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嵌入式系统中的辐射效应

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标签: 嵌入式

嵌入式

本书由法国TIMA实验室的RaoulVelazco、法国波尔多第壹大学的PascalFouillat和巴西南里奥格兰德联邦大学的RicardoReis共同编著,从环境、效应、测试、评价、加固和预计等方面全面详细介绍了嵌入式系统中的辐射效应,主要内容包括空间辐射环境、微电子器件中的辐射效应、电子器件的在轨飞行异常、多层级故障效应评估、基于脉冲激光的单粒子效应测试和分析技术、电路的加固方法及自动化工具、辐射效应试验测试设备以及数字架构的错误率预计方法等。本书内容全面、丰富且针对性强,覆盖了电子器件及系统辐射效应的方方面面。区别于其他电子系统辐射效应论著,本书从工程化的角度论述空间辐射效应评估、地面模拟、软错误率预计等技术以及国际上目前先进的研究方法论,同时兼具基础性和理论性。本书适合专业从事电子器件及系统辐射效应研究的科研人员和工程化应用的技术人员阅读和借鉴;同时,也可为该领域的“新人”(如研究生)提供必备的基础知识。

译者序

原书前言

第1章 空间辐射环境1

1.1 空间辐射效应1

1.1.1 空间辐射环境:范艾伦带、太阳耀斑、太阳风和宇宙射线1

1.1.2 剂量效应:产生原因、对电子器件的影响、辐射强度4

1.1.3 位移效应:产生原因、对电子器件的效应、辐射强度5

1.1.4 重离子效应:产生原因、对电子器件的效应、辐射强度5

1.1.5 质子效应:产生原因(直接或间接)、对电子器件的效应、辐射强度6

1.2 其他效应7

1.2.1 原子氧:来源和效应7

1.2.2 太阳紫外线:来源和效应7

1.2.3 微流星体:来源和效应8

1.2.4 轨道碎片:来源和效应8

参考文献9

第2章 微电子器件的辐射效应10

2.1 引言10

2.1.1 长期效应10

2.1.2 瞬态效应11

2.2 MOS器件12

2.2.1 阈值电压漂移12

2.2.2 退化效应14

2.2.3 亚阈斜率15

2.2.4 MOSFET的泄漏电流15

2.3 双极型器件17

2.3.1 简介17

2.3.2 电流成分17

2.3.3 射-基间耗尽区的复合效应18

2.3.4 中立基区的复合效应18

2.3.5 电流增益19

2.4 单粒子效应20

2.4.1 引言20

2.4.2 仿真方法21

2.4.3 器件级效应22

第3章 电子器件的飞行异常26

第4章 多层级故障效应评估61

第5章 模拟和混合信号电路的辐射效应79

第6章 单粒子翻转的脉冲激光测试技术基础106

第7章 ASIC电路的设计加固方法125

第8章 可编程电路的错误容差140

第9章 用于加固设计的自动化工具158

第10章 SEE和总剂量试验测试设备177

第11章 数字架构的错误率预计:测试方法学和工具204

第12章 基于SEEM  软件的激光SET测试和分析226

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