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模拟电子技术课件

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  • 日期: 2013-09-29
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标签: 模拟电子技术

              模拟电子技术第1章 半导体二极管及其应用电路本章重点内容 z PN结及其单向导电特性 z 半导体二极管的伏安特性曲线 z 二极管在实际中的应用1.1PN结价电子+4+4+41.1.1 本征半导体+4 +4 +4共价键的两 个价电子自由电子+4cb+4 +4a+4空穴(a)硅和锗原子的简化结构模型 (b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生 图 1.1硅、锗原子结构模型及共价键结构示意图 1.1.2 杂质半导体 1.N型半导体 2.P型半导体+4+4+4+4+5+4+4+4+4自由电子 磷原子 电子一空穴对图1.2N型半导体的结构 空穴+4 +4 +4+4+3+4+4+43. PN结的形成P区硼原子+4电子一空穴对图1.3N区P型半导体的结构P区 空间电荷区 N区内电场图1.4 PN结的形成 4. PN结的单向导电特性 (1) PN结的正向导通特性P 空穴 (多数) 电子 (多数) R IR 内电场 外电场 IR≈0 内电场 外电场 变薄 N P 电子 (少数) 空穴 (少数) R 变 厚 N(a) 正向偏置 图1.5 PN结的导电特性 (2) PN结的反向截止特性 1.2 半导体二极管1.2.1 半导体二极管的结构及其在电路中的符号(b)反向偏置 外壳(阳极) P N(阴极) - +VD(阴极) -阳极引线阴极引线(a) 结构(b)电路符号(c)实物外形图1.6 二极管结构、符号及外形1.2.2 半导体二极管的伏安特性iv/m A 1 5 I -U(BR)锗 B′硅B30 C′R1 A 00 ′CA 0.2 0……             

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$(function(){ var appid = $(".select li a").data("channel"); $(".select li a").click(function(){ var appid = $(this).data("channel"); $('.select dt').html($(this).html()); $('#channel').val(appid); }) })