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TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引导

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  • 日期: 2013-09-29
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标签: TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引导

              TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引导              TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引导               作 者:中国兵器工业部第58所 唐冰    摘 要:介绍在TMS320C5410环境下对Am29LV200B    Flash存储器进行程序烧写,并且实现了TMS320C5410上电后用户程序并行自举引导    。关键词:Am29LV200B Flash DSP 并行自举引导 自举表  Flash是一种可在线进行电擦写,掉电后信息不丢失的存储器。它具有低功耗、大容量、擦写速度快等特点,并且内部嵌入算法完成对芯片的操作,因而在数字信号处理系统中得到了广泛的应用。本文通过一个完整的实例,介绍Am29LV200BFlash存储器的烧写方法,实现TMS320C5410(以下简称C5410)上电后用户程序的并行自举引导。1 Am29LV200B Flash存储器1.1 Flash存储器简介  Am29LV200B是AMD公司生产的Flash存储器,其主要特点有:3V单电源供电,可使内部产生高电压进行编程和擦除操作;支持JEDEC单电源Flash存储器标准;只需向其命令寄存器写入标准的微处理器指令,具体编程、擦除操作由内部嵌入的算法实现,并且可以通过查询特定的引脚或数据线监控操作是否完成;可以对任一扇区进行读、写或擦除操作,而不影响其它部分的数据。本文中128K×16位Am29LV200BFlash映射为C5410的片外数据存储空间,地址为:0x8000~0xFFFF,数据总线16位,用于16位方式的并行引导装载。128K的FlashROM用32K地址分四页进行访问,上电加载程序时使用Flash ROM的第3页。1.2 Flash存储器的操作命令  向Flash存储器的特定寄存器写……             

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