镁光闪存规格书，详细介绍了MT29F256G08EBHAF闪存芯片的技术规格
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Micron Confidential and Proprietary Advance TLC 256Gb1Tb NAND Features NAND Flash Memory FortisFlash MT29F256G08EBHAF MT29F512G08EEHAF MT29F1T08EMHAF Data strobe DQS signals provide a hardware meth od for synchronizing data DQ in the NVDDR2NV DDR3 interface Copyback operations supported within the plane from which data is read Ondie Termination ODT 5 Quality and reliability6 Testing methodology JESD47 Data retention See qualification report May vary for targeted application Endurance 15......
文档解析
Micron的TLC 256Gb-1Tb NAND Flash存储器系列，包括MT29F256G08EBHAF、MT29F512G08EEHAF和MT29F1T08EMHAF型号，提供高性能、大容量的存储解决方案。这些设备遵循ONFI 4.0和JEDEC JESD230C标准，支持TLC技术，具备8位数据宽度，页大小为18,592字节，块大小为2304页。它们还支持NV-DDR3和NV-DDR2接口，提供高达667 MT/s和533 MT/s的读写吞吐量。这些NAND Flash设备在电压、数据随机化、操作命令集、数据保护等方面都有严格的规范，以确保数据的完整性和可靠性。此外，它们还支持多种操作模式，包括SLC模式和TLC模式，以及多种读取和编程操作，如快照读取、软信息读取和两遍编程。Micron的这些NAND Flash设备适用于需要高耐久性和高数据保持能力的应用，如企业级服务器和高端消费电子产品。
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