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衬底偏置
衬底偏置
基准电压源
基准电压源
设计了一款工作在低电源电压且与绝对温度成正比(PTAT)的基准电路;采用衬底偏置技术,电阻分压作为PMOS放大器的输入和用工作在亚阈值区的NMOS管代替衬底PNP管三种方法,使得该电路可以在低电源电压下工作,且工作电流较小.该电路采用CSMC 0.6μm2P2 M工艺,电源电压为1.2 V,温度为0-100℃时,输出电压的温度系数为0.912 mV/K,电源电流为6.8μA;当电源电压在1.1-2.0 V变化时,室温下的输出电压是461.4±0.4 mV.
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