datasheet
超过460,000+ 应用技术资源下载
pdf

MOSFET开关损耗分析

  • 1星
  • 日期: 2018-09-12
  • 大小: 1.12MB
  • 所需积分:1分
  • 下载次数:1
  • favicon收藏
  • rep举报
  • 分享
  • free评论
标签: MOSFET开关

为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题,通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖,定位了MOSFET 开关损耗的来源,进而为缓启动电路设计优化,减少MOSFET的开关损耗提供了技术依据。

更多简介内容

评论

下载专区


TI最新应用解决方案

工业电子 汽车电子

$(function(){ var appid = $(".select li a").data("channel"); $(".select li a").click(function(){ var appid = $(this).data("channel"); $('.select dt').html($(this).html()); $('#channel').val(appid); }) })