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An Analysis of Flicker Noise Rejection in Low-Powerand Low-Voltage CMOS Mixers

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标签: 噪声抑制

噪声抑制

CMOS混频器

噪声抑制

flickernoise

噪声抑制

The  sensitivity  of  RF  CMOS  receivers  using  a  directconversion  or  a  low-IF  architecture  is  strongly  affected  by  flickernoise.  This  paper  gives  theoretical  guidelines  to  predict  the  flickernoise  in  Gilbert-cell  mixers.  The  conversion  gain,  the  equivalentinput  and  output  noise,  and  the  effect  of  the  pole  at  the  single  in-ternal  RF  node  are  discussed.  For  the  first  time,  results  which  arevalid  in  all  modes  of  operation  are  given.  Such  complete  results  arerequired  for  some  ultra  low-power  and  low-voltage  applications,since  the  transistors  might  be  operated  in  moderate  or  even  weakinversion  region.  The  theoretical  gains  are  found  to  remain  within  a2-dB  margin  with  respect  to  the  measurements  of  a  UHF  downcon-verter  built  in  a  0.5μm  process,  for  a  large  range  of  bias  conditionsand  local  oscillator  swing.

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