低频低噪声放大器的屏蔽设计

                        低频低噪声放大器的屏蔽设计第  30  卷第  4  期  　　　　　　　　　　　　　　　　　  电  子  工  程  师  　　　　　　　　　  　　　　　　　  Vol.  30  No.  4  　  2004  年  4  月  　ELECTRONIC  ENGINEER  　  Apr.  2004低频低噪声放大器的屏蔽设计尹亚兰1  ,  武  　  斌2(  1.  海军工程大学南京分校  ,  江苏省南京市  211800  ;  2.  海军工程大学  ,  湖北省武汉市  430033)【摘  　  要】  　  在简要介绍噪声及干扰的基础上  ,详细分析了屏蔽的基本原理  ,进而提出一种多层屏  蔽设计方法  。在该测试系统中  ,选用  6  层屏蔽盒  ,屏蔽盒材料由外到内分别是铜和铁  。实验测试表明  ,  该方法抗干扰能力强  ,它为低频低噪声放大器的可靠使用和精确测量提供了保证  。  关键词  :  低频放大器  ,  低噪声放大器  ,  干扰  ,  屏蔽  中图分类号  :  TN722.  30　  引　  言在电磁环境复杂的今天  ,  各种电子设备对接收信  号的灵敏度要求越来越高  ,  尤其是低频系统问题更加  突出  。因此  ,研制低噪声的前级电压放大器是十分必  要的  。另外  ,在实际应用中  ,还必须考虑如何保证放大  器工作的可靠有效和测量的真实精确  。合理的屏蔽结  构设计是解决上述问题的有效手段之一  。屏蔽按电磁场的性质  ,可分为电场屏蔽  (  即屏蔽电  容性干扰)  和磁场屏蔽  (  即屏蔽电感性干扰)  。  2.  1  　  电场屏蔽  电场屏蔽的目的是消除两个电路之间由于分布电  容耦合所产生的电场干扰  。可以利用图  1  所示的等效  电路来分析电场屏蔽的基本原理  。  在图  1  (  a)  中  ,干扰源  A  对地电位为  UA  ,接收器上  电压为  UB  ,空间耦合电容为  CAB  和  CB  G  ,则UB  =  CAB  U  CAB  +  CB  G  A  (  1)1　  噪声和干扰在电子技术中  ,  ……