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手机基带电路原理

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手机基带电路原理

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MKT平台功能模块架构图 外部存储器 照相模块 显示模块 1 2 3 射频模块 麦克风 10 11 12 受话器 扬声器 4 5 6 7 8 按键 9 SIM卡 子屏LCD USB接口 UART接口 多媒体 卡 FLASH FLASH 一FLASH FLASH电路 FLASH FLASH 一FLASH FLASH电路 FLASH FLASH FLASH FLASH信号作用描述 数据总线:ED0ED15,共16根数据线,用于传输数据 地址总线:EA00EA23,共24根地址线,用于存储单元 寻址 控制总线: ERD:写控制信号 EWR:读控制信号 WATCHODG:复位信号,用于FLASH的软件复位 CEF1CEF2:FLASH存储区域选择信号 ECS1PSRAM:PSRAM片选信号 ELBEUB:PSRAM存取区域选择信号 电源供电信号:VMEM 存储器简单介绍 EEPROM,FLASH等均是非易失性器件,非易失性存储 器最大的特色是在当电源关闭后,原先储存在内的资料, 仍能够持续被保存,且可以被重复抹除修改一电可 擦可写可编程存储器EEPROM electri......

MKT平台功能模块架构图 外部存储器 照相模块 显示模块 1 2 3 射频模块 麦克风 10 11 12 受话器 扬声器 4 5 6 7 8 按键 9 SIM卡 子屏LCD USB接口 UART接口 多媒体 卡 FLASH FLASH 一、FLASH FLASH电路 FLASH FLASH 一、FLASH FLASH电路 FLASH FLASH � FLASH FLASH信号作用描述 � 数据总线:ED0-ED15,共16根数据线,用于传输数据。 � 地址总线:EA00-EA23,共24根地址线,用于存储单元 寻址。 � 控制总线: � /ERD:写控制信号; � /EWR:读控制信号; � /WATCHODG:复位信号,用于FLASH的软件复位; � /CE_F1、/CE_F2:FLASH存储区域选择信号; � /ECS1_PSRAM:PSRAM片选信号; � /ELB、/EUB:PSRAM存取区域选择信号; � 电源供电信号:VMEM。 存储器简单介绍 � EEPROM,FLASH等均是非易失性器件,非易失性存储 器最大的特色是在当电源关闭后,原先储存在内的资料, 仍能够持续被保存,且可以被重复抹除修改(一)、电可 擦可写可编程存储器(EEPROM electrically erasable programmable) � EEPROM是一块存储器,俗称“码片”,二进制代码的形式 存储着手机的资料,它存储的是: 存储器简单介绍 � 1)、手机的机身码; � 2)、检测程序,如:电池电压检测等; � 3)、各种表格,如:自动频率控制表(AFC)、自动功率控制表 (APC),数模转换表(DAC)、自动增益控制表(AGC)等; � 4)、手机的随机资料,可随时存取和更改,如电话号码菜单设定 等。 � 其中,码片中存储的一些系统可调节的参数,对生产厂家来说存 储的是手机调试的各种工作参数及与维修相关的参数如电池门 限,输出功率表话机锁,网络锁写;对于手机用户来说存贮的是 电话号码本,语音记事本及各种保密选项如个人保密码,以及手 机本身(串号)等等。手机在出厂前都要上调校台对手机的各种 工作进行调试,以使手机工作在最佳状态。调试的结果就存在码 片里,所以在不是在很必要的情况下不要去重写码片,以免降低 手机的性能。
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