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一种具有温度补偿、高电源抑制比的带隙基准源

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  • 日期： 2020-12-28
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标签： 温度补偿

以玻璃电极为指示电极，饱和甘汞电极为参比电极，插入溶液中组成原电池。当氢离子浓度发生变化时，玻璃电极和甘汞电极之间的电动势也随着变化，在25℃时，每单位pH标度相当于59.1mV电动势变化值，在仪器上直接以pH的读数显示。

高电源抑制比

高电源抑制比

带隙基准源

带隙基准源

介绍了一种用于集成电路内部的带隙基准源,采用了3.3  V,0.35  μm,N阱,CMOS工艺.  通  过Spectres和HSpice的仿真,它具有6×10-6  K-1的温度系数和2.2  mV/V的电  源抑制比.

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$(function(){ var appid = $(".select li a").data("channel"); $(".select li a").click(function(){ var appid = $(this).data("channel"); $('.select dt').html($(this).html()); $('#channel').val(appid); }) })