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CMOS 带隙基准源的设计(论文)

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标签: CMOS工艺

CMOS工艺

带隙基准源

带隙基准源

基准电压源(Voltage  reference)是当代模拟集成电路以及数模混合电路极为重要的组成部分,它对高新模拟电子技术的应用与发展具有重要作用。在许多集成电路中,如数/模转换器线性稳压器和开关稳压器等,都需要稳定的电压基准。在精密测量仪器仪表和广泛应用的数字通信系统中都经常把集成基准电压源作为系统测量和校准的基准。

基准电压有基于正向VBE的基准电压、基于齐纳二极管反向击穿特性的基准电压,以及带隙基准电压等,其中,带隙基准电压由于具有低温度系数、高电源抑制比、低电压、低功率以及长期稳定性等优点,因而得到了广泛的应用。

本次课程设计的目标是设计一个基于  0.18um/1.8V  CMOS  工艺符合特定性能指标的带隙基准电压源,

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