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场效应管工作原理

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标签: 场效应管工作原理

              场效应管工作原理简介场效应管工作原理(2)1.什么叫场效应管? Fffect Transistor 的缩写,即为场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的 载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为 双极型晶体管,而 FET 仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极 型晶体管。FET 应用范围很广,但不能说现在普及的双极 型晶体管都可以用 FET 替代。然而,由于 FET 的特性与双极型晶体管的特性完全 不同,能构成技术性能非常好的电路。 2. 场效应管的特征:(a) JFET 的概念图 (b) JFET 的符号 图1 JFET 的概念图、符号图 1(b)门极的箭头指向为 p 指向 n 方向,分别表示内向为 n 沟道 JFET,外向为 p 沟道 JFET。 图 1(a)表示 n 沟道 JFET 的特性例。以此图为基础看看 JFET 的电气特性 的特点。 首先,门极-源极间电压以 0V时考虑(VGS =0)。在此状态下漏极-源极间电压 VDS 从 0V增加,漏电流ID几乎与VDS 成比例增加,将此区域称为非饱和区。VDS 达到某值以上漏电流ID 的变化变小,几乎达到一定值。此时的ID 称为饱和漏电 流(有时也称漏电流用IDSS 表示。与此IDSS 对应的VDS 称为夹断电压VP ,此 区域称为饱和区。 其次在漏极-源极间加一定的电压VDS (例如 0.8V),VGS 值从 0 开始向负方 向增加,ID 的值从IDSS 开始慢慢地减少,对某VGS 值ID =0。将此时的VGS 称 为门极-源极间遮断电压或者截止电压,用VGS (off)示。n沟道JFET的情况则VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的JFET对应ID =0 的VGS 因为很困难,在放大器 使用的小信号JFET时,将达到ID =0.1-10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况……             

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