A sub-1V Bandgap Voltage Reference in 32nm FinFET Technology

作者：A.J.  Annema,  P.  Veldhorst,  G.  Doornbos2,  B.  Nauta

摘要：The  bulk  CMOS  technology  is  expected  to  scale  down  to  about  32nm  node  and  likely  the  successor  would  be  the  FinFET.  The  FinFET  is  an  ultra-thin  body  multi-gate  MOS  transistor  with  among  other  characteristics  a  much  higher  voltage  gain  compared  to  a  conventional  bulk  MOS  transistor  [1].  Bandgap  reference  circuits  cannot  be  directly  ported  from  bulk  CMOS  technologies  to  SOI  FinFET  technologies,  because  both  conventional  diodes  cannot  be  realized  in  thin  SOI  layers  and  also,  area-efficient  resistors  are  not  readily  available  in  processes  with  only  metal(lic)  gates.  In  this  paper,  a  sub-1V  bandgap  reference  circuit  is  implemented  in  a  32nm  SOI  FinFET  technology,  with  an  architecture  that  significantly  reduces  the  required  total  resistance  value.

评论

加载更多