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在CMOS射频集成电路设计中对稳定性的分析

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标签: 射频集成电路设计中对稳定性的分析

              在CMOS射频集成电路设计中对稳定性的分析第7卷 第4期 2002 年 12 月文章编号:1007-0249 (2002) 04-0009-04电路与系统学报 JOURNAL OF CIRCUITS AND SYSTEMSVol.7 No.4 December, 2002在 CMOS 射频集成电路设计中对稳定性的分析郭为, 黄达诠*(浙江大学 信息与电子工程学系,浙江 杭州 310027)摘要:本文详细分析了用于射频集成电路设计的 M O S 场效应管(MOSFET )的稳定特性。利用米勒(Miller)效 应和 y 参数两种方法对 MOSFET 的稳定特性做了定性和定量的理论分析,并给出了理论分析和实际仿真的对比结果, 从中可看出理论分析和仿真结果完全相符。最后,本文以一个工作于 2.4GHz, 0.5 μ m 工艺的低噪声放大器(LNA ) 设计为例,给出了在具体电路设计中,提高整个电路稳定性的方法。 关键词:稳定性;米勒效应;y 参数;MOSFET ;低噪声放大器 中图分类号:TN722.3 文献标识码:A1概述在射频集成电路 ( RFIC) 的设计中, 稳定性是一个关键性指标。 尤其对放大器 (低噪声放大器 ( LNA) 和功率放大器(PA) )而言,稳定性是其工作的首要前提。若不能满足稳定性指标,则整个放大电路 将振荡。但就笔者目前所知,尚未有文献对稳定性,尤其是 MOS 场效应管( MOSFET )的稳定性进 行全面的理论分析。 本文的目标是在对 MOS 场效应管的稳定性进行充分理论分析的前提下,对整个电路的稳定性能 有一个既定性又定量的理解,从而在电路设计上做到有的放矢,采取有效的措施提高稳定性。2理论分析和仿真结果在下面的分析中将首先提出在本文中所采用的 MOS 场效应管的分析模型,然后采用米勒效应和 y 参数两种方法分析了 MOS 场效应管的稳定……             

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