半导体物理与器件（第四版）尼曼

目录：

绪论  半导体和集成电路

历史

集成电路（IC）

制造

参考文献

第一部分  半导体材料属性

第1章  固体晶格结构

1．0  概述

1．1  半导体材料

1．2  固体类型

1．3  空间晶格

1．4  金刚石结构

1．5  原子价键

*1．6  固体中的缺陷和杂质

*1．7  半导体材料的生长

1．8  小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第2章  量子力学初步

2．0  概述

2．1  量子力学的基本原理

2．2  薛定谔波动方程

2．3  薛定谔波动方程的应用

2．4  原子波动理论的延伸

2．5  小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第3章  固体量子理论初步

3．0  概述

3．1  允带与禁带

3．2  固体中电的传导

3．3  三维扩展

3．4  状态密度函数

3．5  统计力学

3．6  小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第4章  平衡半导体

4．0  概述

4．1  半导体中的载流子

4．2  掺杂原子与能级

4．3  非本征半导体

4．4  施主和受主的统计学分布

4．5  电中性状态

4．6  费米能级的位置

4．7  小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第5章  载流子输运现象

5．0  概述

5．1  载流子的漂移运动

5．2  载流子扩散

5．3  杂质梯度分布

*5．4  霍尔效应

5．5  小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第6章  半导体中的非平衡过剩载流子

6．0  概述

6．1  载流子的产生与复合

6．2  过剩载流子的性质

6．3  双极输运

6．4  准费米能级

*6．5  过剩载流子的寿命

*6．6  表面效应

6．7  小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第二部分  半导体器件基础

第7章  pn结

7．0  概述

7．1  pn结的基本结构

7．2  零偏

7．3  反偏

7．4  结击穿

*7．5  非均匀掺杂pn结

7．6  小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第8章  pn结二极管

8．0  概述

8．1  pn结电流

8．2  产生复合电流和大注入

8．3  pn结的小信号模型

*8．4  电荷存储与二极管瞬态

*8．5  隧道二极管

8．6  小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第9章  金属半导体和半导体异质结

9．0  概述

9．1  肖特基势垒二极管

9．2  金属半导体的欧姆接触

9．3  异质结

9．4  小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第10章  金属氧化物半导体场效应晶体管基础

10．0  概述

10．1  双端MOS结构

10．2  电容电压特性

10．3  MOSFET基本工作原理

10．4  频率限制特性

*10．5  CMOS技术

10．6  小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第11章  金属氧化物半导体场效应晶体管：  概念的深入

11．0  概述

11．1  非理想效应

11．2  MOSFET按比例缩小理论

11．3  阈值电压的修正

11．4  附加电学特性

*11．5  辐射和热电子效应

11．6  小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第12章  双极晶体管

12．0  概述

12．1  双极晶体管的工作原理

12．2  少子的分布

12．3  低频共基极电流增益

12．4  非理想效应

12．5  等效电路模型

12．6  频率上限

12．7  大信号开关

*12．8  其他的双极晶体管结构

12．9  小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第13章  结型场效应晶体管

13．0  概述

13．1  JFET概念

13．2  器件的特性

*13．3  非理想因素

*13．4  等效电路和频率限制

*13．5  高电子迁移率晶体管

13．6  小结

重要术语解释

知识点

复习题