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A gm/ID based methodology for the design of CMOS analog circuits...

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标签: CMOS

CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor(互补金属氧化物半导体)的缩写。它是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片。是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片。因为可读写的特性,所以在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据,这个芯片仅仅是用来存放数据的。另外,CMOS同时可指互补式金氧半元件及制程。因此时至今日,虽然因为工艺原因,都叫做CMOS,但是CMOS在三个应用领域,呈现出迥然不同的外观特征:一是用于计算机信息保存,CMOS作为可擦写芯片使用,在这个领域,用户通常不会关心CMOS的硬件问题,而只关心写在CMOS上的信息,也就是BIOS的设置问题,其中提到最多的就是系统故障时拿掉主板上的电池,进行CMOS放电操作,从而还原BIOS设置。二是在数字影像领域,CMOS作为一种低成本的感光元件技术被发展出来,市面上常见的数码产品,其感光元件主要就是CCD或者CMOS,尤其是低端摄像头产品,而通常高端摄像头都是CCD感光元件。三是在更加专业的集成电路设计与制造领域。

OTA

OTA

模拟电路

函数的取值为无限多个;当图像信息和声音信息改变时,信号的波形也改变,即模拟信号待传播的信息包含在它的波形之中(信息变化规律直接反映在模拟信号的幅度、频率和相位的变化上)。初级模拟电路主要解决两个大的方面:1放大、2信号源。模拟信号具有连续性。

标题

A  gm/ID  based  methodology  for  the  design  of  CMOS  analog  circuits  and  its  application  to  the  synthesis  of  a  silicon-on-insulator  micropower  OTA

摘要

A  new  design  methodology  based  on  a  unified  treatment  of  all  the  regions  of  operation  of  the  MOS  transistor  is  proposed.  It  is  intended  for  the  design  of  CMOS  analog  circuits  and  especially  suited  for  low  power  circuits  where  the  moderate  inversion  region  often  is  used  because  it  provides  a  good  compromise  between  speed  and  power  consumption.  The  synthesis  procedure  is  based  on  the  relation  between  the  ratio  of  the  transconductance  over  dc  drain  current  g  m  /  I  D  and  the  normalized  current  Io  /(  W/L).  The  gm  /ID  indeed  is  a  universal  characteristic  of  all  the  transistors  belonging  to  a  same  process.  It  may  be  derived  from  experimental  measurements  and  fitted  with  simple  analytical  models.  The  method  was  applied  successfully  to  the  design  of  a  silicon-on-insulator  (SOI)  micropower  operational  transconductance  amplifier  (OTA).

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$(function(){ var appid = $(".select li a").data("channel"); $(".select li a").click(function(){ var appid = $(this).data("channel"); $('.select dt').html($(this).html()); $('#channel').val(appid); }) })