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一种低压低功耗共源共栅带隙基准电压源的实现

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  • 日期: 2013-09-19
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标签: 功耗带隙电压源实现

提出了一种低压低功耗的带隙基准电压源电路,设计基于0.5μm 2P3M BiCMOS Process,并使用了低压共源共栅电流镜结构减少了对电源电压的依赖,消除了精度与余度之间的矛盾,并用HL50S-S3.1S.lib库文件用 HSPICE 进行了仿真,其电源抑制比PSRR 大约为-78.9dB。关键词: 带隙基准,PTAT,低压共源共栅电流镜, BiCMOS芯片系统集成( system on chip ) 技术已经受到学术界及工业界广泛关注. 随着电路系统结构的进一步复杂化, 对模拟电路基本模块,如A/D 、D/A 转换器, 滤波器电路以及锁相环等电路提出了更高精度及速度的要求. 由于带隙基准电压、电流源电路的输出电压及电流几乎不受温度和电源电压变化的影响,这就使得片内集成的带隙基准电压、电流源电路成了模拟集成电路芯片中不可缺少的关键部件。本文对基准源采用了温度一级补偿的方法。所谓温度一级补偿就是在温度区域内选取一点,使得基准源的输出在该点对温度的导数为零。只要这一点的位子合适,就能获得较小的温度系数。并使用了与绝对温度成正比(PTAT: proportional to absolute temperature)的电流来产生基准电压。带隙调节电路在本质上是双级的,为了降低成本,能与CMOS工艺兼容,我们使用了0.5μm的BICMOS工艺。

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