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IGBT场效应半导体功率器件导论

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  • 日期: 2014-05-21
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标签: IGBT

  绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。

IGBT场效应半导体功率器件导论这本书以新一代半导体功率器件IGBT为主线,系统地论述了场效应半导体功率器件的基础理论和工艺制作方面的知识,内容包括器件的原理、模型、设计、制作工艺及应用等,重点讨论IGBT,同时对其他器件如VDMOS、CoolMOS等也作了简单介绍。本书着重阐述基础理论,并适当吸收该领域近期的研究各章后附有相关参考文献,书后还附有全书统一使用的符号表。本书可作为高等院校电子科学与技术专业、微电子与固体电子学专业的教学用书,也可供从事物理专业及电子信息专业领域的教师、科研人员、研究生和本科生等参考阅读。

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评论

semitron009
感谢楼主分享
2021-03-30 23:00:26回复
combat
打开时,提示“读取流错误”。能下载,看不了。
2021-03-17 10:51:28回复
电子唐
谢谢分享受用了
2020-01-12 16:00:48回复
feigekuaipao
挺好的扫描版
2019-09-08 22:11:07回复
wgm107
为什么我下载后,提示图像数据不充分呀??
2019-02-20 14:31:21回复
beifangzhen
好书 谢谢分享
2014-06-24 20:07:26回复
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