SUPREM-III进行集成电路离子注入的工艺模拟

随着集成电路工艺的不断发展，工艺模拟软件功能也在不断的改善，但不足之处也不断暴露出来，工艺模拟过程中没有考虑仪器本身影响。所以在工艺模拟中有必要建立一个模型，本文以离子注入工艺为例,研究沟道效应对离子注入工艺的影响,并在计算机上采用SUPREM-III完成离子注入工艺初始条件的编辑以及离子注入工艺模拟，并对模拟结果曲线进行比较。关键词  离子注入;  沟道效应;  工艺模拟Abstract  With  the  rapid  development  in  the  process  of  intenrated  circuits,  thefunction  of  the  process  simulation  software  has  been  improved  constantly,  but  itsshortcoming  appear  sincreasingly.  The  influence  of  equipment  on  the  process  has  notbeen  counted  in.  In  order  to  promote  the  improvement  of  this  situation,  it  isnecessary  to  establish  an  equipment  model  in  process  simulation.  Taking  the  processof  ion  implantation  as  example,  some  elementary  research  on  ion  implantationequipment  model  considering  the  influence  of  the  channeling  effects  on  the  processis  accomplished.  The  edit  of  process  initial  condition  and  ion  implantation  processsimulation  are  done  on  the  computer.  The  simulation  curves  are  also  compared.Key  words:  ion  implantation  ;  channeling  effects  ;  process  simulation