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带隙基准源
设计了一种适用于P 阱CMO S 工艺的高精度带隙基准源及过温保护电路。基准源信号输出由两路电流相加实现: 一路是正比于双极晶体管的发射极2基极电压的电流(IVB E ) , 另一路是基准源内产生的正比于绝对温度的电流(I PTAT ) ; 同时, 利用这两路电流的不同温度特性, 通过直接电流比较的方法, 简单地实现了高精度的过温保护电路。
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