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氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)晶体管之间的差异

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标签: 氮化镓

氮化镓

氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)晶体管之间的差异

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本文探讨了化合物半导体在现代电子设备中的应用,特别是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)晶体管。这些宽禁带(WBG)器件因其高电子迁移率、高带隙能量、高击穿电压和耐高温特性,正在逐渐取代传统的硅器件。GaN和SiC晶体管在高压、高功率应用中表现出色,具有更快的开关速度和更低的导通电阻,从而提升能效。文章还比较了GaN和SiC晶体管的特性,指出GaN的开关速度更快,而SiC的工作电压更高。这些器件在汽车电气系统中尤其有用,如车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电机驱动器和激光雷达(LiDAR),为汽车电气设计提供了更灵活和高效的解决方案。

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