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开关电源EMI整改经验总结

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    标    签:开关电源EMI

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    EMI整改经验总结

    一. 1MHZ 以内,以差模干扰为主。(整改建议)

    1. 增大X 电容量;

    2. 添加差模电感;

    3. 小功率电源可采用 PI 型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可

    选用较大些)。

    二 . 1MHZ-5MHZ,差模共模混合,采用输入端并联一系列 X 电容来滤除差摸干

    扰并分析出是哪种干扰超标并以解决,(整改建议)

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    开关电源 EMI 整改经验总结 整理:柏自飞 一. 1MHZ 以内,以差模干扰为主。(整改建议) 1. 增大 X 电容量; 2. 添加差模电感; 3. 小功率电源可采用 PI 型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可 选用较大些)。 二 . 1MHZ-5MHZ,差模共模混合,采用输入端并联一系列 X 电容来滤除差摸干 扰并分析出是哪种干扰超标并以解决,(整改建议) 1. 对于差模干扰超标可调整 X 电容量,添加差模电感器,调差模电感量; 2. 对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制; 3. 也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如 FR107 一对普通整 流二极管 1N4007。 三 . 5M 以上,以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法(整改建议) 1. 对于外壳接地的,在地线上用一个磁环串绕 2-3 圈会对 10MHZ 以上干 扰有较大的衰减作用; 可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环. 处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。 四 . 20-30MHZ,(整改建议) 1. 对于一类产品可以采用调整对地 Y2 电容量或改变 Y2 电容位置; 2. 调整一二次侧间的 Y1 电容位置及参数值; 3. 在变压器外面包铜箔;变压器最里层加屏蔽层;调整变压器的各绕 组的排布。 4. 改变 PCB LAYOUT; 5. 输出线前面接一个双线并绕的小共模电感; 6. 在输出整流管两端并联 RC 滤波器且调整合理的参数; 7. 在变压器与 MOSFET 之间加 BEAD CORE; 8. 在变压器的输入电压脚加一个小电容。 9. 可以用增大 MOS 驱动电阻. 五. 30-50MHZ,普遍是 MOS 管高速开通关断引起。(整改建议) 1. 可以用增大 MOS 驱动电阻; 2. RCD 缓冲电路采用 1N4007 慢管; 3. VCC 供电电压用 1N4007 慢管来解决; 4. 或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感; 5. 在 MOSFET 的 D-S 脚并联一个小吸收电路; 6. 在变压器与 MOSFET 之间加 BEAD CORE; 7. 在变压器的输入电压脚加一个小电容; 8. PCB 心 LAYOUT 时大电解电容,变压器,MOS 构成的电路环尽可能的 小; 9. 变压器,输出二极管,输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。 10. 50-100MHZ,普遍是输出整流管反向恢复电流引起。 11. 可以在整流管上串磁珠; 12. 调整输出整流管的吸收电路参数; 13. 可改变一二次侧跨接 Y 电容支路的阻抗,如 PIN 脚处加 BEAD CORE 或串接适当的电阻; 14. 也可改变 MOSFET,输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡 MOSFET; 铁夹卡 DIODE,改变散热器的接地点); 15. 增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射。 200MHZ 以上,开关电源已基本辐射量很小,一般均可过 EMI 标准。 补充说明: 开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的,以上未加缀述。开关电源是高 频产品,PCB 的元器件布局对 EMI 有直接关系,MOS 漏极铜箔走线环路尽可 能短粗,开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响,主开关 管、主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,对 EMC 有一定的影响, 以上请密切注意!

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