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电源管理芯片中热关断电路的设计

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标签: 电源管理芯片

电源管理芯片

热关断

热关断

迟滞

迟滞

BiCMOS工艺

BiCMOS工艺

负温度特性

负温度特性

为了防止芯片过热,  文章提出了两种温度检测技术:  利用PTAT  电流的正温度特性或利用PN  结的负温度特性。在此基础上,  设计出一种低功耗、具有迟滞功能的热关断电路:  电路结构非常紧凑,  采用1.5μm  的P  衬N阱数模混合1P2M  BiCMOS  工艺。Hspice  仿真结果表明:  当温度超过150℃时,  电路输出发生翻转,  禁止芯片工作;当温度降至115℃时,  恢复芯片工作。该电路的最大工作电流不超过150μA,  能很好地抑制由于电源电压和工艺参数变化造成的热关断阈值点的漂移,  适用于各种电源管理芯片。

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评论

lufan321
谢谢!!!!!
2020-12-18 17:54:13
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