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碳化硅宽带隙半导体技术 (郝跃)

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标签: 半导体

半导体

本书介绍了碳化硅宽带隙半导体的基本性质,晶体及薄膜生长技术,器件工艺以及在高温、高频、大功率器件等领域的应用,同时也对金刚石以及CaN基Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体作了简单介绍。

《微电子学丛书》序

前言

目录

第一章  SiC半导体材料及其性质

第二章  SiC单晶体的生长

第三章  SiC薄膜的生长及其机理

第四章  品质因数与宽带隙半导体的应用

第五章  SiC器件工艺

第六章  GaN基Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽带隙半导体

附录  碳化硅的主要数据

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