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Ultra-Low Voltage Nano-Scale Memories

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标签: 超低电压

超低电压

存储器

存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。其概念很广,有很多层次,在数字系统中,只要能保存二进制数据的都可以是存储器;在集成电路中,一个没有实物形式的具有存储功能的电路也叫存储器,如RAM、FIFO等;在系统中,具有实物形式的存储设备也叫存储器,如内存条、TF卡等。计算机中全部信息,包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。

Ultra-Low  Voltage  Nano-Scale  Memories

作者:Kiyoo  Itoh,Masashi  Horiguchi,Hitoshi  Tanaka 

Ultra-Low  Voltage  Nano-Scale  Memories  provides  an  in-depth  discussion  of  the  state-of-the-art  nanometer  and  sub-1-V  memory  LSIs  that  are  playing  decisive  roles  in  power  conscious  systems.  Emerging  problems  between  the  device,  circuit,  and  system  levels  are  systematically  covered  in  terms  of  reliable  high-speed  operations  of  memory  cells  and  peripheral  logic  circuits.  The  effectiveness  of  solutions  at  device  and  circuit  levels  is  also  described  at  length  through  clarifying  noise  components  in  an  array,  and  even  essential  differences  in  ultra-low  voltage  operations  between  DRAMs  and  SRAMs.  Moreover,  various  kinds  of  on-chip  voltage  converters  necessary  to  solve  problems  with  internal  power-supply  managements  are  extensively  discussed.  This  authoritative  monograph  addresses  these  design  challenges  for  memory  and  circuit  engineers  as  well  as  for  researchers  and  students  who  are  interested  in  ultra-low  voltage  nano-scale  memory  LSIs

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