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KF0001高性能红外传感信号处理芯片.pdf

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标签： 红外传感IC

红外传感IC

高性能红外传感信号处理芯片

文档内容节选

KF0001 描述 KF0001 高性能传感信号处理芯片 特征 KF0001 是一款具有较高性能的传感信号处 理集成电路它配以热释电红外传感器和少量 外接元器件构成被动式的热释电红外开关它 能自动快速开启各类白炽灯荧光灯蜂鸣器 自动门电风扇烘干机以及其他自动装置等， 特别适用于企业宾馆商场库房以及家庭 的过道走廊等敏感区域，或者用于安全区域 的自动灯光照明和报警系统 引脚功能定义 CMOS工艺 数模混合 具有独立的高输入阻抗运算放大器 内部的双向鉴幅器可有效抑制干扰 内设延时时间定时器和封锁时间定时器 采用 16 脚 DIP 封装和 SOP 封装 A 1 16 1OUT VO......

深圳市科发鑫电子有限公司
Ｈ½½½：／／½½½．½½½½½．½½½
KF0001
高性½传感信号处理芯片
描述
KF0001
是一款具有较高性½的传感信号处
理集成电路。
它配以热释电红外传感器和少量
外接元器件构成被动式的热释电红外开关。
它
½自动快速开启各类½½灯、
荧光灯、
蜂鸣器、
自动门、
电风扇、
烘干机以及其他自动装½等，
特别适用于企业、宾馆、商场、库房以及家庭
的过道、走廊等敏感区域，或者用于安全区域
的自动灯光、照明和报警系统。
引脚功½定义
A
1
16
1OUT
VO
2
15
1IN-
KF0001
特征
CMOS工艺
数模混合
具有独立的高输入阻抗运算放大器
内部的双向鉴幅器可有效抑制干扰
内设延时时间定时器和封锁时间定时器
采用
16
脚
DIP
封装和
SOP
封装
A
VO
1
2
3
4
5
6
7
8
SOP16
KF0001
(TOPVIEW)
16
15
14
13
12
11
10
9
1OUT
1IN-
1IN+
2IN
2OUT
VDD
IB
VC
RR1
RC1
3
4
14
13
1IN+
2IN
RR1
RC1
RC2
RR2
VSS
VRF/RESET
RC2
5
12
11
2OUT
VDD
RR2
6
VSS
7
10
IB
VRF/RESET
8
9
DIP16
KF0001
(TOPVIEW)
VC
KF0001
提供
DIP 16
双列直插和
SOP 16
封装½式。
引脚功½描述
编号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
名称
A
VO
RR1
RC1
RC2
RR2
VSS
VRF
VC
IB
VDD
2OUT
2IN-
1IN+
1IN-
1OUT
控制信号输出端。
输出延时时间
TX
的电阻调节端。
（即灯亮的时间调节端）TX≈50000×R1×C1
输出延时时间
TX
的电容调节端。
（即灯亮的时间调节端）
（即灯暗的时间调节端）
Ti≈40×R2×C2
触发封锁时间
TI
的电容调节端。
触发封锁时间
TI
的电阻调节端。
（即灯暗的时间调节端）
工½电源负端
参考电压及复½输入端。通常接
VDD，½接 0
的时候可½定时器复½
触发禁止端。½
Vc<Vr
时禁止触发。½
Vc>Vr
时允许触发。
（Vr≈0.2VDD）
运算放大器偏½电流设½端
工½电源正端
第二级运算放大器输出端
第二级运算放大器反相输入端
第二级运算放大器正相输入端
第一级运算放大器反相输入端
第一级运算放大器输出端
Ｒ½½．１．０　Ａ½½½½½　１５，　２０１４
１　½½　１０
功½描述
可重复触发和不可重复触发选择端。A=1 时。允许重复触发；A=0 时，不允许重复触发
深圳市科发鑫电子有限公司
Ｈ½½½：／／½½½．½½½½½．½½½
内部结构方框图
KF0001
性½参数
标准测试条件：Vdd
=5.0V，T=25ºC。
极限参数
符号
VDD
VI/VO
IOUT
Topr
Tstr
参数
电源电压
输入/输出电压
输出电流
工½温度
贮存温度
测试条件
——
——
VDD=5.0V
——
——
参数范围
0.3——6.0
VSS-0.3——VDD+0.3
10
-20——+70
-40——+125
单½
V
V
mA
℃
℃
电气参数
参数
工½电压范围
工½电流
输入失调电压
输入失调电流
开环电压增益
共模抑制比
运放输出高电平
运放输出½电平
Vc
端输入高电平
Vc
端输入½电平
Vo
端输出高电平
Vo
端输出½电平
A
端输入高电平
A
端输入½电平
无负½½
测试条件
——
VDD=3V
VDD=5V
VDD=5V
VDD=5V
VDD=5V,RL=1.5MΩ
VDD=5V,RL=1.5MΩ
VDD=5V
60
60
4.25
0.75
1.1
0.9
4
0.4
3.5
1.5
Ｒ½½．１．０　Ａ½½½½½　１５，　２０１４
符号
VDD
I
VOS
IOS
AVO
CMRR
VYH
VYL
VRH
VRL
VOH
VOL
VAH
VAL
最小值
3
最大值
6
50
100
30
50
单½
V
uA
mV
mA
dB
dB
V
V
V
V
V
V
V
V
２　½½　１０
VRF=VDD=5V
VDD=5V，IOH=0.5 mA
VDD=5V，IOL=0.1 mA
VDD=5V
VDD=5V
深圳市科发鑫电子有限公司
Ｈ½½½：／／½½½．½½½½½．½½½
功½描述
KF0001
KF0001
是由运算放大器、电压比较器、状态控制器、延时时间定时器以及封锁
时间定时器等构成的数模混合专用集成电路。
不可重复触发工½方式
以下图所示的不可重复触发工½方式下的波½，来说明其工½过程。
首先，根据实际需要，利用运算放大器
OP1
组成传感信号预处理电路，将信号
放大。然后耦合给运算放大器
OP2，在进行第二级放大，同时将直流电½抬高
为
VM≈0.5VDD
后，将输出信号
V2
送给比较器
COP1
和
COP2
组成的双向鉴幅
器，
检出有效触发信号
Vs。
由于
VH≈0.7VDD、
VL≈0.3VDD，
所以½
VDD=5V
时，
可以有效抑制±1V 的噪声干扰，提高系统的可靠性。
COP3
是一个条件比较器。½输入电压为
Vc＜VR（≈0.2VDD）时，COP3
输出为
½电平封½了与门
U2，禁止触发信号 VS
向下一级传递，而½
Vc＞VR
时，COP3
输出高电平，进入延时周期。
½
A
端接“0”电平时，在
TX
时间内任½
V2
的变化½会被½略，直到
Tx
时间
结束，即所谓不可重复触发工½方式。½
Tx
时间结束时，Vo 下调为½电平，同
时启动封锁时间定时器而进入封锁周期
Ti。在 Ti
时间内，任½
V2
的变化½不
会½得
Vo
跳变为有效状态，可有效抑制负½½切换过程中产生的干扰。
Ｒ½½．１．０　Ａ½½½½½　１５，　２０１４
３　½½　１０
深圳市科发鑫电子有限公司
Ｈ½½½：／／½½½．½½½½½．½½½
KF0001
可重复触发工½方式：以下图所示的可重复触发工½方式的波½，来说明其工½过程。
可重复触发工½方式下的波½
在
Vc=0、A=0
期间，信号
Vs
不½触发
Vo
为有效状态。在
Vc=1、A=1
时，Vs 可重复触
发
Vo
为有效状态，并可促½
Vo
在
Tx
周期内抑制保持有效状态。
在
Tx
时间内，只要
Vs
发生上跳变化，则
Vo
将从
Vs
上跳变时刻起继续延长一个
Tx
周期；
若
Vs
保持为“1”状态，则
Vo
一直保持有效状态；若
Vs
保持为“0”状态，则在
Tx
周期
结束后
Vo
恢复为无效状态；并且，同样在封锁时间
Ti
内，任½
Vs
的变化½不½触发
Vo
为有效状态。
典型应用电路
VDD
S1
U1
9
10
11
12
13
14
*C1
NC
S2
RESET/VRF
VSS
KF0001
Infrared sensor signal processor
RR2
RC2
RC1
RR1
VO
A
8
7
6
5
4
3
2
1
NC
VDD
VC
IB
VDD
2 OUT
2 IN-
1 IN+
1 IN-
1 OUT
KF0001
R1
C1
0.1uF
VDD
R3
103
+
105
VDD
R6
10k
+
R7
10k
C8
10uF
VDD
R13
221
LED1
LED
C2
47uF
1
2
3
R2
C6
105
0.01uF
IR1
D
S
G
C5
10uF
R8
18k
R9
205
R5
+
R10
220R
R11
1k
S3
R12
0R
C9
0.1uF
Q1
S8050
VDD
C4
R4
22nF 47K
15
16
IR Sensor
C7
0.01uF
C3
47uF
*C2
47K
Ｒ½½．１．０　Ａ½½½½½　１５，　２０１４
４　½½　１０
应用实例
TP1
1
TestPoint TestPoint
CDS-
9
VC
IB
VDD
105
5
10nF
RC1
RR1
VO
A
1
C8
100nF
2
3
tm1
R13
164
R14
102
3.3V
4
R5
NC
R15
VO
0R
tm2
C4
1nF
2 OUT
2 IN-
1 IN+
1 IN-
1 OUT
KF0001
R7
183
TP3
tm2
IR1
D
S
C7
10nF
G
RE200B
3
IRS
1
2
IRS
473
C11
22uF/6.3v
1
R18
tm1
1
1
TestPoint
tm2
TP4
TestPoint
tm1
TP5
TestPoint
IR
VDD6V
1
3.3V
1
TP6
TestPoint
3.3V
TP7
TestPoint
BAT
TP8
IRVDD
1
TestPoint
IRVDD
RC2
RR2
6
R3
C6
VSS
7
RESET/VRF
3.3V
3.3V
R1
10
11
R9
12
13
14
R11 435
15
16
IRVDD
C3
1nF
104
C5
10nF
R10
R12 625
105
8
CDS+
U1
105
1
TP2
R2
VDD6V
3
10uF/6.3v
C2
U2
VSS
Vin
Vout
NC
(10k)
热热热热热热热热热热
KF8160A33M
1
2
3.3V
R6
R4
NC
C10
22uF/6.3v
R8
183
C1
NC
183
C9
47uF/6.3v
R16
LED1
深圳市科发鑫电子有限公司
Ｈ½½½：／／½½½．½½½½½．½½½
BT1
Ｒ½½．１．０　Ａ½½½½½　１５，　２０１４
3
3V*2
D
Q1
KF3001 P-MOS
G
LED 5X5
S
30R
2
1
VO
R17
47K
图
1
：
6V
供热
LED
感感感感感感感感感
KF0001
Infrared sensor signal processor
KF0001
５　½½　１０
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