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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs

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标签: Power-FETs

Power-FETs

射频

射频(RF)是Radio Frequency的缩写,表示可以辐射到空间的电磁频率,频率范围从300KHz~300GHz之间。射频简称RF射频就是射频电流,它是一种高频交流变化电磁波的简称。每秒变化小于1000次的交流电称为低频电流,大于10000次的称为高频电流,而射频就是这样一种高频电流。高频(大于10K);射频(300K-300G)是高频的较高频段;微波频段(300M-300G)又是射频的较高频段。

RF

射频(RF)是Radio Frequency的缩写,表示可以辐射到空间的电磁频率,频率范围从300KHz~300GHz之间。射频简称RF射频就是射频电流,它是一种高频交流变化电磁波的简称。每秒变化小于1000次的交流电称为低频电流,大于10000次的称为高频电流,而射频就是这样一种高频电流。

微波

微波是指频率为300MHz~300GHz的电磁波,是无线电波中一个有限频带的简称,即波长在1毫米~1米之间的电磁波,是分米波、厘米波、毫米波的统称。微波是指频率为300MHz~300GHz的电磁波,是无线电波中一个有限频带的简称,即波长在1毫米~1米之间的电磁波,是分米波、厘米波、毫米波的统称。微波频率比一般的无线电波频率高,通常也称为“超高频电磁波”。

《Modeling  and  Characterization  of  RF  and  Microwave  Power  FETs》

作者:Peter  Aaen,Jaime  A.  Plá,John.  Wood

年份:2007

This  2007  book  is  a  comprehensive  exposition  of  FET  modeling,  and  is  a  must-have  resource  for  seasoned  professionals  and  new  graduates  in  the  RF  and  microwave  power  amplifier  design  and  modeling  community.  In  it,  you  will  find  descriptions  of  characterization  and  measurement  techniques,  analysis  methods,  and  the  simulator  implementation,  model  verification  and  validation  procedures  that  are  needed  to  produce  a  transistor  model  that  can  be  used  with  confidence  by  the  circuit  designer.  Written  by  semiconductor  industry  professionals  with  many  years\'  device  modeling  experience  in  LDMOS  and  III-V  technologies,  this  was  the  first  book  to  address  the  modeling  requirements  specific  to  high-power  RF  transistors.  A  technology-independent  approach  is  described,  addressing  thermal  effects,  scaling  issues,  nonlinear  modeling,  and  in-package  matching  networks.  These  are  illustrated  using  the  current  market-leading  high-power  RF  technology,  LDMOS,  as  well  as  with  III-V  power  devices.

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