Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs

《Modeling  and  Characterization  of  RF  and  Microwave  Power  FETs》

作者：Peter  Aaen，Jaime  A.  Plá，John.  Wood

年份：2007

This  2007  book  is  a  comprehensive  exposition  of  FET  modeling,  and  is  a  must-have  resource  for  seasoned  professionals  and  new  graduates  in  the  RF  and  microwave  power  amplifier  design  and  modeling  community.  In  it,  you  will  find  descriptions  of  characterization  and  measurement  techniques,  analysis  methods,  and  the  simulator  implementation,  model  verification  and  validation  procedures  that  are  needed  to  produce  a  transistor  model  that  can  be  used  with  confidence  by  the  circuit  designer.  Written  by  semiconductor  industry  professionals  with  many  years\'  device  modeling  experience  in  LDMOS  and  III-V  technologies,  this  was  the  first  book  to  address  the  modeling  requirements  specific  to  high-power  RF  transistors.  A  technology-independent  approach  is  described,  addressing  thermal  effects,  scaling  issues,  nonlinear  modeling,  and  in-package  matching  networks.  These  are  illustrated  using  the  current  market-leading  high-power  RF  technology,  LDMOS,  as  well  as  with  III-V  power  devices.

评论

加载更多