肖特基二极管原理和常用参数和检测方法

                        肖特基二极管原理和常用参数和检测方法肖特基二极管原理肖特基势垒二极管  SBD（Schottky  Barrier  Diode，简称肖特基二极管）是近  年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小  到几纳秒），正向导通压降仅  0.4V  左右，而整流电流却可达到几千安培。这些  优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用  封装形式。  基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N  型硅片）的接触面上，形成肖  特基势垒来阻挡反向电压。肖特基与  PN  结的整流作用原理有根本性的差异。其  耐压程度只有  40V  左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。  因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。  肖特基二极管（Schottky  Barrier  Diode)是具有肖特基特性的“金属半导体结”  的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、  钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为  N  型半导体。这种器件是由多  数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的  PN  结大得多。  由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，  所以其频响仅为  RC  时间常数  限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达  100GHz。并且，  MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二  极管。  肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。  它的主  要特点是具有较低的正向压降（0.3V  至  0.6V）；另外它是多子参与导电，这就  比少子器件有更快的反应速度。  肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极  的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度  肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A  为正极，以  N  型半导体  B  为负极，  利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导……