对取样示波器采用NTN校准技术中的kick-out脉冲的参数进行了分析；按照二极管时变电导的模式推导了kick-out脉冲参数的数学表达式；分析了影响kick-out脉冲的参数；提出了NTN校正技术应用的带宽范围和条件。仿真实验说明充电电容值越小，kick-out脉冲的频谱带宽越宽；二极管电感参数不对称有利于展宽频带，但增加了超调；由于选通脉冲泄漏，kick-out脉冲的频谱响应图中存在凹槽。关 键 词 校准; kick-out脉冲; 取样电路; 取样示波器宽带取样示波器通常采用扫频源校正法、标准脉冲法和Nose-to-Nose(NTN)校正法这三种方法进行校正[1]。扫频源校正法不能确定示波器频率响应；准脉冲法要求脉冲源在高频时具有足够的能量和特别快的响应速度，才能实现去卷积与运算，它受限于脉冲源带宽和高频段示波器的不完全响应[1]。目前，取样示波器的带宽越来越宽[2-4]，已达到110 GHz[4]，上升时间小于3.5 ps，校正技术要求越来越高[1,4-5]，NTN技术得到了迅速发展[5-6]。NTN技术定标方法是在基于采样器取样直流信号时，形成kick-out脉冲，反射回示波器输入端口。它包含了示波器取样的传输特性等线性信息[6-7]，利用另一台系统特性相同的示波器对此脉冲取样，再对取样获得的信号用反卷积分离算法可获得这两台示波器的系统特性；如果两台性能不同，可以利用三台两两校准。NTN校准只需要示波器两两对接[6-7]，不需要其他仪器，比传统的校准方法精度高。
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