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本文介绍了一种针对低压差线性稳压器(LDO)的补偿电路,该电路设计考虑了键合线电阻,以改善LDO的负载调节性能。在0.18微米CMOS工艺中,即使在高负载电流和高键合线电阻的情况下,该电路也能提供高性能的负载调节。该补偿电路不受LDO输入和输出电压设置以及温度和晶体管阈值电压变化的影响。通过HSPICE仿真结果确认,在负载电流从0毫安变化到300毫安时,LDO的输出电压波动可以维持在0.5%以内。这对于设计具有高输出电流和低输出电压的LDO具有重要意义。文章还讨论了半导体工艺的缩放对信号处理集成电路(如CPU)工作电压的影响,以及由于键合线电阻导致的电压降问题。提出的补偿电路通过监测功率MOS晶体管的栅极电压来检测负载电流,并补偿由于键合线电阻导致的Vout电压降。通过调整补偿电阻Rh,可以实现接近理想的负载调节性能,即使在负载电流变化时,输出电压Vout也能保持稳定。仿真结果表明,所提出的补偿电路在不同输出电压下均能实现小于0.5%的电压波动,并且具有良好的温度和阈值电压稳定性。
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