pdf

LVDS原理与应用简介_20080529094047119

  • 1星
  • 日期: 2018-03-21
  • 大小: 227.81KB
  • 所需积分:1分
  • 下载次数:6
  • favicon收藏
  • rep举报
  • 分享
  • free评论
标签: LVDS简介

LVDS原理与应用简介 详细介绍了LVDS的物理接口,性能,及应用

文档内容节选

LVDS 1 LVDS LVDS LVDS Low Voltage Differential Signaling LVDS LVDS 155Mbps Mbps IEEE 655Mbps 11 LVDS LVDS 1923Mbps 77MHZ PCB ANSITIAEIA644 TTL IN LVDS IN IN R TTL OUT 1 LVDS LVDS IC IC TTL LVDS DS90C031 DS90C032 LVDS TTL 100 100 120 PCB IEEE 12 LVDS LVDS LVDS 12V 400mV 35mA LVDS 100 1 LVDS 350mV 350mV 35mA 120 420mV LVDS PECL 100 120 35mA 100 2 LVDS PECL 0 LVDS 1 0 85 1 55V 0 1 TTL LVDS 2 5V 18V PC CPU PIII800EB 18V FPGA 13 IN IN IN IN IN OUT OUT IN IN IN IN q IN q ......

LVDS 1 LVDS LVDS LVDS Low Voltage Differential Signaling LVDS LVDS 155Mbps Mbps IEEE 655Mbps 1.1 LVDS LVDS 1.923Mbps 77MHZ PCB ANSI/TIA/EIA-644 TTL IN LVDS IN+ IN- R TTL OUT 1 LVDS LVDS IC IC TTL LVDS DS90C031 DS90C032 LVDS TTL 100 100 120 PCB IEEE 1.2 LVDS LVDS LVDS 1.2V 400mV 3.5mA LVDS 100 1 LVDS 350mV = 350mV 3.5mA * 120 = 420mV LVDS PECL 100 120 3.5mA * 100 2 LVDS PECL 0 LVDS 1 0 85 1 55V 0 1 TTL LVDS 2 5V 1.8V PC CPU PIII800EB 1.8V FPGA 1.3 IN = IN+ - IN- IN+ - IN- = OUT OUT = IN IN = IN+ - IN- q (IN+ + q ) - (IN- + q ) = IN+ - IN- = OUT OUT = IN 2 LVDS LVDS 1V +1.2V 0V +2.4V LVDS +0.2V +2.2V DS RS485,RS422 2 LVDS LVDS 2.1 PCB (A PCB B TTL LVDS TTL LVDS LVDS LVDS PCB C D E F G A B 2.2 LVDS TTL LVDS TTL LVDS LVDS microstrip stripline GND signal /BOTTOM signal / TOP GND 3 LVDS 2.3 2.4 A B 50 2.5 2.6 A C A B C D E F GND signal GND 90 45 2% 90 130 LVDS TTL LVDS TTL 4 0.5m 10m 10m ,CAT LVDS B 0.5m 3(Categiory 3) CAT 5 2.7 LVDS / 3 3.1 PCB TTL LVDS / + - TTL GND GND CLK + - + - 5
更多简介内容

推荐帖子

磁珠的作用极其工作原理
兼容、噪音、干扰等问题,是电子行业极其产品所不可避免的问题,在PCB样板中,解决这类问题,主要是使用磁珠。磁珠专用于抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰,还具有吸收静电脉冲的能力,有很高的电阻率和磁导率,等效于电阻和电感串联。 比如,RF能量是叠加在直流传输电平上的交流正弦波成分,直流成分是有用信号,而射频RF能量却是无用的电磁干扰,它会沿着线路传输和辐射。磁珠的功能,便是消
造物工场PCB 综合技术交流
TI - HEV/EV电池管理系统中的标准放大器功能
         混合动力电动汽车(HEV)和电动汽车(EV)之所以备受欢迎,是因为它们具有低(零)排放和低维护要求,同时提供了更高的效率和驱动性能。新的HEV/EV公司方兴未艾,而且现有的汽车制造商正大举投资HEV/EV市场,以争夺市场份额。   HEV/EV动力总成的核心在于系统。该系统从电网获取电力,将其存储在电池中(静止时),并从电池获取能量以转动电机并移动车辆。该系统主要包括四个子系统
Aguilera 【模拟与混合信号】
单片机总线概述,单片机的三总线结构
一、总线概述 计算机系统是以微处理器为核心的,各器件要与微处理器相连,且必须协调工作,所以在微处理机中引入了总线的概念,各器件共同享用总线,任何时候只能有一个器件发送数据(可以有多个器件同时接收数据) 。 计算机的总线分为控制总线、地址总线和数据总线等三种。而数据总线用于传送数据,控制总线用于传送控制信号, 地址总线则用于选择存储单元或外设。 二、单片机的三总线结构 51系
Aguilera 【微控制器 MCU】
有奖问答 | 富士通铁电随机存储器 FRAM 知多少
传统的存储技术相比,FRAM在对需要非易失性、高速读写、低功耗、高读写耐久这些综合性能的应用领域表现出众、口碑良好。FRAM的特点是速度快,能够像RAM一样操作,读写功耗极低,不存在如EEPROM的最大写入次数的问题,是一种高可靠性的存储器,目前在仪器仪表、汽车电子、医疗电子、工业控制等领域有广泛应用。   我要答题>>>   活动时间:即日起 - 2020 年 6
zqy1111 综合技术交流
 on-policy,其进程和上述战略梯度相同实战解析
本文主要是收拾战略迭代的部分,重在阐明原理。李宏毅的视频,见网上。 终究阐明OpenAI的默认强化学习算法PPO的部分。(Proximal Policy Optimization) 蓝色标记为有待查阅具体代码。不同于强化学习的值迭代的简单了解和表达,战略迭代更需要耐性、仔细、考虑。 ​ 优化方针 战略 𝜋 是能够用,带着练习参数𝜃的神经网络表明。战略𝜋网络,输
it先森 【无线连接】
为什么电流和磁传感器对TWS(真无线耳机)的设计至关重要?
      TWS(True Wireless Stereo,真无线耳机)正在耳机市场中快速崛起。现在,用户在使用流媒体设备时不必再为耳机线的缠绕问题而困扰了。真无线耳机是基于Bluetooth?的无线耳机,其左右通道被分离成独立又相互配对的两个个体。尽管这种创新设计使用户不再需要用线连接手机或其它设备,但这给耳机制造商带来了一系列新的设计挑战。   为了最大限度地延长电池寿命和电池运行时间,耳
Aguilera 【模拟与混合信号】

评论

登录/注册

意见反馈

求资源

回顶部

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版 版权声明

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
$(function(){ var appid = $(".select li a").data("channel"); $(".select li a").click(function(){ var appid = $(this).data("channel"); $('.select dt').html($(this).html()); $('#channel').val(appid); }) })