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Design of A 1-V Low Power CMOS Bandgap Reference Based on Resistive Subdivision

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标签: 带隙基准

带隙基准

Bandgap-Reference

带隙基准

The  design  of  a  CMOS  bandgap  reference  (BGR),  for  portable  applications  with  medium  accuracy,  is  described  and  the  measurement  results  of  the  fabricated  chips  are  presented.  The  output  voltage  of  the  reference  is  set  by  resistive  subdivision.  In  order  to  achieve  small  area  and  low  power  consumption,  n-well  resistors  are  used.  This  design  features  a  reference  voltage  of  0.750  V  with  1σ  variation  of  10  mV  (1.3%)  without  trimming  with  a  supply  voltage  range  from  1  V  to  1.6  V  and  temperature  range  of  -20°C-50°C  measured  from  10  samples.  The  maximum  supply  current  is  4.5  μA  and  the  area  of  the  design  is  ∼0.13  mm²  with  a  standard  0.35  μm  double-poly  n-well  CMOS  process.

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