时,多功能中断请求标志 MF0F~MF4F 可 以自动清零,但各自的请求标志需在应用程序中手动清除。 建议在中断服务子程序中不要使用“CALL 子程序”指令。中断通常发生在不 可预料的情况或是需要立刻执行的某些应用。假如只剩下一层堆栈且没有控制 好中断,当“CALL 子程序”在中断服务子程序中执行时,将破坏原来的控制 序列。 所有中断在休眠或空闲模式下都具有唤醒功能,当中断请求标志发生由低到高 的转变时都可产生唤醒功能。若要避免相应中断产生唤醒动作,在单片机进入 休眠或空闲模式前需先将相应请求标志置为高。 当进入中断服务程序,系统仅将程序计数器的内容压入堆栈,如果中断服务程 序会改变状态寄存器或其它的寄存器的内容而破坏控制流程,应事先将这些数 据保存起来。 若从中断子程序中返回可执行 RET 或 RETI 指令。除了能返回至主程序外, RETI 指令还能自动设置 EMI 位为高,允许进一步中断。RET 指令只能返回至 主程序,清除 EMI 位,除能进一步中断。 Rev. 1.00 193 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 低电压检测 – LVD 此系列单片机都具有低电压检测功能,即 LVD。该功能使能用于监测电源电压 VDD,若电源电压低于一定值可提供一个警告信号。此功能在电池类产品中非 常有用,在电池电压较低时产生警告信号。低电压检测也可产生中断信号。 LVD 寄存器 低电压检测功能由 LVDC 寄存器控制。VLVD2~VLVD0 位用于选择 8 个固定的 电压参考点。LVDO 位被置位时低电压情况发生,若 LVDO 位为低表明 VDD 电 压工作在当前所设置低电压水平值之上。LVDEN 位用于控制低电压检测功能的 开启 / 关闭,设置此位为高使能此功能,反之,关闭内部低电压检测电路。低 电压检测会有一定的功耗,在不使用时可考虑关闭此功能,此举在功耗要求严 格的电池供电应用中值得考虑。 LVDC 寄存器 Bit 7 Name — R/W — POR — 6 5 4 3 2 1 0 — LVDO LVDEN — VLVD2 VLVD1 VLVD0 — R R/W — R/W R/W R/W — 0 0 — 0 0 0 Bit 7~6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2~0 未定义,读为“0” LVDO:LVD 输出标志位 0:未检测到低电压 1:检测到低电压 LVDEN:低电压检测控制位 0:除能 1:使能 未定义,读为“0” VLVD2~VLVD0:选择 LVD 电压位 000:2.0V 001:2.2V 010:2.4V 011:2.7V 100:3.0V 101:3.3V 110:3.6V 111:4.0V Rev.1.00 194 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 LVD 操作 通过比较电源电压 VDD 与存储在 LVDC 寄存器中的预置电压值的结果,低电压 检测功能工作。其设置的范围为 2.0V~4.0V。当电源电压 VDD 低于预置电压值 时,LVDO 位被置为高,表明低电压产生。低电压检测功能由一个自动使能的 参考电压提供。若 LVDEN 位为高,当单片机掉电时低电压检测器保持有效状 态。低电压检测器使能后,读取 LVDO 位前,电路稳定需要一定的延时 tLVDS。 注意,VDD 电压可能上升或下降比较缓慢,在 VLVD 电压值附近时,LVDO 位可 能有多种变化。 LVD 操作 低电压检测器也有自己的中断功能,也是属于多功能中断的一种,它是除了轮 询 LVDO 位之外的另一种检测低电压的方法。中断条件产生置位 LVDO 并延时 tLVD 后,中断产生。若 LVDEN 位为高,当单片机掉电时低电压检测器保持有效 状态。此种情况下,若 VDD 降至小于 LVD 预置电压值时,中断请求标志位 LVF 将被置位,中断产生,单片机将被从休眠或空闲模式中唤醒。若不要求低电压 检测的唤醒功能使能,在单片机进入休眠或空闲模式前应将 LVF 标志置为高。 Rev. 1.00 195 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 带 SCOM 功能的 LCD 单片机具有驱动外部 LCD 面板的能力。LCD 驱动的 COM 脚 SCOM0~SCOM3 与 PC0~PC1,PC6~PC7 口共用。LCD 控制信号 (COM & SEG) 由软件编程实现。 LCD 操作 单片机通过设置 PC0~PC1,PC6~PC7 作为 COM 引脚,其它输出口作为 SEG 引脚,以驱动外部的液晶面板。LCD 驱动功能是由 SCOMC 寄存器来控制,另 外,该寄存器可设置 LCD 的开启和关闭以及输出偏压值等功能,使得 COM 口 输出 VDD/2 的电压,从而实现 1/2bias LCD 的显示。 SCOMC 寄存器中的 SCOMEN 位是 LCD 驱动的主控制位。LCD SCOMn 引脚 可通过对应的引脚共用功能选择位来选择哪些 PC 端口用于 LCD 驱动。需注意 的是,端口控制寄存器不需要设置为输出以使能 LCD 驱动操作。 V DD S C O M o p e r a tin g c u r r e n t V D D /2 S C O M 0~ SCO M 3 P in - s h a r e d s e le c tio n b its SCO M EN LCD COM 偏压 LCD 偏压控制 LCD 驱动器可以提供多种驱动电流选择以适应不同 LCD 面板的需求。通过设 置 SCOMC 寄存器中 ISEL0 位和 ISEL1 位可以配置不同的偏压电阻。 SCOMC 寄存器 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Name D7 ISEL1 ISEL0 SCOMEN — — — — R/W R/W R/W R/W R/W — — — — POR 0 0 0 0 — — — — Bit 7 Bit 6,5 Bit 4 Bit 3~0 保留位 0:正确电平值 -- 该位需清除为 0 1:不可预测的操作 -- 该位不能设置为高 ISEL1,ISEL0:选择 SCOM 典型偏压电流 (VDD=5V) 位 00: 25μA 01: 50μA 10: 100μA 11: 200μA SCOMEN:SCOM 模块控制位 0:除能 1:使能 未定义,读为“0” Rev.1.00 196 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 配置选项 配置选项在烧写程序时写入芯片。通过 HT-IDE 的软件开发环境,使用者在开 发过程中可以选择配置选项。当配置选项烧入单片机后,无法再通过应用程序 修改。所有位必须按系统的需要定义,具体内容可参考下表: 序号 1 2 3 选项 高速振荡器类型选择 -- fH HXT,ERC 或 HIRC 低速振荡器类型选择 -- fSUB LXT 或 LIRC I/O 或复位引脚选项 复位脚或 I/O 脚 应用电路 VDD 100KΩ 0.1uF 0.1uF VDD PB0/RES VSS OSC Circuit OSC Circuit PB1/OSC1 PB2/OSC2 PB3/XT1 PB4/XT2 PA0~PA7 PB0~PB7 PC0~PC7 PD0~PD7 PE0~PE7 PF0~PF6 PG0~PG7 PH0~PH5 Rev. 1.00 197 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 指令集 简介 任何单片机成功运作的核心在于它的指令集,此指令集为一组程序指令码,用 来指导单片机如何去执行指定的工作。在 HOLTEK 单片机中,提供了丰富且灵 活的指令,共超过六十条,程序设计者可以事半功倍地实现他们的应用。 为了更加容易理解各种各样的指令码,接下来按功能分组介绍它们。 指令周期 大部分的操作均只需要一个指令周期来执行。分支、调用或查表则需要两个指 令周期。一个指令周期相当于四个系统时钟周期,因此如果在 8MHz 的系统 时钟振荡器下,大部分的操作将在 0.5μs 中执行完成,而分支或调用操作则将 在 1μs 中执行完成。虽然需要两个指令周期的指令通常指的是 JMP、CALL、 RET、RETI 和查表指令,但如果牵涉到程序计数器低字节寄存器 PCL 也将多 花费一个周期去加以执行。即指令改变 PCL 的内容进而导致直接跳转至新地址 时,需要多一个周期去执行,例如“CLR PCL”或“MOV PCL, A”指令。对 于跳转指令必须注意的是,如果比较的结果牵涉到跳转动作将多花费一个周期, 如果没有则需一个周期即可。 数据的传送 单片机程序中数据传送是使用最为频繁的操作之一,使用几种 MOV 的指令, 数据不但可以从寄存器转移至累加器 ( 反之亦然 ),而且能够直接移动立即数到 累加器。数据传送最重要的应用之一是从输入端口接收数据或传送数据到输出 端口。 算术运算 算术运算和数据处理是大部分单片机应用所必需具备的能力,在盛群单片机内 部的指令集中,可直接实现加与减的运算。当加法的结果超出 255 或减法的 结果少于 0 时,要注意正确的处理进位和借位的问题。INC、INCA、DEC 和 DECA 指令提供了对一个指定地址的值加一或减一的功能。 逻辑和移位运算 标准逻辑运算例如 AND、OR、XOR 和 CPL 全都包含在盛群单片机内部的指令 集中。大多数牵涉到数据运算的指令,数据的传送必须通过累加器。在所有逻 辑数据运算中,如果运算结果为零,则零标志位将被置位,另外逻辑数据运用 形式还有移位指令,例如 RR、RL、RRC 和 RLC 提供了向左或向右移动一位的 方法。不同的移位指令可满足不同的应用需要。移位指令常用于串行端口的程 序应用,数据可从内部寄存器转移至进位标志位,而此位则可被检验,移位运 算还可应用在乘法与除法的运算组成中。 Rev.1.00 198 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 分支和控制转换 程序分支是采取使用 JMP 指令跳转至指定地址或使用 CALL 指令调用子程序的 形式,两者之不同在于当子程序被执行完毕后,程序必须马上返回原来的地址。 这个动作是由放置在子程序里的返回指令 RET 来实现,它可使程序跳回 CALL 指令之后的地址。在 JMP 指令中,程序则只是跳到一个指定的地址而已,并不 需如 CALL 指令般跳回。一个非常有用的分支指令是条件跳转,跳转条件是由 数据存储器或指定位来加以决定。遵循跳转条件,程序将继续执行下一条指令 或略过且跳转至接下来的指令。这些分支指令是程序走向的关键,跳转条件可 能是外部开关输入,或是内部数据位的值。 位运算 提供数据存储器中单个位的运算指令是盛群单片机的特性之一。这特性对于输 出端口位的设置尤其有用,其中个别的位或端口的引脚可以使用“SET [m].i” 或“CLR [m].i”指令来设定其为高位或低位。如果没有这特性,程序设计师必 须先读入输出口的 8 位数据,处理这些数据,然后再输出正确的新数据。这种 读入 - 修改 - 写出的过程现在则被位运算指令所取代。 查表运算 数据的储存通常由寄存器完成,然而当处理大量固定的数据时,它的存储量常 常造成对个别存储器的不便。为了改善此问题,盛群单片机允许在程序存储器 中建立一个表格作为数据可直接存储的区域,只需要一组简易的指令即可对数 据进行查表。 其它运算 除了上述功能指令外,其它指令还包括用于省电的“HALT”指令和使程序在极 端电压或电磁环境下仍能正常工作的看门狗定时器控制指令。这些指令的使用 则请查阅相关的章节。 Rev. 1.00 199 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 指令集概要 当要操作的数据存储器位于数据存储器 Section 0 时,下表说明了与数据存储器 存取有关的指令。 惯例 x:立即数 m:数据存储器地址 A:累加器 i:第 0~7 位 addr:程序存储器地址 助记符 说明 指令 周期 影响标志位 算术运算 ADD A,[m] ACC 与数据存储器相加,结果放入 ACC 1 Z, C, AC, OV ADDM A,[m] ACC 与数据存储器相加,结果放入数据存储器 1 注 Z, C, AC, OV ADD A, x ACC 与立即数相加,结果放入 ACC 1 Z, C, AC, OV ADC A,[m] ACC 与数据存储器、进位标志相加,结果放入 ACC 1 Z, C, AC, OV ADCM A,[m] ACC 与数据存储器、进位标志相加,结果放入数据存储器 1 注 Z, C, AC, OV SUB A, x ACC 与立即数相减,结果放入 ACC 1 Z, C, AC, OV SUB A,[m] ACC 与数据存储器相减,结果放入 ACC 1 Z, C, AC, OV SUBM A,[m] ACC 与数据存储器相减,结果放入数据存储器 1 注 Z, C, AC, OV SBC A,[m] ACC 与数据存储器、进位标志的反相减,结果放入 ACC 1 Z, C, AC, OV SBCM A,[m] ACC 与数据存储器、进位标志相减,结果放入数据存储器 1 注 Z, C, AC, OV DAA [m] 将加法运算中放入 ACC 的值调整为十进制数,并将结果放 入数据存储器 1注 C 逻辑运算 AND A,[m] ACC 与数据存储器做“与”运算,结果放入 ACC 1 Z OR A,[m] ACC 与数据存储器做“或”运算,结果放入 ACC 1 Z XOR A,[m] ACC 与数据存储器做“异或”运算,结果放入 ACC 1 Z ANDM A,[m] ACC 与数据存储器做“与”运算,结果放入数据存储器 1 注 Z ORM A,[m] ACC 与数据存储器做“或”运算,结果放入数据存储器 1 注 Z XORM A,[m] ACC 与数据存储器做“异或”运算,结果放入数据存储器 1 注 Z AND A, x ACC 与立即数做“与”运算,结果放入 ACC 1 Z OR A, x ACC 与立即数做“或”运算,结果放入 ACC 1 Z XOR A, x ACC 与立即数做“异或”运算,结果放入 ACC 1 Z CPL [m] 对数据存储器取反,结果放入数据存储器 1注 Z CPLA [m] 对数据存储器取反,结果放入 ACC 1 Z 递增和递减 INCA [m] 递增数据存储器,结果放入 ACC 1 Z INC [m] 递增数据存储器,结果放入数据存储器 1注 Z DECA [m] 递减数据存储器,结果放入 ACC 1 Z DEC [m] 递减数据存储器,结果放入数据存储器 1注 Z Rev.1.00 200 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 助记符 说明 指令 周期 影响标志位 移位 RRA [m] 数据存储器右移一位,结果放入 ACC 1 无 RR [m] 数据存储器右移一位,结果放入数据存储器 1注 无 RRCA [m] 带进位将数据存储器右移一位,结果放入 ACC 1 C RRC [m] 带进位将数据存储器右移一位,结果放入数据存储器 1注 C RLA [m] 数据存储器左移一位,结果放入 ACC 1 无 RL [m] 数据存储器左移一位,结果放入数据存储器 1注 无 RLCA [m] 带进位将数据存储器左移一位,结果放入 ACC 1 C RLC [m] 带进位将数据存储器左移一位,结果放入数据存储器 1注 C 数据传送 MOV A,[m] 将数据存储器送至 ACC 1 无 MOV [m],A 将 ACC 送至数据存储器 1注 无 MOV A, x 将立即数送至 ACC 1 无 位运算 CLR [m].i 清除数据存储器的位 1注 无 SET [m].i 置位数据存储器的位 1注 无 转移 JMP addr 无条件跳转 2 无 SZ [m] 如果数据存储器为零,则跳过下一条指令 1注 无 SZA [m] 数据存储器送至 ACC,如果内容为零,则跳过下一条指令 1 注 无 SZ [m].i 如果数据存储器的第 i 位为零,则跳过下一条指令 1注 无 SNZ [m].i 如果数据存储器的第 i 位不为零,则跳过下一条指令 1注 无 SIZ [m] 递增数据存储器,如果结果为零,则跳过下一条指令 1注 无 SDZ [m] 递减数据存储器,如果结果为零,则跳过下一条指令 1注 无 SIZA [m] 递增数据存储器,将结果放入 ACC,如果结果为零,则跳 过下一条指令 1注 无 SDZA [m] 递减数据存储器,将结果放入 ACC,如果结果为零,则跳 过下一条指令 1注 无 CALL addr 子程序调用 2 无 RET 从子程序返回 2 无 RET A, x 从子程序返回,并将立即数放入 ACC 2 无 RETI 从中断返回 2 无 查表 TABRD [m] 读取当前页的 ROM 内容,并送至数据存储器和 TBLH 2注 无 TABRDL [m] 读取最后页的 ROM 内容,并送至数据存储器和 TBLH 2注 无 ITABRD [m] 读表指针 TBLP 自加,读取当前页的 ROM 内容,并送至 数据存储器和 TBLH 2注 无 ITABRDL [m] 读表指针 TBLP 自加,读取最后页的 ROM 内容,并送至 数据存储器和 TBLH 2注 无 Rev. 1.00 201 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 助记符 说明 其它指令 NOP 空指令 CLR [m] 清除数据存储器 SET [m] 置位数据存储器 CLR WDT 清除看门狗定时器 CLR WDT1 预清除看门狗定时器 CLR WDT2 预清除看门狗定时器 SWAP [m] 交换数据存储器的高低字节,结果放入数据存储器 SWAPA [m] 交换数据存储器的高低字节,结果放入 ACC HALT 进入暂停模式 指令 周期 影响标志位 1 无 1注 无 1注 无 1 TO, PDF 1 TO, PDF 1 TO, PDF 1注 无 1 无 1 TO, PDF 注:1. 对跳转指令而言,如果比较的结果牵涉到跳转即需 2 个周期,如果没有发生跳转,则只需一个周期。 2. 任何指令若要改变 PCL 的内容将需要 2 个周期来执行。 3. 对于“CLR WDT1”或“CLR WDT2”指令而言,TO 和 PDF 标志位也许会受执行结果影响,“CLR WDT1”和“CLR WDT2”被连续地执行后,TO 和 PDF 标志位会被清除,否则 TO 和 PDF 标志位 保持不变。 Rev.1.00 202 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 扩展指令集 扩展指令用来提供更大范围的数据存储器寻址。当被存取的数据存储器位于 Section 0 之外的任何数据存储器 Section,扩展指令可直接存取数据存储器而无 需使用间接寻址,此举也提高了 CPU 韧体性能。 助记符 说明 指令 周期 影响标志位 算术运算 LADD A,[m] ACC 与数据存储器相加,结果放入 ACC 2 Z, C, AC, OV LADDM A,[m] ACC 与数据存储器相加,结果放入数据存储器 2 注 Z, C, AC, OV LADC A,[m] ACC 与数据存储器、进位标志相加,结果放入 ACC 2 Z, C, AC, OV LADCM A,[m] ACC 与数据存储器、进位标志相加,结果放入数据存储器 2 注 Z, C, AC, OV LSUB A,[m] ACC 与数据存储器相减,结果放入 ACC 2 Z, C, AC, OV LSUBM A,[m] ACC 与数据存储器相减,结果放入数据存储器 2 注 Z, C, AC, OV LSBC A,[m] ACC 与数据存储器、进位标志的反相减,结果放入 ACC 2 Z, C, AC, OV LSBCM A,[m] ACC 与数据存储器、进位标志相减,结果放入数据存储器 2 注 Z, C, AC, OV LDAA [m] 将加法运算中放入 ACC 的值调整为十进制数,并将结果 放入数据存储器 2注 C 逻辑运算 LAND A,[m] ACC 与数据存储器做“与”运算,结果放入 ACC 2 Z LOR A,[m] ACC 与数据存储器做“或”运算,结果放入 ACC 2 Z LXOR A,[m] ACC 与数据存储器做“异或”运算,结果放入 ACC 2 Z LANDM A,[m] ACC 与数据存储器做“与”运算,结果放入数据存储器 2 注 Z LORM A,[m] ACC 与数据存储器做“或”运算,结果放入数据存储器 2 注 Z LXORM A,[m] ACC 与数据存储器做“异或”运算,结果放入数据存储器 2 注 Z LCPL [m] 对数据存储器取反,结果放入数据存储器 2注 Z LCPLA [m] 对数据存储器取反,结果放入 ACC 2 Z 递增和递减 LINCA [m] 递增数据存储器,结果放入 ACC 2 Z LINC [m] 递增数据存储器,结果放入数据存储器 2注 Z LDECA [m] 递减数据存储器,结果放入 ACC 2 Z LDEC [m] 递减数据存储器,结果放入数据存储器 2注 Z 移位 LRRA [m] 数据存储器右移一位,结果放入 ACC 2 无 LRR [m] 数据存储器右移一位,结果放入数据存储器 2注 无 LRRCA [m] 带进位将数据存储器右移一位,结果放入 ACC 2 C LRRC [m] 带进位将数据存储器右移一位,结果放入数据存储器 2注 C LRLA [m] 数据存储器左移一位,结果放入 ACC 2 无 LRL [m] 数据存储器左移一位,结果放入数据存储器 2注 无 LRLCA [m] 带进位将数据存储器左移一位,结果放入 ACC 2 C LRLC [m] 带进位将数据存储器左移一位,结果放入数据存储器 2注 C Rev. 1.00 203 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 助记符 说明 指令 周期 影响标志位 数据传送 LMOV A,[m] 将数据存储器送至 ACC 2 无 LMOV [m],A 将 ACC 送至数据存储器 2注 无 位运算 LCLR [m].i 清除数据存储器的位 2注 无 LSET [m].i 置位数据存储器的位 2注 无 转移 LSZ [m] 如果数据存储器为零,则跳过下一条指令 2注 无 LSZA [m] 数据存储器送至 ACC,如果内容为零,则跳过下一条指令 1 注 无 LSZ [m].i 如果数据存储器的第 i 位为零,则跳过下一条指令 2注 无 LSNZ [m].i 如果数据存储器的第 i 位不为零,则跳过下一条指令 2注 无 LSIZ [m] 递增数据存储器,如果结果为零,则跳过下一条指令 2注 无 LSDZ [m] 递减数据存储器,如果结果为零,则跳过下一条指令 2注 无 LSIZA [m] 递增数据存储器,将结果放入 ACC,如果结果为零,则跳 过下一条指令 2注 无 LSDZA [m] 递减数据存储器,将结果放入 ACC,如果结果为零,则跳 过下一条指令 2注 无 查表 LTABRD [m] 读取当前页的 ROM 内容,并送至数据存储器和 TBLH 3注 无 LTABRDL [m] 读取最后页的 ROM 内容,并送至数据存储器和 TBLH 3注 无 LITABRD [m] 读表指针 TBLP 自加,读取当前页的 ROM 内容,并送至 数据存储器和 TBLH 3注 无 LITABRDL [m] 读表指针 TBLP 自加,读取最后页的 ROM 内容,并送至 数据存储器和 TBLH 3注 无 其它指令 LCLR [m] 清除数据存储器 2注 无 LSET [m] 置位数据存储器 2注 无 LSWAP [m] 交换数据存储器的高低字节,结果放入数据存储器 LSWAPA [m] 交换数据存储器的高低字节,结果放入 ACC 2注 无 2 无 注:1. 对扩展跳转指令而言,如果比较的结果牵涉到跳转即需 4 个周期,如果没有发生跳转,则只需两 个周期。 2. 任何扩展指令若要改变 PCL 的内容将需要 3 个周期来执行。 Rev.1.00 204 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 指令定义 ADC A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 ADCM A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 ADD A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 ADD A, x 指令说明 功能表示 影响标志位 ADDM A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 AND A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Add Data Memory to ACC with Carry 将指定数据存储器、累加器和进位标志位的内容相加后, 把结果储存回累加器。 ACC ← ACC + [m] + C OV, Z, AC, C Add ACC to Data Memory with Carry 将指定数据存储器、累加器和进位标志位的内容相加后, 把结果储存回指定数据存储器。 [m] ← ACC + [m] + C OV, Z, AC, C Add Data Memory to ACC 将指定数据存储器和累加器的内容相加后, 把结果储存回累加器。 ACC ← ACC + [m] OV, Z, AC, C Add immediate data to ACC 将累加器和立即数的内容相加后,把结果储存回累加器。 ACC ← ACC + x OV, Z, AC, C Add ACC to Data Memory 将指定数据存储器和累加器的内容相加后, 把结果储存回指定数据存储器。 [m] ← ACC + [m] OV, Z, AC, C Logical AND Data Memory to ACC 将存在累加器和指定数据存储器中的数据作 AND 的运算, 然后把结果储存回累加器。 ACC ← ACC“AND”[m] Z Rev. 1.00 205 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 AND A, x 指令说明 功能表示 影响标志位 ANDM A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 CALL addr 指令说明 功能表示 影响标志位 CLR [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 CLR [m].i 指令说明 功能表示 影响标志位 CLR WDT 指令说明 功能表示 影响标志位 Logical AND immediate data to ACC 将存在累加器中的数据和立即数作 AND 的运算, 然后把结果储存回累加器。 ACC ← ACC“AND”x Z Logical AND ACC to Data Memory 将存在指定数据存储器和累加器中的数据作 AND 的运算, 然后把结果储存回数据存储器。 [m] ← ACC“AND”[m] Z Subroutine call 无条件地调用指定地址的子程序,此时程序计数器先加 1 获得下一个要执行的指令地址并压入堆栈,接着载入指定 地址并从新地址继续执行程序,由于此指令需要额外的运 算,所以为一个 2 周期的指令。 Stack ← Program Counter + 1 Program Counter ← addr 无 Clear Data Memory 指定数据存储器中的每一位均清除为 0。 [m] ← 00H 无 Clear bit of Data Memory 指定数据存储器中的 i 位清除为 0。 [m].i ← 0 无 Clear Watchdog Timer 将 TO、PDF 标志位和 WDT 全都清零。 WDT cleared TO ← 0 PDF ← 0 TO, PDF Rev.1.00 206 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 CLR WDT1 指令说明 功能表示 影响标志位 CLR WDT2 指令说明 功能表示 影响标志位 CPL [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 CPLA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Pre-clear Watchdog Timer 将 TO、PDF 标志位和 WDT 全都清零,请注意此指令要结 合 CLR WDT2 一起动作且必须交替执行才有作用,重复执 行此项指令而没有与 CLR WDT2 交替执行将无任何作用。 WDT cleared TO ← 0 PDF ← 0 TO, PDF Pre-clear Watchdog Timer 将 TO、PDF 标志位和 WDT 全都清零,请注意此指令要结 合 CLR WDT1 一起动作且必须交替执行才有作用,重复执 行此项指令而没有与 CLR WDT1 交替执行将无任何作用。 WDT cleared TO ← 0 PDF ← 0 TO, PDF Complement Data Memory 将指定数据存储器中的每一位取逻辑反, 相当于从 1 变 0 或 0 变 1。 [m] ← [m] Z Complement Data Memory with result in ACC 将指定数据存储器中的每一位取逻辑反,相当于从 1 变 0 或 0 变 1,而结果被储存回累加器且数据存储器中的内容 不变。 ACC ← [m] Z Rev. 1.00 207 2013-03-20 DAA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 DEC [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 DECA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 HALT 指令说明 功能表示 影响标志位 INC [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Decimal-Adjust ACC for addition with result in Data Memory 将存在累加器中的内容数值转换为 BCD( 二进制转成十进 制 ) 数值,如果低 4 位大于 9 或 AC 标志位被置位,则在 低 4 位加上一个 6,不然低 4 位的内容不变,如果高 4 位 大于 9 或 C 标志位被置位,则在高 4 位加上一个 6,十进 制的转换主要是依照累加器和标志位状况,分别加上 00H、06H、60H 或 66H,只有 C 标志位也许会被此指令影 响,它会指出原始 BCD 数是否大于 100,并可以进行双精 度十进制数相加。 [m] ← ACC + 00H 或 [m] ← ACC + 06H 或 [m] ← ACC + 60H 或 [m] ← ACC + 66H C Decrement Data Memory 将在指定数据存储器内的数据减 1。 [m] ← [m] – 1 Z Decrement Data Memory with result in ACC 将在指定数据存储器内的数据减 1,把结果储存回累加器 且数据存储器中的内容不变。 ACC ← [m] – 1 Z Enter power down mode 此指令停止程序的执行并且关闭系统时钟,但数据存储器 和寄存器的内容仍被保留,WDT 和预分频器 (Prescaler) 被 清零,暂停标志位 PDF 被置位且 WDT 溢出标志位 TO 被 清零。 TO ← 0 PDF ← 1 TO, PDF Increment Data Memory 将指定数据存储器内的数据加 1。 [m] ← [m] + 1 Z Rev.1.00 208 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 INCA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 JMP addr 指令说明 功能表示 影响标志位 MOV A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 MOV A, x 指令说明 功能表示 影响标志位 MOV [m], A 指令说明 功能表示 影响标志位 NOP 指令说明 功能表示 影响标志位 OR A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Increment Data Memory with result in ACC 将指定数据存储器内的数据加 1,把结果储存回累加器且 数据存储器中的内容不变。 ACC ← [m] + 1 Z Jump unconditionally 程序计数器的内容被指定地址所取代,程序由新地址继续 执行,当新地址被加载入时,必须插入一个空指令周期, 所以此指令为 2 个周期的指令 Program Counter ← addr 无 Move Data Memory to ACC 将指定数据存储器的内容复制到累加器中。 ACC ← [m] 无 Move immediate data to ACC 将立即数载入至累加器中。 ACC ← x 无 Move ACC to Data Memory 将累加器的内容复制到指定数据存储器。 [m] ← ACC 无 No operation 空操作,接下来顺序执行下一条指令。 No operation 无 Logical OR Data Memory to ACC 将存在累加器和指定数据存储器中的数据作 OR 的运算, 然后把结果储存回累加器。 ACC ← ACC“OR”[m] Z Rev. 1.00 209 2013-03-20 OR A, x 指令说明 功能表示 影响标志位 ORM A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 RET 指令说明 功能表示 影响标志位 RET A, x 指令说明 功能表示 影响标志位 RETI 指令说明 功能表示 影响标志位 RL [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Rev.1.00 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Logical OR immediate data to ACC 将存在累加器中的数据和立即数作 OR 的运算, 然后把结果储存回累加器。 ACC ← ACC“OR”x Z Logical OR ACC to Data Memory 将存在指定数据存储器和累加器中的数据作 OR 的运算, 然后把结果储存回数据存储器。 [m] ← ACC“OR”[m] Z Return from subroutine 将堆栈区的数据取回至程序计数器, 程序由取回的地址继续执行。 Program Counter ← Stack 无 Return from subroutine and load immediate data to ACC 将堆栈区的数据取回至程序计数器且累加器载入立即数, 程序由取回的地址继续执行。 Program Counter ← Stack ACC ← x 无 Return from interrupt 将堆栈区的数据取回至程序计数器且中断功能通过 EMI 位 重新被使能,EMI 是控制中断使能的主中断位 ( 寄存器 INTC 的第 0 位 ),如果在执行 RETI 指令之前还 有中断未被响应,则这个中断将在返回主程序之前被响应。 Program Counter ← Stack EMI ← 1 无 Rotate Data Memory left 将指定数据存储器的内容向左移 1 个位, 且第 7 位移回第 0 位。 [m].(i+1) ← [m].i ; (i=0~6) [m].0 ← [m].7 无 210 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 RLA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 RLC [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 RLC A [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 RR [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 RRA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Rotate Data Memory left with result in ACC 将指定数据存储器的内容向左移 1 个位, 且第 7 位移回第 0 位,而移位的结果储存回累加器且数据 存储器中的内容不变。 ACC.(i+1) ← [m].i ; (i=0~6) ACC.0 ← [m].7 无 Rotate Data Memory Left through Carry 将指定数据存储器的内容连同进位标志位向左移 1 个位, 第 7 位取代进位位且原本的进位标志位移至第 0 位。 [m].(i+1) ← [m].i ; (i=0~6) [m].0 ← C C ← [m].7 C Rotate Data Memory left through Carry with result in ACC 将指定数据存储器的内容连同进位标志位向左移 1 个位, 第 7 位取代进位位且原本的进位标志位移至第 0 位, 而移位的结果储存回累加器且数据存储器中的内容不变。 ACC.(i+1) ← [m].i ; (i=0~6) ACC.0 ← C C ← [m].7 C Rotate Data Memory right 将指定数据存储器的内容向右移 1 个位, 且第 0 位移回第 7 位。 [m].i ← [m].(i+1) ; (i=0~6) [m].7 ← [m].0 无 Rotate Data Memory right with result in ACC 将指定数据存储器的内容向右移 1 个位, 且第 0 位移回第 7 位,而移位的结果储存回累加器且数据 存储器中的内容不变。 ACC.i ← [m].(i+1) ; (i=0~6) ACC.7 ← [m].0 无 Rev. 1.00 211 2013-03-20 RRC [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 RRCA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 SBC A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 SBCM A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 SDZ [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Rev.1.00 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Rotate Data Memory right through Carry 将指定数据存储器的内容连同进位标志位向右移 1 个位, 第 0 位取代进位位且原本的进位标志位移至第 7 位。 [m].i ← [m].(i+1) ; (i=0~6) [m].7 ← C C ← [m].0 C Rotate Data Memory right through Carry with result in ACC 将指定数据存储器的内容连同进位标志位向右移 1 个位, 第 0 位取代进位位且原本的进位标志位移至第 7 位, 而移位的结果储存回累加器且数据存储器中的内容不变。 ACC.i ← [m].(i+1) ; (i=0~6) ACC.7 ← C C ← [m].0 C Subtract Data Memory from ACC with Carry 将累加器中的数据与指定数据存储器内容和进位标志位的 反相减,把结果储存回累加器。如果结果为负,C 标志位 清除为 0,反之结果为正或 0,C 标志位设置为 1。 ACC ← ACC – [m] – C OV, Z, AC, C Subtract Data Memory from ACC with Carry and result in Data Memory 将累加器中的数据与指定数据存储器内容和进位标志位的 反相减,把结果储存回数据存储器。如果结果为负, C 标志位清除为 0,反之结果为正或 0,C 标志位设置为 1。 [m] ← ACC – [m] – C OV, Z, AC, C Skip if Decrement Data Memory is 0 将指定数据存储器的内容先减去 1 后,如果结果为 0, 则程序计数器再加 1 跳过下一条指令,由于取得下一指令 时会要求插入一个空指令周期,所以此指令为 2 个周期的 指令。如果结果不为 0,则程序继续执行下面的指令。 [m] ← [m] – 1 Skip if [m]=0 无 212 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 SDZA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 SET [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 SET [m].i 指令说明 功能表示 影响标志位 SIZ [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 SIZA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Skip if decrement Data Memory is zero with result in ACC 将指定数据存储器的内容先减去 1 后,如果结果为 0, 则程序计数器再加 1 跳过下一条指令,此结果会被储存回 累加器且指定数据存储器中的内容不变,由于取得下一指 令时会要求插入一个空指令周期,所以此指令为 2 个周期 的指令。如果结果不为 0,则程序继续执行下面的指令。 ACC ← [m] – 1 Skip if ACC=0 无 Set Data Memory 将指定数据存储器的每一个位置位为 1。 [m] ← FFH 无 Set bit of Data Memory 将指定数据存储器的第 i 位置位为 1。 [m].i ← 1 无 Skip if increment Data Memory is 0 将指定数据存储器的内容先加上 1 后,如果结果为 0, 则程序计数器再加 1 跳过下一条指令,由于取得下一指令 时会要求插入一个空指令周期,所以此指令为 2 个周期的 指令。如果结果不为 0,则程序继续执行下面的指令。 [m] ← [m] + 1 Skip if [m]=0 无 Skip if increment Data Memory is zero with result in ACC 将指定数据存储器的内容先加上 1 后,如果结果为 0, 则程序计数器再加 1 跳过下一条指令,此结果会被储存回 累加器且指定数据存储器中的内容不变,由于取得下一指 令时会要求插入一个空指令周期,所以此指令为 2 个周期 的指令。如果结果不为 0,则程序继续执行下面的指令。 ACC ← [m] + 1 Skip if ACC=0 无 Rev. 1.00 213 2013-03-20 SNZ [m].i 指令说明 功能表示 影响标志位 SUB A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 SUBM A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 SUB A, x 指令说明 功能表示 影响标志位 SWAP [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Skip if bit i of Data Memory is not 0 如果指定数据存储器的第 i 位不为 0,则程序计数器再加 1 跳过下一条指令,由于取得下一指令时会要求插入一个空 指令周期,所以此指令为 2 个周期的指令。如果结果不为 0, 程序继续执行下面的指令。 Skip if [m].i ≠ 0 无 Subtract Data Memory from ACC 将累加器中内容减去指定数据存储器的数据,把结果储存 回累加器。如果结果为负,C 标志位清除为 0, 反之结果为正或 0,C 标志位设置为 1。 ACC ← ACC – [m] OV, Z, AC, C Subtract Data Memory from ACC with result in Data Memory 将累加器中内容减去指定数据存储器的数据, 把结果储存回数据存储器。如果结果为负, C 标志位清除为 0,反之结果为正或 0,C 标志位设置为 1。 [m] ← ACC – [m] OV, Z, AC, C Subtract immediate Data from ACC 将累加器中内容减去立即数,把结果储存回累加器。 如果结果为负,C 标志位清除为 0,反之结果为正或 0, C 标志位设置为 1。 ACC ← ACC – x OV, Z, AC, C Swap nibbles of Data Memory 将指定数据存储器的低 4 位与高 4 位互相交换。 [m].3~[m].0 ↔ [m].7~[m].4 无 Rev.1.00 214 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 SWAPA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 SZ [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 SZA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 SZ [m].i 指令说明 功能表示 影响标志位 TABRD [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Swap nibbles of Data Memory with result in ACC 将指定数据存储器的低 4 位与高 4 位互相交换, 然后把结果储存回累加器且数据存储器的内容不变。 ACC.3~ACC.0 ← [m].7~[m].4 ACC.7~ACC.4 ← [m].3~[m].0 无 Skip if Data Memory is 0 如果指定数据存储器的内容为 0,则程序计数器再加 1 跳 过下一条指令,由于取得下一指令时会要求插入一个空指 令周期,所以此指令为 2 个周期的指令。如果结果不为 0, 程序继续执行下面的指令。 Skip if [m]=0 无 Skip if Data Memory is 0 with data movement to ACC 将指定数据存储器的内容复制到累加器,如果值为 0, 则程序计数器再加 1 跳过下一条指令,由于取得下一指令 时会要求插入一个空指令周期,所以此指令为 2 个周期的 指令。如果结果不为 0,程序继续执行下面的指令。 ACC ← [m] Skip if [m]=0 无 Skip if bit i of Data Memory is 0 如果指定数据存储器第 i 位为 0,则程序计数器再加 1 跳过 下一条指令,由于取得下一指令时会要求插入一个空指令 周期,所以此指令为 2 个周期的指令。如果结果不为 0, 程序继续执行下面的指令。 Skip if [m].i=0 无 Move the ROM code to TBLH and data memory 将表格指针 TBLP 所指的程序代码低字节 移至指定数据存储器且将高字节移至 TBLH。 [m] ← 程序代码 ( 低字节 ) TBLH ← 程序代码 ( 高字节 ) 无 Rev. 1.00 215 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 TABRDL [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 ITABRD [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 ITABRDL [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 XOR A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 XORM A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 XOR A, x 指令说明 功能表示 影响标志位 Read table ( last page ) to TBLH and Data Memory 将表格指针 TBLP 所指的程序代码低字节 ( 最后一页 ) 移至指定数据存储器且将高字节移至 TBLH。 [m] ← 程序代码 ( 低字节 ) TBLH ← 程序代码 ( 高字节 ) 无 Increment table pointer low byte first and read table to TBLH and data memory 将自加表格指针 TBLP 所指的程序代码低字节(当前页) 移至指定的数据存储器且将高字节移至 TBLH。 [m] ← 程序代码 ( 低字节 ) TBLH ← 程序代码 ( 高字节 ) 无 Increment table pointer low byte first and read table(last page) to TBLH and data memory 将自加表格指针 TBLP 所指的程序代码低字节(最后一页) 移至指定的数据存储器且将高字节移至 TBLH。 [m] ← 程序代码 ( 低字节 ) TBLH ← 程序代码 ( 高字节 ) 无 Logical XOR Data Memory to ACC 将存在累加器和指定数据存储器中的数据作 XOR 的运算, 然后把结果储存回累加器。 ACC ← ACC“XOR”[m] Z Logical XOR ACC to Data Memory 将存在指定数据存储器和累加器中的数据作 XOR 的运算, 然后把结果储存回数据存储器。 [m] ← ACC“XOR”[m] Z Logical XOR immediate data to ACC 将存在累加器中的数据和立即数作 XOR 的运算, 然后把结果储存回累加器。 ACC ← ACC“XOR”x Z Rev.1.00 216 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 扩展指令定义 扩展指令被用来直接存取存储在任何数据存储器 Section 中的数据。 LADC A, [m] Add Data Memory to ACC with Carry 指令说明 将指定数据存储器、累加器和进位标志位的内容相加后, 把结果储存回累加器。 功能表示 ACC ← ACC + [m] + C 影响标志位 OV, Z, AC, C LADCM A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Add ACC to Data Memory with Carry 将指定数据存储器、累加器和进位标志位的内容相加后, 把结果储存回指定数据存储器。 [m] ← ACC + [m] + C OV, Z, AC, C LADD A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Add Data Memory to ACC 将指定数据存储器和累加器的内容相加后, 把结果储存回累加器。 ACC ← ACC + [m] OV, Z, AC, C LADDM A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Add ACC to Data Memory 将指定数据存储器和累加器的内容相加后, 把结果储存回指定数据存储器。 [m] ← ACC + [m] OV, Z, AC, C LAND A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Logical AND Data Memory to ACC 将存在累加器和指定数据存储器中的数据作 AND 的运算, 然后把结果储存回累加器。 ACC ← ACC“AND”[m] Z LANDM A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Logical AND ACC to Data Memory 将存在指定数据存储器和累加器中的数据作 AND 的运算, 然后把结果储存回数据存储器。 [m] ← ACC“AND”[m] Z Rev. 1.00 217 2013-03-20 LCLR [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 LCLR [m].i 指令说明 功能表示 影响标志位 LCPL [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 LCPLA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 LDAA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Clear Data Memory 指定数据存储器中的每一位均清除为 0。 [m] ← 00H 无 Clear bit of Data Memory 指定数据存储器中的 i 位清除为 0。 [m].i ← 0 无 Complement Data Memory 将指定数据存储器中的每一位取逻辑反, 相当于从 1 变 0 或 0 变 1。 [m] ← [m] Z Complement Data Memory with result in ACC 将指定数据存储器中的每一位取逻辑反,相当于从 1 变 0 或 0 变 1,而结果被储存回累加器且数据存储器中的内容 不变。 ACC ← [m] Z Decimal-Adjust ACC for addition with result in Data Memory 将存在累加器中的内容数值转换为 BCD( 二进制转成十进 制 ) 数值,如果低 4 位大于 9 或 AC 标志位被置位,则在 低 4 位加上一个 6,不然低 4 位的内容不变,如果高 4 位 大于 9 或 C 标志位被置位,则在高 4 位加上一个 6,十进 制的转换主要是依照累加器和标志位状况,分别加上 00H、06H、60H 或 66H,只有 C 标志位也许会被此指令影 响,它会指出原始 BCD 数是否大于 100,并可以进行双精 度十进制数相加。 [m] ← ACC + 00H 或 [m] ← ACC + 06H 或 [m] ← ACC + 60H 或 [m] ← ACC + 66H C Rev.1.00 218 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 LDEC [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 LDECA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 LINC [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 LINCA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 LMOV A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 LMOV [m], A 指令说明 功能表示 影响标志位 LOR A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Decrement Data Memory 将在指定数据存储器内的数据减 1。 [m] ← [m] – 1 Z Decrement Data Memory with result in ACC 将在指定数据存储器内的数据减 1,把结果储存回累加器 且数据存储器中的内容不变。 ACC ← [m] – 1 Z Increment Data Memory 将指定数据存储器内的数据加 1。 [m] ← [m] + 1 Z Increment Data Memory with result in ACC 将指定数据存储器内的数据加 1,把结果储存回累加器且 数据存储器中的内容不变。 ACC ← [m] + 1 Z Move Data Memory to ACC 将指定数据存储器的内容复制到累加器中。 ACC ← [m] 无 Move ACC to Data Memory 将累加器的内容复制到指定数据存储器。 [m] ← ACC 无 Logical OR Data Memory to ACC 将存在累加器和指定数据存储器中的数据作 OR 的运算, 然后把结果储存回累加器。 ACC ← ACC“OR”[m] Z Rev. 1.00 219 2013-03-20 LORM A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 LRL [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 LRLA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 LRLC [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 LRLC A [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Logical OR ACC to Data Memory 将存在指定数据存储器和累加器中的数据作 OR 的运算, 然后把结果储存回数据存储器。 [m] ← ACC“OR”[m] Z Rotate Data Memory left 将指定数据存储器的内容向左移 1 个位, 且第 7 位移回第 0 位。 [m].(i+1) ← [m].i ; (i=0~6) [m].0 ← [m].7 无 Rotate Data Memory left with result in ACC 将指定数据存储器的内容向左移 1 个位, 且第 7 位移回第 0 位,而移位的结果储存回累加器且数据 存储器中的内容不变。 ACC.(i+1) ← [m].i ; (i=0~6) ACC.0 ← [m].7 无 Rotate Data Memory Left through Carry 将指定数据存储器的内容连同进位标志位向左移 1 个位, 第 7 位取代进位位且原本的进位标志位移至第 0 位。 [m].(i+1) ← [m].i ; (i=0~6) [m].0 ← C C ← [m].7 C Rotate Data Memory left through Carry with result in ACC 将指定数据存储器的内容连同进位标志位向左移 1 个位, 第 7 位取代进位位且原本的进位标志位移至第 0 位, 而移位的结果储存回累加器且数据存储器中的内容不变。 ACC.(i+1) ← [m].i ; (i=0~6) ACC.0 ← C C ← [m].7 C Rev.1.00 220 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 LRR [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 LRRA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 LRRC [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 LRRCA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 LSBC A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Rotate Data Memory right 将指定数据存储器的内容向右移 1 个位, 且第 0 位移回第 7 位。 [m].i ← [m].(i+1) ; (i=0~6) [m].7 ← [m].0 无 Rotate Data Memory right with result in ACC 将指定数据存储器的内容向右移 1 个位, 且第 0 位移回第 7 位,而移位的结果储存回累加器且数据 存储器中的内容不变。 ACC.i ← [m].(i+1) ; (i=0~6) ACC.7 ← [m].0 无 Rotate Data Memory right through Carry 将指定数据存储器的内容连同进位标志位向右移 1 个位, 第 0 位取代进位位且原本的进位标志位移至第 7 位。 [m].i ← [m].(i+1) ; (i=0~6) [m].7 ← C C ← [m].0 C Rotate Data Memory right through Carry with result in ACC 将指定数据存储器的内容连同进位标志位向右移 1 个位, 第 0 位取代进位位且原本的进位标志位移至第 7 位, 而移位的结果储存回累加器且数据存储器中的内容不变。 ACC.i ← [m].(i+1) ; (i=0~6) ACC.7 ← C C ← [m].0 C Subtract Data Memory from ACC with Carry 将累加器中的数据与指定数据存储器内容和进位标志位的 反相减,把结果储存回累加器。如果结果为负,C 标志位 清除为 0,反之结果为正或 0,C 标志位设置为 1。 ACC ← ACC – [m] – C OV, Z, AC, C Rev. 1.00 221 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 LSBCM A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 LSDZ [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 LSDZA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 LSET [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 LSET [m].i 指令说明 功能表示 影响标志位 Subtract Data Memory from ACC with Carry and result in Data Memory 将累加器中的数据与指定数据存储器内容和进位标志位的 反相减,把结果储存回数据存储器。如果结果为负, C 标志位清除为 0,反之结果为正或 0,C 标志位设置为 1。 [m] ← ACC – [m] – C OV, Z, AC, C Skip if Decrement Data Memory is 0 将指定数据存储器的内容先减去 1 后,如果结果为 0, 则程序计数器再加 1 跳过下一条指令,由于取得下一指令 时会要求插入一个空指令周期,所以此指令为 2 个周期的 指令。如果结果不为 0,则程序继续执行下面的指令。 [m] ← [m] – 1 Skip if [m]=0 无 Skip if decrement Data Memory is zero with result in ACC 将指定数据存储器的内容先减去 1 后,如果结果为 0, 则程序计数器再加 1 跳过下一条指令,此结果会被储存回 累加器且指定数据存储器中的内容不变,由于取得下一指 令时会要求插入一个空指令周期,所以此指令为 2 个周期 的指令。如果结果不为 0,则程序继续执行下面的指令。 ACC ← [m] – 1 Skip if ACC=0 无 Set Data Memory 将指定数据存储器的每一个位置位为 1。 [m] ← FFH 无 Set bit of Data Memory 将指定数据存储器的第 i 位置位为 1。 [m].i ← 1 无 Rev.1.00 222 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 LSIZ [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 LSIZA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Skip if increment Data Memory is 0 将指定数据存储器的内容先加上 1 后,如果结果为 0, 则程序计数器再加 1 跳过下一条指令,由于取得下一指令 时会要求插入一个空指令周期,所以此指令为 2 个周期的 指令。如果结果不为 0,则程序继续执行下面的指令。 [m] ← [m] + 1 Skip if [m]=0 无 Skip if increment Data Memory is zero with result in ACC 将指定数据存储器的内容先加上 1 后,如果结果为 0, 则程序计数器再加 1 跳过下一条指令,此结果会被储存回 累加器且指定数据存储器中的内容不变,由于取得下一指 令时会要求插入一个空指令周期,所以此指令为 2 个周期 的指令。如果结果不为 0,则程序继续执行下面的指令。 ACC ← [m] + 1 Skip if ACC=0 无 LSNZ [m].i 指令说明 功能表示 影响标志位 Skip if bit i of Data Memory is not 0 如果指定数据存储器的第 i 位不为 0,则程序计数器再加 1 跳过下一条指令,由于取得下一指令时会要求插入一个空 指令周期,所以此指令为 2 个周期的指令。如果结果不为 0, 程序继续执行下面的指令。 Skip if [m].i ≠ 0 无 LSUB A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 LSUBM A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Subtract Data Memory from ACC 将累加器中内容减去指定数据存储器的数据,把结果储存 回累加器。如果结果为负,C 标志位清除为 0, 反之结果为正或 0,C 标志位设置为 1。 ACC ← ACC – [m] OV, Z, AC, C Subtract Data Memory from ACC with result in Data Memory 将累加器中内容减去指定数据存储器的数据, 把结果储存回数据存储器。如果结果为负, C 标志位清除为 0,反之结果为正或 0,C 标志位设置为 1。 [m] ← ACC – [m] OV, Z, AC, C Rev. 1.00 223 2013-03-20 LSWAP [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 LSWAPA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 LSZ [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 LSZA [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 LSZ [m].i 指令说明 功能表示 影响标志位 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Swap nibbles of Data Memory 将指定数据存储器的低 4 位与高 4 位互相交换。 [m].3~[m].0 ↔ [m].7~[m].4 无 Swap nibbles of Data Memory with result in ACC 将指定数据存储器的低 4 位与高 4 位互相交换, 然后把结果储存回累加器且数据存储器的内容不变。 ACC.3~ACC.0 ← [m].7~[m].4 ACC.7~ACC.4 ← [m].3~[m].0 无 Skip if Data Memory is 0 如果指定数据存储器的内容为 0,则程序计数器再加 1 跳 过下一条指令,由于取得下一指令时会要求插入一个空指 令周期,所以此指令为 2 个周期的指令。如果结果不为 0, 程序继续执行下面的指令。 Skip if [m]=0 无 Skip if Data Memory is 0 with data movement to ACC 将指定数据存储器的内容复制到累加器,如果值为 0, 则程序计数器再加 1 跳过下一条指令,由于取得下一指令 时会要求插入一个空指令周期,所以此指令为 2 个周期的 指令。如果结果不为 0,程序继续执行下面的指令。 ACC ← [m] Skip if [m]=0 无 Skip if bit i of Data Memory is 0 如果指定数据存储器第 i 位为 0,则程序计数器再加 1 跳过 下一条指令,由于取得下一指令时会要求插入一个空指令 周期,所以此指令为 2 个周期的指令。如果结果不为 0, 程序继续执行下面的指令。 Skip if [m].i=0 无 Rev.1.00 224 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 LTABRD [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Move the ROM code to TBLH and data memory 将表格指针 TBLP 所指的程序代码低字节(当前页) 移至指定数据存储器且将高字节移至 TBLH。 [m] ← 程序代码 ( 低字节 ) TBLH ← 程序代码 ( 高字节 ) 无 LTABRDL [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Read table ( last page ) to TBLH and Data Memory 将表格指针 TBLP 所指的程序代码低字节 ( 最后一页 ) 移至指定数据存储器且将高字节移至 TBLH。 [m] ← 程序代码 ( 低字节 ) TBLH ← 程序代码 ( 高字节 ) 无 LITABRD [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Increment table pointer low byte first and read table to TBLH and data memory 将自加表格指针 TBHP 和 TBLP 所指的程序代码低字节移 至指定的数据存储器且将高字节移至 TBLH。 [m] ← 程序代码 ( 低字节 ) TBLH ← 程序代码 ( 高字节 ) 无 LITABRDL [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Increment table pointer low byte first and read table(last page) to TBLH and data memory 将自加表格指针 TBLP 所指的程序代码低字节(最后一页) 移至指定的数据存储器且将高字节移至 TBLH。 [m] ← 程序代码 ( 低字节 ) TBLH ← 程序代码 ( 高字节 ) 无 LXOR A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Logical XOR Data Memory to ACC 将存在累加器和指定数据存储器中的数据作 XOR 的运算, 然后把结果储存回累加器。 ACC ← ACC“XOR”[m] Z LXORM A, [m] 指令说明 功能表示 影响标志位 Logical XOR ACC to Data Memory 将存在指定数据存储器和累加器中的数据作 XOR 的运算, 然后把结果储存回数据存储器。 [m] ← ACC“XOR”[m] Z Rev. 1.00 225 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 封装信息 请注意,这里提供的封装信息仅作为参考。由于这个信息经常更新,提醒用户 咨询 Holtek 网站以获取最新版本的封装信息。 封裝信息的相关内容如下所示,点击可链接至 Holtek 网站相关信息页面。 ● 封装信息(包括外形尺寸、包装带和卷轴规格) ● 封装材料信息 ● 纸箱信息 ● 无铅产品 ● Green 封装产品 Rev.1.00 226 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 48-pin LQFP (7mm×7mm) 外形尺寸 C D 36 25 37 24 F AB E 48 13 符号 A B C D E F G H I J K α 符号 A B C D E F G H I J K α Rev. 1.00 最小 0.350 0.272 0.350 0.272 — — 0.053 — — 0.018 0.004 0° 最小 8.90 6.90 8.90 6.90 — — 1.35 — — 0.45 0.10 0° 1 12 尺寸 ( 单位:inch) 正常 — — — — 0.020 0.008 — — 0.004 — — — 尺寸 ( 单位:mm) 正常 — — — — 0.50 0.20 — — 0.10 — — — 227 H G I K = J 最大 0.358 0.280 0.358 0.280 — — 0.057 0.063 — 0.030 0.008 7° 最大 9.10 7.10 9.10 7.10 — — 1.45 1.60 — 0.75 0.20 7° 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 64-pin LQFP (7mm×7mm) 外形尺寸 C D 48 49 33 32 F H G I 符号 A B C D E F G H I J K α 符号 A B C D E F G H I J K α Rev.1.00 A B E 64 17 1 最小 0.350 0.272 0.350 0.272 — 0.005 0.053 — 0.002 0.018 0.004 0° 最小 8.90 6.90 8.90 6.90 — 0.13 1.35 — 0.05 0.45 0.09 0° 16 尺寸 ( 单位:inch) 一般 — — — — 0.016 — — — — — — — 尺寸 ( 单位:mm) 一般 — — — — 0.40 — — — — — — — 228 K = J 最大 0.358 0.280 0.358 0.280 — 0.009 0.057 0.063 0.006 0.030 0.008 7° 最大 9.10 7.10 9.10 7.10 — 0.23 1.45 1.60 0.15 0.75 0.20 7° 2013-03-20 HT66F60A/HT66F70A 内置 EEPROM 增强 A/D 型 8 位 FLASH 单片机 Copyright© 2013 by HOLTEK SEMICONDUCTOR INC. 使用指南中所出现的信息在出版当时相信是正确的,然而盛群对于说明书的使用不负任何责任。文 中提到的应用目的仅仅是用来做说明,盛群不保证或表示这些没有进一步修改的应用将是适当的, 也不推荐它的产品使用在会由于故障或其它原因可能会对人身造成危害的地方。盛群产品不授权使 用于救生、维生从机或系统中做为关键从机。盛群拥有不事先通知而修改产品的权利,对于最新的 信息,请参考我们的网址 http://www.holtek.com.tw. Rev. 1.00 229 2013-03-20

Top_arrow
回到顶部
EEWORLD下载中心所有资源均来自网友分享,如有侵权,请发送举报邮件到客服邮箱bbs_service@eeworld.com.cn 或通过站内短信息或QQ:273568022联系管理员 高进,我们会尽快处理。