MOSFET 和IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
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应用报告 ZHCA770March 2017Revised SLUP169 April 2002 MOSFET 和和 IGBT 栅栅极极驱驱动动器器电电路路的的基基本本原原理理 Laszlo Balogh 摘摘要要 本应用报告旨在展示一种为高速开关应用设计的高性能栅极驱动电路 应用非常重要这是一个内容详实的主 题集，可为您提供解决最常见设计难题的一站式服务因此，它可为具有不同经验的电子产品工程师提供 强大帮助 本报告对目前较为流行的电路解决方案及其性能进行了分析，包括寄生器件的影响瞬态和极端工作条件 本文从 MOSFET 技术和开关运行概述入手，按照由易而难的顺序，对各类问题进行了阐述详细介绍了接 地参考和高侧栅极驱动电路的设计流程，以及交流耦合和变压器隔离解决方案本报告还包含了一个特殊部 分，专门介绍了在同步整流器应用中 MOSFET 的栅极驱动 应用非常重要有关更多信息，请参阅 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器概述产品页 应用报告中还列举了几个逐步设计示例 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 内内......
文档解析
这份应用报告由德州仪器（Texas Instruments）发布，详细介绍了MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理和设计考虑。报告首先概述了MOSFET技术的发展和在高频高效开关领域的应用，然后深入探讨了MOSFET的工作原理，包括其电荷控制特性和开关速度。报告分析了流行的电路解决方案，如接地参考栅极驱动、同步整流器驱动、高侧非隔离栅极驱动等，并讨论了寄生器件的影响和瞬态工作条件。此外，还提供了设计流程、逐步设计示例和特定应用中的栅极驱动应用，如同步整流器。报告强调了高性能栅极驱动电路设计的重要性，包括开关速度、dv/dt抗扰性、旁路规则等方面，旨在帮助电子工程师解决设计中的常见问题，并提供一站式的解决方案。
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