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Noise Modeling for RF CMOS Circuit Simulation

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标签: RF

射频(RF)是Radio Frequency的缩写,表示可以辐射到空间的电磁频率,频率范围从300KHz~300GHz之间。射频简称RF射频就是射频电流,它是一种高频交流变化电磁波的简称。每秒变化小于1000次的交流电称为低频电流,大于10000次的称为高频电流,而射频就是这样一种高频电流。

CMOS

CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor(互补金属氧化物半导体)的缩写。它是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片。是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片。因为可读写的特性,所以在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据,这个芯片仅仅是用来存放数据的。另外,CMOS同时可指互补式金氧半元件及制程。因此时至今日,虽然因为工艺原因,都叫做CMOS,但是CMOS在三个应用领域,呈现出迥然不同的外观特征:一是用于计算机信息保存,CMOS作为可擦写芯片使用,在这个领域,用户通常不会关心CMOS的硬件问题,而只关心写在CMOS上的信息,也就是BIOS的设置问题,其中提到最多的就是系统故障时拿掉主板上的电池,进行CMOS放电操作,从而还原BIOS设置。二是在数字影像领域,CMOS作为一种低成本的感光元件技术被发展出来,市面上常见的数码产品,其感光元件主要就是CCD或者CMOS,尤其是低端摄像头产品,而通常高端摄像头都是CCD感光元件。三是在更加专业的集成电路设计与制造领域。

噪声

噪声

作者:Andries  J.  Scholten,  Luuk  F.  Tiemeijer,  Ronald  van  Langevelde,  Ramon  J.  Havens,  Adrie  T.  A.  Zegers-van  Duijnhoven,  and  Vincent  C.  Venezia

摘要:The  RF  noise  in  0.18-  mCMOS  technology  has  been  measured  and  modeled.  In  contrast  to  some  other  groups,  we  find  only  a  moderate  enhancement  of  the  drain  current  noise  for  shortchannel  MOSFETs.  The  gate  current  noise  on  the  other  hand  is  more  significantly  enhanced,  which  is  explained  by  the  effects  of  the  gate  resistance.  The  experimental  results  are  modeled  with  a  nonquasi-static  RF  model,  based  on  channel  segmentation,  which  is  capable  of  predicting  both  drain  and  gate  current  noise  accurately.  Experimental  evidence  is  shown  for  two  additional  noise  mechanisms:  1)  avalanche  noise  associated  with  the  avalanche  current  from  drain  to  bulk  and  2)  shot  noise  in  the  direct-tunneling  gate  leakage  current.  Additionally,  we  show  low-frequency  noise  measurements,  which  strongly  point  toward  an  explanation  of  the  1  noise  based  on  carrier  trapping,  not  only  in  n-channel  MOSFETs,  but  also  in  p-channel  MOSFETs.

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