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本文介绍了一种集成在单个芯片上的可靠性监测器，能够分别监测热载流子注入(HCI)、偏置温度不稳定性(BTI)和时间依赖的介电击穿(TDDB)对电路老化的影响。该监测器利用一对改进的环形振荡器(ROSCs)，代表标准CMOS电路，通过“反驱”概念实现。一个振荡器在应力测试期间驱动两个结构的电压转换，因此受到BTI和HCI的影响，而另一个仅受BTI影响。此外，长期或高电压实验有助于在两个振荡器中进行TDDB测量。通过片上逻辑控制子ps级频率分辨率的短测量，使用拍频检测系统实现，并可通过简单的数字接口自动化实验。在65纳米测试芯片上展示了在一系列应力条件下的测量结果。该技术对于开发准确的可靠性模型、设计健壮电路以及实现实时调整以补偿性能损失或设备故障具有重要意义。
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