热搜关键词: 电路基础ADC数字信号处理封装库PLC

pdf

一种新型超宽带CMOS低噪声放大器设计

  • 1星
  • 2013-09-20
  • 188.01KB
  • 需要1积分
  • 1次下载
标签: 一种新型超宽带CMOS低噪声放大器设计

一种新型超宽带CMOS低噪声放大器设计

结合电阻并联反馈,利用PCSNIM  流程设计了一个用于超宽带(UWB)系统的宽带LNA电路。电阻并联反馈降低了输入电路的Q  值,使窄带LNA  带宽增加,而对NF  的影响很小。用TSMC  0.18μm  CMOS  工艺进行仿真,结果表明,LNA在3.1~5.1GHz  带宽范围内NF小于2.9dB,输入匹配优于-10.5dB,功率增益为12.9dB,带内波动仅为1dB。在1.8V  电源电压下,核心电路功耗为7.5mW。关键词:低噪声放大器;电阻并联反馈;超宽带Abstract:  A  wideband  low  noise  amplifier  (LNA)  topology  for  ultra-wideband  (UWB)  system  is  proposed  by  combining  PCSNIM  design  flow  with  a  resistive  shunt-feedback.  The  resistiveshunt-feedback  provides  wideband  input  matching  with  small  noise  figure  (NF)  degradation  by  reducing  the  Q-factor  of  the  narrowband  LNA  input.  Results  from  the  simulation  using  TSMC’s  0.18μm  CMOS  technology  show  a  maximum  NF  of  2.9dB,  better  than  -10.5dB  of  inputmatching  and  a  power  gain  of  12.9dB  with  only  1dB  variations  over  the  entire  band  from  3.1  GHz  to  5.1  GHz.  The  core  LNA  consumes  7.5mW  with  a  1.8V  supply.Key  words:  low  noise  amplifier;  resistive  shunt-feedback;  ultra-wideband

展开预览

猜您喜欢

评论

登录/注册

意见反馈

求资源

回顶部

推荐内容

热门活动

热门器件

随便看看

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
×