器件的模型一直是模拟/射频集成电路工程师关心的问题。是否能建立一个尽可能反映器件行为的模型关系到整个集成电路设计的成败。本书内容丰富，从主流模型的讨论到小尺寸器件模型和量子效应的介绍，从模型参数的提取方法到模型在硬件描述语言中的应用等方面都作了详细的论述。本书对设计工程师和器件工程师都有很好的参考价值。
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
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