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TSMC.25um工艺库的使用

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  • 日期: 2015-05-02
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标签: TSMC250nm

TSMC.25um工艺库的使用

“TSMC .25um CMOS 工艺库”的使用 此工艺库是从TSMC提供的商用0.25um CMOS工艺库改写而成的(删掉了一些器件的模型)。共提供了PMOS、NMOS、PNP、RES三种类型的元器件模型。针对最主要的元器件MOS,还提供了存在工艺偏差情况下(Vt取不同值)的三种不同模型(TT、SS、FF),TT代表典型情况下的MOS管模型,SS和FF代表了最坏情况下的MOS管模型(晶体管速度最快和晶体管速度最慢两种极端情况),可以用来仿真存在工艺偏差时对电路性能的影响。 1. 调用库格式:为了调用工艺库,请在网表文件中包含以下语句: .lib 'mix025_1.l' TT (仿真工艺最坏情况,“TT”应改为“SS”和“FF”) .lib 'mix025_1.l' RES .lib 'mix025_1.l' TT_BIP 2. PMOS管:模型名为“pch”,L的取值范围为0.24u~21u,W的取值范围为0.30u~101u。 MP D G S B pch W=5u L=1u M=1 3. NMOS管:模型名为“nch”,L的取值范围为0.24u~21u,W的取值范围为0.30u~101u;注意NMOS管的衬底只能接gnd: MN D G S 0 nch W=5u L=1u M=1 4. pnp管:其集电极为p型衬底,只能接gnd,共提供三种模型,以表示发射-基极结面积不同时PNP管的差别:10umX10um、5umX5um、2X2um: QP 0 B E pnp10 (pnp10可换为pnp5、pnp2) 5. 电阻:共提供五种不同的电阻类型的子电路模型:p注入多晶电阻(子电路模型名:rppo1rpo,方块电阻值:160,温度系数:7.64e-4);p注入Silicide多晶电阻(子电路模型名:rppo1w,方块电阻值:5.0,温度系数:3.04E-03);n注入多晶电阻(子电路模型名:rnpo1rpo,方块电阻值:180,温度系数:-6.2e-4);n注入Silicide多晶电阻(子电路模型名:rnpo1w,方块电阻值:5.0,温度系数:3.15E-03);n阱电阻(子电路模型名:rnwsti,方块电阻值:1100,温度系数:3.60E-03): XRES node1 node2 子电路模型名 l=10u w=2u (为了保证电阻精度,L、W的最小取值为2u) 6.电容:没有提供电容模型,请使用MOS管作电容: MCAPN C- C+ C- 0 nch W=10u L=10u M=2 MCAPP C+ C- C+ C+ pch W=10u L=10u M=2
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