pdf

AO4407_PFN规格书

  • 1星
  • 日期: 2018-07-31
  • 大小: 2.36MB
  • 所需积分:1分
  • 下载次数:0
  • favicon收藏
  • rep举报
  • 分享
  • free评论
标签: AO4407

AO4407.PFN规格书,感兴趣的小伙伴们可以瞧一瞧。

文档内容节选

SMD Type MOSFET PChannel MOSFET AO4407 SOP8 Features VDS V 30V ID 12 A VGS 20V RDSON 13m VGS 20V RDSON 14m VGS 10V RDSON 30m VGS 5V D D S S G G 4 0 2 0 0 0 1 2 0 150 015 1 Source 2 Source 3 Source 4 Gate 5 Drain 6 Drain 7 Drain 8 Drain Absolute Maximum Ratings Ta 25 Parameter Symbol Rating Unit DrainSource Voltage GateSource Voltage Continuous Drain Current Pulsed Drain Current Avalanche Current Power Dissipation Avalanche energy Thermal Resista......

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET AO4407 SOP-8 ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-12 A (VGS =-20V) ● RDS(ON) < 13mΩ (VGS =-20V) ● RDS(ON) < 14mΩ (VGS =-10V) ● RDS(ON) < 30mΩ (VGS =-5V) D D S S G G 4 0 . 2 0 0 - . 0 + 1 2 . 0 1.50 0.15 1 Source 2 Source 3 Source 4 Gate 5 Drain 6 Drain 7 Drain 8 Drain ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current Pulsed Drain Current Avalanche Current Power Dissipation Avalanche energy Thermal Resistance.Junction- to-Ambient Thermal Resistance.Junction- to-Case Junction Temperature Junction Storage Temperature Range TA=25°C TA=70°C TA=25°C TA=70°C L=0.3mH t ≤ 10s Steady-State Steady-State VDS VGS ID IDM IAS,IAR PD EAS,EAR RthJA RthJC TJ Tstg -30 ±25 -12 -10 -60 26 3.1 2 101 40 75 24 150 -55 to 150 V A W mJ ℃/W ℃ www.pfnsemi.com 1 SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET AO4407 ■ Electrical Characteristics Ta = 25℃ Parameter Drain-Source Breakdown Voltage Zero Gate Voltage Drain Current Gate-Body leakage current Gate Threshold Voltage Symbol VDSS IDSS IGSS VGS(th) Static Drain-Source On-Resistance RDS(On) On state drain current Forward Transconductance Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Gate resistance Total Gate Charge Gate Source Charge Gate Drain Charge Turn-On DelayTime Turn-On Rise Time Turn-Off DelayTime Turn-Off Fall Time Body Diode Reverse Recovery Time Body Diode Reverse Recovery Charge Maximum Body-Diode Continuous Current Diode Forward Voltage ID(ON) gFS Ciss Coss Crss Rg Qg Qgs Qgd td(on) tr td(off) tf trr Qrr IS VSD ■ Marking Marking 4407 KC**** Test Conditions ID=-250μA, VGS=0V VDS=-30V, VGS=0V VDS=-30V, VGS=0V, TJ=55℃ VDS=0V, VGS=±25V VDS=VGS ID=-250μA VGS=-20V, ID=-12A VGS=-10V, ID=-12A VGS=-10V, ID=-12A TJ=125℃ VGS=-5V, ID=-7A VGS=-10V, VDS=-5V VDS=-5V, ID=-10.5A VGS=0V, VDS=-15V, f=1MHz VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz VGS=-10V, VDS=-15V, ID=-12A Min -30 -1.7 -60 1.2 24 VGS=-10V, VDS=-15V, RL=1.25Ω,RG=3Ω IF=-12A, dI/dt=100A/μs IS=-1A,VGS=0V Typ Max -1 -5 ±100 -2.8 13 14 19 30 3.6 36 27 2060 2600 370 295 2.4 30 4.6 10 11 9.4 24 12 30 22 40 -4 -1 Unit V μA nA V mΩ A S pF Ω nC ns nC A V 2 www.pfnsemi.com SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET AO4407 ■ Typical Characterisitics ) ) A A ( ( D D I I - - 80 80 60 60 40 40 20 20 0 0 0 0 -10V -10V -6V -6V -5V -5V -4.5V -4.5V -4V -4V VGS=-3.5V VGS=-3.5V 1 1 2 2 3 3 4 4 5 5 Fig 1: On-Region Characteristics (Note E) Fig 1: On-Region Characteristics (Note E) -VDS (Volts) -VDS (Volts) VGS=-5V VGS=-5V VGS=-10V VGS=-10V 80 80 60 60 ) ) A A ( ( D D I I - - 40 40 20 20 0 0 1 1 e e c c n n a a t t s s i i s s e e R R - - n n O O d d e e z z i i l l a a m m r r o o N N 1.6 1.6 1.4 1.4 1.2 1.2 1 1 0.8 0.8 VDS=-5V VDS=-5V 125°C 125°C 25°C 25°C 2 2 3 3 4 4 5 5 6 6 Figure 2: Transfer Characteristics (Note E) Figure 2: Transfer Characteristics (Note E) VGS(Volts) VGS(Volts) VGS=-10V VGS=-10V ID=-12A ID=-12A VGS=-5V VGS=-5V ID=-7A ID=-7A ) ) ΩΩΩΩ ΩΩΩΩ m m ( ( ) ) ( ( N N O O S S D D R R ) ΩΩΩΩ m ( ) ( N O S D R 30 30 25 25 20 20 15 15 10 10 5 5 0 0 30 25 20 15 10 5 0 0 5 5 15 15 20 20 0 0 25 25 50 50 Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate 10 10 -ID (A) -ID (A) Voltage (Note E) Voltage (Note E) 100 100 125 75 75 125 Temperature (°C) Temperature (°C) 150 150 175 175 Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature (Note E) (Note E) ID=-12A 125°C 1.0E+01 1.0E+00 40 1.0E-01 ) A ( S I 1.0E-02 125°C 1.0E-03 1.0E-04 1.0E-05 25°C 2 4 6 8 10 0.0 0.2 Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage -VGS (Volts) (Note E) 25°C 0.8 1.0 1.2 0.6 0.4 -VSD (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E) www.pfnsemi.com 3 SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET AO4407 ■ Typical Characterisitics VDS=-15V VDS=-15V ID=-12A ID=-12A ) ) s s t t l l o o V V ( ( S S G G V V - - 10 10 8 8 6 6 4 4 2 2 0 0 0 0 5 5 10 10 15 15 Qg (nC) Qg (nC) 20 20 25 25 30 30 Figure 7: Gate-Charge Characteristics Figure 7: Gate-Charge Characteristics 1000.0 1000.0 100.0 100.0 10.0 10.0 RDS(ON) RDS(ON) limited limited 10µs 10µs 100µs 100µs 1ms 1ms 10ms 10ms 10s 10s DC DC TJ(Max)=150°C TJ(Max)=150°C TA=25°C TA=25°C 3000 3000 2500 2500 2000 2000 1500 1500 1000 1000 500 500 ) ) F F p p ( ( e e c c n n a a t t i i c c a a p p a a C C 0 0 0 0 10000 10000 1000 1000 ) ) W W ( ( r r e e w w o o P P 100 100 10 10 Ciss Ciss Coss Coss Crss Crss 5 5 10 10 25 25 Figure 8: Capacitance Characteristics Figure 8: Capacitance Characteristics -VDS (Volts) -VDS (Volts) 15 15 20 20 30 30 TA=25°C TA=25°C 1 1 0.00001 0.00001 0.001 0.001 0.1 0.1 10 10 1000 1000 Figure 11: Single Pulse Power Rating Junction-to- Figure 11: Single Pulse Power Rating Junction-to- Pulse Width (s) Pulse Width (s) Ambient (Note F) Ambient (Note F) ) ) s s p p m m A A ( ( D D I I t n e i s n a r T d e z i l a m r o N A J θθθθ Z e c n a t s i s e R l a m r e h T 1.0 1.0 0.1 0.1 0.0 0.0 10 1 0.1 0.01 0.001 0.01 0.01 0.1 0.1 1 1 VDS (Volts) VDS (Volts) 10 10 100 100 Figure 10: Maximum Forward Biased Safe Figure 10: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note F) Operating Area (Note F) . D=Ton/T TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA RθJA=75°C/W In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse Single Pulse PD Ton T 10 1 100 1000 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 Pulse Width (s) Figure 12: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F) 4 www.pfnsemi.com
更多简介内容

推荐帖子

TMS320C6000流水线概述
  对于微处理器来说,每隔一周期即可进入1条新指令,这样在同一时间内,就有多条指令交替地在不同部件内处理,这种工作方式称为“流水线”(pipeline)工作方式。即取指、译指、执行同时进行。   short pa[10] = {0}, pb[10] = {0}; void main() {        int i = 0,sum = 0;          for(i=0; i<
火辣西米秀 【DSP 与 ARM 处理器】
单片机中,6种常见的报警程序
常见的报警方式有6种 (1)指示灯或数码管显示出数据,以提醒操作人员注意。 (2)采用声、光及语音进行报警。其中,光效果通常取自发光二极管LED或其他光源器件;声效果可取自电铃、电笛、蜂鸣器、或音乐(语音)芯片等。 (3)合成语音报警。采用这种方式进行报警时,单片机应用系统将对语音信号进行采集、处理、合成和识别,使报警系统的功能更加完善,报警信息更加具体、生动、准确,直至给出报警
Aguilera 【微控制器 MCU】
C2000 MCU Boot过程分析-以TMS320F28069为例
每一款MCU从上电复位到代码运行到main函数这之间的一段过程就是MCU的boot,其实不只是MCU,其他任何类型的processor都有这样的一个过程,这里以TI C2000 F28069为例,分析其Boot过程,以帮助对处理器的底层原理有一个比较清楚的了解。 芯片复位之后,首先会跳到一个固定的中断向量,成为RESET,其地址是0x3F FFC0,RESET指向存在于boot ROM里的I
fish001 【微控制器 MCU】
怎么根据时序图来编写对应的程序过程
  刚刚拿到一个芯片,常用的芯片可以参考网上的例程来做深入了解,对于一个不常用的芯片来说,Datasheet几乎是使用芯片的唯一的资料,所以根据Datasheet时序图写出对应的驱动程序就尤为重要。 本文根据一个简单的例子来阐述根据时序图来编写对应的程序过程。旨在讲解对于初学者应该怎么利用芯片的时序图编写符合要求的底层驱动程序(老鸟请跳过)。 好了,直接开始。 首先首先首先
fish001 【微控制器 MCU】
如何将PWM信号转换为模拟量信号
一 引言 有一个测量位置变化的位置传感器,我用万用表电压档测量传感器的输出信号,结果显示的是模拟量信号,即位置和信号输出大小呈线性关系。但是,我用示波器(Picoscope 4227)测量传感器的输出信号,显示的却是PWM信号(脉宽调制),即位置不同,输出PWM信号的占空比不同。 PWM信号的参数是:200 Hz, 低电平为0V,高电平为18V。 现在可以确定,我的传感器输出信号
火辣西米秀 【微控制器 MCU】
众说纷纭的 C 语言回调函数到底是什么鬼?这里有最好的解答!
众说纷纭的 C 语言回调函数到底是什么鬼?这里有最好的解答! 1. 什么是回调函数? 回调函数,光听名字就比普通函数要高大上一些,那到底什么是回调函数呢?恕我读得书少,没有在那本书上看到关于回调函数的定义。我在百度上搜了一下,发现众说纷纭,有很大一部分都是使用类似这么一个场景来说明:A君去B君店里买东西,恰好缺货,A君留下号码给B君,有货时通知A君。感觉这个让人更容易想到的是异步操
嵌入式人生呀 【ARM技术】

评论

登录/注册

意见反馈

求资源

回顶部

datasheet推荐 换一换

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版 版权声明

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
$(function(){ var appid = $(".select li a").data("channel"); $(".select li a").click(function(){ var appid = $(this).data("channel"); $('.select dt').html($(this).html()); $('#channel').val(appid); }) })