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高电源抑制比带隙基准电压源的设计

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标签: 带隙基准源

带隙基准源

电源抑制比

电源抑制比

低温度系数

电源抑制比

提出一种采用0.25μm  CMOS工艺的低功耗,高电源抑制比,低温度系数的带隙基准电压源(BGR)设计.设计中,采用了共源共栅电流镜结构,运放的输出作为驱动的同时也作为自身电流源的驱动,并且实现了与绝对温度成正比(PTAT)温度补偿.使用Hspice对其进行仿真,在中芯国际标准0.25μm  CMOS工艺下,当温度变化范围在-25~125℃和电源电压变化范围为4.5~5.5  V时,输出基准电压具有9.3×10-6V/℃的温度特性,Vref摆动小于0.12  mV,在低频时具有85  dB以上的电源电压抑制比(PSRR),整个电路消耗电源电流仅为20μA.

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$(function(){ var appid = $(".select li a").data("channel"); $(".select li a").click(function(){ var appid = $(this).data("channel"); $('.select dt').html($(this).html()); $('#channel').val(appid); }) })