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3G时代的存储器众生相

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              3G时代的存储器众生相3G时代的存储器众生相  3G带来的人们对移动多媒体功能的需求,让半导体存储器市场获得了持续的活力,在市场头绪没有理清之前,所有的参与者似乎都有机会。  2005年,中国3G网络将商用,这无疑给全球手机制造商提供了一个新的机会,3G手机等新兴应用更是为存储器厂商留下了巨大的想象空间。伴随着手机从2G演变到3G,其对存储器的需求也在不断提升中,存储器子系统在整个手机系统中变得越来越重要,其成本已逐渐超过基带处理器的成本,而存储容量依然在继续攀升中,如图1所示。[pic]图1,在2G、2.5G、2.75G到3G手机的不断发展过程中,手机存储器的容量和出货量都在不断攀升。(资料来源:Micron Market Research)  与存储容量的攀升相适应,手机存储器的架构也发生了巨大的变化。在中低端手机中,多数采用NOR闪存和SRAM分离器件的架构,在此种存储子系统中,NOR闪存主要用来存储代码,SRAM用作数据缓存。对于3G手机,由于3G网络带宽的增加,使手机整合了更多的功能,如MP3、拍照、图像传输与处理等,3G手机对存储器子系统有了更高的要求,如高密度、低成本、小体积等,NAND、PSRAM(伪静态RAM)、LP-SDRAM(低功耗SDRAM)等新型存储器越来越多地被应用于手机中。同时,为了追求低成本、低功耗和小体积,集成了多种不同类型存储器的多芯片封装(MCP:Multi-chipPackaging)器件也将逐渐流行。手机存储器类型见图2。[pic]图2,为了满足3G手机存储子系统大容量、低功耗、小体积等要求,各种新型存储器被越来越多地用于手机中。  闪存:半导体市场的新宠  消费电子市场的火爆使闪存取代了DRAM,成为半导体产业的新宠,3G手机等新兴应用更是闪存市场快速发展的助推剂。在NOR和NAND两种闪存技术……             

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