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2N3583 pdf datasheet

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标签: 2N3583

2N3583

datasheet

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DEs  criptION:  DEs  criptION:These  power  transistors  are  produced  by  PPC's  DOUBLEDIFFUSED  PLANAR  process.    This  technology  produces  highvoltage  devices  with  excellent  switching  speeds,  frequencyresponse,  gain  linearity,  saturation  voltages,  high  current  gain,and  safe  operating  areas.    They  are  intended  for  use  inCommercial,  Industrial,  and  Military  power  switching,  amplifier,and  regulator  applications.Ultrasonically  bonded  leads  and  controlled  die  mounttechniques  are  utilized  to  further  increase  the  SOA  capabilityand  inherent  reliability  of  these  devices.    The  temperaturerange  to  200°  °C  permits  reliable  operation  in  high  ambients,  andthe  hermetically  sealed  package  insures  maximum  reliabilityand  long  life.

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