功率器件的I-V

吉时利微电子半导体行业方案提供了低功耗直流测试系统功率器件的I-V/C-V特性测试方案。直流I-V测试是微电子器件特性分析的基础，而交流C-V测试则用于评估材料、工艺、器件和电路的质量和可靠性。该方案要求测试设备具备低测试分辨率、宽功率范围、四象限操作能力和快速测试速度等特性。C-V测量通常在电容两端施加直流偏压，并利用交流信号进行测量，频率范围在10KHz到10MHz之间。 方案特点包括： - 内置丰富的元器件库，可根据测试要求选择待测件类型。 - 测试和计算过程自动化，节省时间，同时显示数据和曲线。 - 精准稳定的探针台，针座分辨率高达0.7um，显微镜放大倍数最高可达195倍。 - 支持同时操作两台吉时利源表，完成三端口器件测试。 测试功能涵盖： - 二极管特性测量与分析。 - 双极型晶体管BJT特性测量与分析。 - MOSFET场效应晶体管特性测量与分析。 - MOS器件的高频和准静态C-V特性测试。 - MOS器件参数提取。 MOS电容的准静态C-V特性测试方案系统结构主要由两台源表、四寸探针台和上位机软件组成，适用于低频率C-V特性测试。测试中，一台源表输出恒定电流并测量电压，另一台源表测量电流值，通过公式计算电容值，适用于0.1至1V/s电压斜率下测量100至400pF电容值。 MOS电容的高频C-V特性测试方案系统结构包括源测量单元、LCR表、探针台和上位机软件。LCR表支持30MHz以内的测量频率范围，源测量单元或电源提供可调直流电压偏置。LCR表通过锁相环路同步测量电压和电流，精确得到幅度和相位信息，推算出交流阻抗参数。